由現行SOI（Silicon on Insulator）晶圓與代工制造情形，可大致了解SOI變化趨勢及重點地區(qū)，并借此探討目前的發(fā)展現況與未來規(guī)劃。

以SOI晶圓供應商為例，著重于歐洲、日本與***地區(qū)等廠商，其投入大量資源并對該晶圓生成技術著墨已久。

另外，SOI代工廠商則以歐洲、韓國及中國大陸等地區(qū)為主，在SOI晶圓制造發(fā)展上已導入較多研發(fā)費用及廠房設備進行生產。

整體而言，后續(xù)SOI晶圓生成及代工制造，較看好RF-SOI相關制程技術的發(fā)展。

法國SOITEC為最大SOI晶圓供應商，但目前FD-SOI晶圓需求仍不明顯

根據SOI晶圓供應商區(qū)域及技術分布圖，現行SOI晶圓供應商有法國SOITEC、日本信越（Shin-Etsu）、臺系環(huán)球晶、陸系上海新傲、芬蘭Okmetic、日本勝高（SUMCO）與新創(chuàng)廠商臺系華硅創(chuàng)新，其中SOI晶圓應用以RF-SOI、Power-SOI及FD-SOI為主，并以6～12寸的SOI晶圓為生產尺寸。

SOI晶圓生成技術雖集中于歐洲、日本與***地區(qū)等，SOI生成技術龍頭卻由法國SOITEC拿下，囊括SOI晶圓生成總產量70%以上市占率，所以對于此生成技術的應用及發(fā)展，法國SOITEC擁有極高話語權，目前已針對FD-SOI、RF-SOI及Power-SOI等晶圓生成技術為主要。

至于其他晶圓廠，現階段嘗試取代線寬較大之FinFET元件所開發(fā)的FD-SOI晶圓技術則有日本信越、芬蘭Okmetic及臺系環(huán)球晶等廠商，且相繼投入晶圓生產開發(fā)上；盡管已有許多廠商投入晶圓開發(fā)，但若以市場需求觀察，則可發(fā)現元件發(fā)展現況似乎受阻，由于未有明顯的元件需求，FD-SOI晶圓供貨量可能趨緩。

另外，各廠在龍頭大廠法國SOITEC帶領下，提高對射頻前端元件的發(fā)展興趣，逐漸朝RF-SOI晶圓生成技術發(fā)展，后續(xù)將搭配5G通訊發(fā)展，使該生成技術逐漸受到重視。

格芯為最大SOI代工制造商，搭配5G通訊RF-SOI元件后續(xù)看好

再由SOI主要代工廠商區(qū)域及技術分布圖可知，SOI代工廠商發(fā)展主要以美國格芯、韓國Samsung、瑞士STM、***地區(qū)聯(lián)電、以色列TowerJazz、大陸地區(qū)華虹宏力與中芯國際等，以6～12寸SOI晶圓進行加工，且制程技術將著重于FD-SOI與RF-SOI等代工上。

現行SOI代工廠商發(fā)展以歐洲、韓國及中國等地區(qū)最顯著；其中，SOI晶圓代工廠霸主為美國格芯，其制程工廠大多集中于德國及新加坡等地區(qū)，目前已有FD-SOI、RF-SOI晶圓等先進制程技術，但由于格芯內部營運問題與FD-SOI元件需求量較不顯著，因此其成都廠預計將導入22nm之FD-SOI制程技術，并于2018年底傳出停工，后續(xù)發(fā)展還有待觀察。

另一方面，RF-SOI元件在射頻前端元件應用上集中于Switch（開關）、LNA（功率放大器）等元件，除了龍頭美國格芯已投入該領域研發(fā)外，現階段各廠大多有其相對應的技術發(fā)展。整體來說，2021～2022年5G通訊市場將蓬勃發(fā)展，由于5G頻寬大量增加，手機內部需有更多的射頻前端元件支援，帶動整體需求量，驅使RF-SOI元件產量逐步增長、營收上揚。