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西部數(shù)據(jù)推出新款嵌入式閃存盤(pán) 采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù)

電子工程師 ? 來(lái)源:yxw ? 2019-05-14 13:45 ? 次閱讀
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西部數(shù)據(jù)公司致力于滿足汽車(chē)行業(yè)日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求,為汽車(chē)制造商和系統(tǒng)供應(yīng)商提供先進(jìn)技術(shù)和更高容量,以支持更廣泛的汽車(chē)應(yīng)用產(chǎn)品,包括電子駕駛艙(e-cockpit)、人工智能AI)數(shù)據(jù)庫(kù)、ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))、先進(jìn)信息娛樂(lè)系統(tǒng)以及自動(dòng)駕駛的計(jì)算機(jī)。新款256GB西部數(shù)據(jù)TM iNANDTM AT EM132 嵌入式閃存盤(pán)采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù),產(chǎn)品生命周期超越了2D NAND,以滿足不斷變化的應(yīng)用需求和不斷增長(zhǎng)的容量需求。

Counterpoint Research 公司合伙人兼研究總監(jiān) Neil Shah 表示:“存儲(chǔ)是自動(dòng)駕駛/車(chē)聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域中發(fā)展最快的半導(dǎo)體應(yīng)用之一。先進(jìn)車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)(IVI)、人工智能(AI)以及傳感器驅(qū)動(dòng)的自動(dòng)駕駛系統(tǒng)都會(huì)產(chǎn)生大量的數(shù)據(jù),需要在終端進(jìn)行本地處理和存儲(chǔ)。到 2022 年,每輛車(chē)的平均存儲(chǔ)容量將超過(guò)2TB?!?/p>

曾經(jīng),高容量存儲(chǔ)往往用于地圖數(shù)據(jù)、應(yīng)用軟件和用戶(hù)信息存儲(chǔ),而今高容量存儲(chǔ)開(kāi)始在新一代汽車(chē)應(yīng)用中擴(kuò)展其適用的范圍,包括行車(chē)數(shù)據(jù)記錄、數(shù)據(jù)儀表、遠(yuǎn)程通信網(wǎng)關(guān)、車(chē)用無(wú)線通信技術(shù)、高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)、人工智能和自動(dòng)駕駛的計(jì)算。這種不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)趨勢(shì)要求閃存設(shè)計(jì)用于極端汽車(chē)環(huán)境(包括高達(dá)105oC 的溫度范圍),同時(shí)要滿足此類(lèi)應(yīng)用在存儲(chǔ)質(zhì)量和可靠性上的要求。

西部數(shù)據(jù)公司 Device 部門(mén)高級(jí)總監(jiān) Oded Sagee 表示:“具有嚴(yán)格質(zhì)量和可靠性要求的高容量存儲(chǔ)正在迅速成為汽車(chē)行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn),而搭載 3D TLC NAND 技術(shù)的新款西部數(shù)據(jù) iNAND AT EM132 嵌入式閃存盤(pán),在設(shè)計(jì)上采用了能夠滿足新一代應(yīng)用需求的功能和規(guī)格?!?/p>

西部數(shù)據(jù)iNAND AT EM132嵌入式閃存盤(pán)通過(guò)了IATF16949認(rèn)證,符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn),并遵守ISO26262 NAND閃存安全機(jī)制指南,還囊括了專(zhuān)為密集型汽車(chē)工作負(fù)載而設(shè)計(jì)的豐富汽車(chē)功能,包括:

? 先進(jìn)的運(yùn)行狀況監(jiān)控

? 熱管理

? 自動(dòng)和手動(dòng)讀取刷新

? 強(qiáng)大的電源管理

? 數(shù)據(jù)保存性超過(guò)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

西部數(shù)據(jù)iNAND AT EM132嵌入式閃存盤(pán)采用先進(jìn)的數(shù)據(jù)保護(hù)和糾錯(cuò)技術(shù)。

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