Rogers Ro4350高頻材料是玻璃纖維增強(qiáng)（非PTFE）碳?xì)浠衔?陶瓷層壓板，專為大批量，高性能的商業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Ro4350旨在提供卓越的射頻性能和經(jīng)濟(jì)高效的電路生產(chǎn)。結(jié)果是低損耗材料，可以使用標(biāo)準(zhǔn)環(huán)氧樹(shù)脂/玻璃（FR4）工藝以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格生產(chǎn)。隨著工作頻率增加到500 MHz或更高，設(shè)計(jì)人員通常可以選擇的層壓板大大減少。RO4350PCB具有RF微波開(kāi)發(fā)人員所需的特性，可實(shí)現(xiàn)濾波器，耦合網(wǎng)絡(luò)和網(wǎng)絡(luò)的可重復(fù)設(shè)計(jì)阻抗控制的傳輸線。低介電損耗允許在許多應(yīng)用中使用RO4350系列材料，其中較高的工作頻率限制了傳統(tǒng)印刷電路板的使用層壓材料。介電常數(shù)的溫度系數(shù)是所有印刷電路中最低的溫度系數(shù)之一，介電常數(shù)在很寬的頻率范圍內(nèi)是穩(wěn)定的這使其成為寬帶應(yīng)用的理想基板。

孔的質(zhì)量應(yīng)該用于確定刀具壽命而不是刀具磨損。RO4350材料在使用符合環(huán)氧樹(shù)脂/玻璃標(biāo)準(zhǔn)的鉆頭進(jìn)行鉆孔時(shí)可提供良好的鉆孔質(zhì)量。與Ep-Oxy/玻璃相比，當(dāng)使用該工具時(shí)，材料孔的粗糙度RO4350不會(huì)顯著增加。無(wú)論訪問(wèn)次數(shù)如何，典型值都在8到25微米之間變化（評(píng)估的訪問(wèn)次數(shù)高達(dá)8,000次）。粗糙度與陶瓷填充物的尺寸直接相關(guān)，并為孔壁的粘附提供了有利的形貌。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，用于環(huán)氧樹(shù)脂/玻璃板的鉆孔條件具有良好的孔質(zhì)量，擊球率大于2000.

熱膨脹系數(shù)（CTE）RO4350材料為電路設(shè)計(jì)人員提供了幾項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)。材料RO4350的膨脹系數(shù)與銅相似，這使得材料可見(jiàn)。

尺寸穩(wěn)定性

這是構(gòu)建混合電介質(zhì)多層板所必需的特性。即使在嚴(yán)苛的熱沖擊應(yīng)用中，Z軸上RO4350層壓板的低CTE也能提供可靠的通孔質(zhì)量。RO4350系列的材料具有超過(guò)280°C（536°F）的TG，因此其在電路中的所有工藝溫度下的膨脹特性保持穩(wěn)定。RO4350使用標(biāo)準(zhǔn)FR4電路板加工技術(shù)，可以輕松將系列層壓板轉(zhuǎn)換為印刷電路板。與高性能PTFE基材料不同，RO4350系列層壓板不需要特殊的制備工藝，如鈉蝕刻。這種材料是一種剛性，熱穩(wěn)定的層壓板，可以用自動(dòng)處理系統(tǒng)和用于制造銅表面的墊圈進(jìn)行處理。

可用性

RO4350層壓板目前有多種1080可供選擇和1674玻璃織物型號(hào)，所有這些都符合相同的層壓電氣性能規(guī)格。專為直接替換RO4350材料而設(shè)計(jì)，RO4350層壓板采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的阻燃技術(shù)，適用于需要UL 94V的應(yīng)用-0認(rèn)證。這些材料符合IPC4003/10單片RO4003C和/11RO4350的要求。

制作指南

RO4350高頻電路材料已開(kāi)發(fā)出來(lái)，可提供與編織PTFE玻璃基板相媲美的高頻性能，從而簡(jiǎn)化了制造工藝環(huán)氧樹(shù)脂/玻璃層壓板。RO4350是一種熱固性材料，填充碳?xì)浠衔?玻璃纖維增強(qiáng)陶瓷，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度非常高（TG> 280°C）。與PTFE基微波材料不同，不需要特殊處理或通過(guò)。因此，RO4350材料電路的加工和裝配成本與環(huán)氧/玻璃層壓板相當(dāng)。

以下是處理RO4350雙面印版的一些基本提示。通常，用于環(huán)氧樹(shù)脂/玻璃板的參數(shù)和處理方法可用于處理RO4350板。

輸入/輸出材料

進(jìn)樣口和出口材料必須平整且堅(jiān)硬，以盡量減少銅毛刺。推薦的輸入材料是鋁和剛性復(fù)合板（0.254至0.635毫米）。大多數(shù)常規(guī)起始材料有或沒(méi)有鋁涂層是合適的。

電池最大高度

待鉆材料的厚度不得超過(guò)溝槽長(zhǎng)度的70％。這包括輸入材料的厚度和滲透到基材中。

穿孔

應(yīng)盡可能避免表面速度超過(guò)500 SFM且芯片負(fù)載小于0.05 mm（0.002“）。