蘋果10.5寸iPadPro下架 第三代iPadAir取代
在3月26日凌晨1點的蘋果發(fā)布和6月3日WWDC前，兩款升級A12處理器的新iPad Air（第三代iPad Air）和第五代iPad mini先行登場，外界紛紛將其解讀為，蘋果釋放信號，325發(fā)布會將完全聚焦于將要推出的電視和視頻服務上。
回到此次的硬件，iPad mini是時隔4年后重新回歸，iPad Air則算是常規(guī)升級。雖然有A12加持后性能將大幅躍升，但遺憾也不是沒有，比如都不支持Face ID仍是Touch ID、都還是Lightning閃電接口等。
當然，iPad Air“擠牙膏”中將屏幕尺寸調整到了10.5英寸，拋棄了萬年9.7，可能正因為這個原因，10.5寸的iPad Pro被正式下架。
目前，蘋果官網(wǎng)可以購買的iPad Pro就只剩下了最新推出的11寸和12.9寸版。
10.5寸iPad Pro發(fā)布于2017年，屬于第二代產(chǎn)品，雖然它的屏幕和2019款iPad Air相同，但處理器是老邁的A10X Fusion。不過，四揚聲器和1200萬像素主攝在新iPad Air上倒是沒有得到繼承，所以也不能說是完全取代。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
蘋果
+關注
關注
61文章
24613瀏覽量
208747 -
iPad
+關注
關注
1文章
1381瀏覽量
84779
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
探索TPA2008D2：第三代5 - V Class - D音頻功放的卓越性能
探索TPA2008D2：第三代5 - V Class - D音頻功放的卓越性能 在音頻功放的領域中，TI的TPA2008D2脫穎而出，成為了第三代5 - V Class - D音頻功放的杰出代表
龍騰半導體推出全新第三代超結MOSFET技術平臺
今天，龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結 MOSFET技術平臺。
行業(yè)快訊：第三代半導體駛入快車道，碳化硅器件成本有望三年內(nèi)接近硅基
行業(yè)快訊：第三代半導體駛入快車道，碳化硅器件成本有望三年內(nèi)接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理，具備高帶寬、高精度和高分辨率，適用于第三代半導體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設計及市場定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術投入與規(guī)?；当静⒋妗钡奶卣?。一、成本構成：核心
發(fā)表于 12-25 09:12
CINNO出席第三代半導體產(chǎn)業(yè)合作大會
10月25日，第三代半導體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席，鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
開啟連接新紀元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術率先通過PSA 4級認證
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章：B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術認知
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用
第三代半導體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導體領域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術發(fā)揮著不可或缺的作用
第三代半導體的優(yōu)勢和應用領域
隨著電子技術的快速發(fā)展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統(tǒng)的硅（Si）半導體已無法滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵（GaN
瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析（1）
隨著AI技術井噴式快速發(fā)展，進一步推動算力需求，服務器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導體先發(fā)制人，推出的第三代超結MOSFET，能全面滿足高效能需求。
英飛凌發(fā)布第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列
近日，英飛凌的磁傳感器門類再添新兵，第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的迭代之后應運而生。
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產(chǎn)在即
，這一革新使電池儲電能力顯著增強，能量密度提升 15%。在相同體積下，它能儲存更多電能，為手機制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術支撐。 ? 彭博社指出，蘋果和三星是 TDK 的主要客戶，各自貢獻了公司約 10% 的總收入。
評論