5月2日消息，在本周的季度收益電話會議上，臺積電方面透露，該公司預計其大部分7nm“N7”工藝客戶最終將轉(zhuǎn)型至其即將推出的6nm“N6”工藝制造節(jié)點。即將到來的“N6”工藝節(jié)點將使用與“N7”節(jié)點相同的設(shè)計規(guī)則，使客戶更容易轉(zhuǎn)換到更新，更密集的節(jié)點。而且，如果臺積電的預測成真，N6毫無疑問將成為臺積電下一個廣泛使用，長期服務(wù)的流程節(jié)點。

此前有消息報道，臺積電的N6工藝技術(shù)采用極紫外光刻（EUVL），通過減少多圖案化所需的曝光次數(shù)來降低制造復雜性（目前需要這種曝光，因為TSMC的N7僅使用DUV光刻）。臺積電沒有明確說明在N7+或N6上有多少層使用EUVL，但已經(jīng)證實后者與前者相比增加了一個額外的EUVL層。

雖然臺積電的N6采用新的生產(chǎn)設(shè)備，晶體管密度比N7制造技術(shù)高出18％，但N6采用與N7相同的設(shè)計規(guī)則，使芯片設(shè)計人員能夠重復使用相同的設(shè)計生態(tài)系統(tǒng)（例如工具等） ，這將使他們降低開發(fā)成本。相比之下，N7+使用不同的設(shè)計規(guī)則，但與N7相比，它還提供了比N6更多的優(yōu)勢。

雖然臺積電的合作伙伴采用了N7和N7+兩種工藝，并且全球最大的芯片合約制造商預計這兩種技術(shù)在2019年將占其晶圓收入的25％以上，但前者看起來比后者更受歡迎。與此同時，臺積電預計今天使用N7的大多數(shù)客戶將轉(zhuǎn)向N6，然后轉(zhuǎn)向N5跳過N7+。考慮到N7的普及程度，N6也可能會非常受歡迎。