5月9日SK海力士宣布，SK海力士基于96層4D NAND技術(shù)開發(fā)了一種one-terabit (Tb) quadruple level cell (QLC)閃存芯片，具有更大數(shù)據(jù)存儲容量。

SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存，號稱是首個4D NAND閃存，今天該公司宣布正式出樣96層QLC閃存，核心容量1Tbit。

對于NAND閃存，大家都知道有SLC、MLC、TLC及QLC之分，每種類型的閃存中存儲的電荷位數(shù)分別是1、2、3、4，所以QLC閃存的容量更高，成本更低，不過QLC閃存的電壓控制也更復雜，導致寫入速度變差，可靠性也會降低。

盡管如此，由于QLC閃存在容量、成本上的優(yōu)勢，三星、美光、東芝、西數(shù)、SK Hynix、Intel等公司還是要力推QLC閃存，而且普遍會用于90+堆棧的新一代NAND閃存中。

SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存，并取名為4D NAND閃存，相比通常的3D NAND閃存聽上去更先進，主要原因就是SK Hynix首次實現(xiàn)了4D平面，每個NAND核心中的平面數(shù)量從2個增加到4個，數(shù)據(jù)帶寬也從32KB翻倍到了64KB，核心容量達到了1Tbit，比目前MLC/TLC主流的256Gbit、512Gbi至少翻倍，可以輕松制造出16TB的硬盤。

SK Hynix今天宣布正式出樣96層堆棧的QLC閃存給客戶，SM慧榮等公司已經(jīng)拿到了QLC閃存樣品，并表示SK Hynix的QLC閃存整體性能令人印象深刻。

除了QLC閃存之外，SK Hynix還會開發(fā)自己的QLC軟件算法及主控芯片，并及時推出解決方案以滿足客戶需求。