SRAM主要用于二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。

SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM （異步SRAM）、Sync SRAM （同步SRAM）、PBSRAM （流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。

基本的SRAM的架構(gòu)如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列，行/列地址譯碼器，靈敏放大器，控制電路，緩沖/驅(qū)動電路。SRAM是靜態(tài)存儲方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。