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總投資200億元!名芯半導體項目落戶贛州經(jīng)開區(qū)

h1654155973.6121 ? 來源:YXQ ? 2019-06-12 16:09 ? 次閱讀
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近日,江西贛州經(jīng)開區(qū)官方微信平臺消息顯示,贛州經(jīng)開區(qū)與名芯有限公司(香港)、電子科技大學廣東電子信息工程研究院(以下簡稱“電研院”)簽訂三方合作框架協(xié)議,名芯半導體項目落戶贛州經(jīng)開區(qū)。

據(jù)介紹,名芯半導體項目總投資200億元,將分兩期建設:一期投資60億元,建設一條8英寸功率晶圓生產(chǎn)線;二期投資120-140億元,規(guī)劃建設第三代6/8英寸晶圓制造生產(chǎn)線或12英寸硅基晶圓制造生產(chǎn)線。兩期項目達產(chǎn)達標后,預計實現(xiàn)年產(chǎn)值100億元以上。

該項目涉及的產(chǎn)品類型包括IGBT、功率MOS、功率IC、電源管理芯片等,覆蓋全球功率器件領域全部類別中80%品種。同時,項目規(guī)劃建設與晶圓關聯(lián)的封測工廠、IC設計公司、微電子研究院等三個項目。

圖片來源:電子科技大學廣東電子信息工程研究院官網(wǎng)

資料顯示,電研院于2007年8月由東莞市人民政府、電子科技大學和廣東省科技廳聯(lián)合共建,是廣東省部產(chǎn)學研合作創(chuàng)新平臺以及國家技術轉移示范機構、國家級科技企業(yè)孵化器。這些年來,電研院以“技術+資本”為模式,已累計孵化各類電子信息高科技企業(yè)100余家。

名芯有限公司(香港)資產(chǎn)約20億元港幣,銷售IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、CMOS(互補金屬氧化物半導體)、存儲芯片、MOSFET(金氧半場效晶體管)及半導體相關設備。目前已取得日本、美國等海外封測工藝專利授權500余項。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:投資200億!名芯半導體晶圓項目落戶江西贛州!

文章出處:【微信號:xinlun99,微信公眾號:芯論】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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