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變壓器和EMI以及PCB設(shè)計(jì)

PCB線路板打樣 ? 來源:LONG ? 2019-07-31 11:06 ? 次閱讀
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自從開發(fā)電源模塊以來,工程師們一直專注于如何制作模塊更緊湊輕巧。事實(shí)上,每個(gè)人都知道,通過提高開關(guān)頻率可以提高產(chǎn)品的功率密度。但到目前為止,為什么模塊的音量沒有改變?是什么限制了開關(guān)頻率的增加?

開關(guān)電源產(chǎn)品以市場(chǎng)為主導(dǎo),并且越來越需要小巧,輕便,高效,低輻射,低成本等特性為滿足各種電子終端設(shè)備,為了滿足目前便攜式電子終端設(shè)備,開關(guān)電源必須小,重量輕的特點(diǎn),因此,增加開關(guān)電源的工作頻率已成為設(shè)計(jì)人員的一個(gè)問題正在越來越多地關(guān)注。但是,限制開關(guān)電源頻率增加的因素有哪些?實(shí)際上,它主要包括三個(gè)方面,開關(guān)管,變壓器和EMI以及PCB設(shè)計(jì)。

T切換電子管和開關(guān)頻率

開關(guān)管是開關(guān)電源模塊的核心器件。其開關(guān)速度和開關(guān)損耗直接影響開關(guān)頻率的限制。以下是對(duì)每個(gè)人的分析。

(1)開關(guān)速度

MOS晶體管的損耗由開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗組成,如圖1所示:開啟延遲時(shí)間(開啟),上升時(shí)間,關(guān)閉延遲時(shí)間(關(guān)閉)和下降時(shí)間。

變壓器和EMI以及PCB設(shè)計(jì) 華強(qiáng)PCB

圖1DMOS管開關(guān)的字形

如圖2所示:FDD8880切換時(shí)間特性表。

圖2 FDD8880切換時(shí)間特性表

對(duì)于這個(gè)MOS管,它的限位切換頻率為:fs = 1/(td(on)+ tr + td(off)+ tf)Hz = 1/(8 ns + 91 ns + 38 ns + 32 ns)= 5.9 MHz,實(shí)際上在設(shè)計(jì)中,由于控制開關(guān)占空比實(shí)現(xiàn)電壓調(diào)節(jié),導(dǎo)通和截止開關(guān)管不能瞬間完成,也就是說,開關(guān)的實(shí)際開關(guān)頻率遠(yuǎn)小于5.9 MHz,因此開關(guān)管本身的開關(guān)速度限制了開關(guān)頻率。

(2)開關(guān)損耗

開關(guān)打開時(shí)的相應(yīng)波形圖如圖3(A)所示。開關(guān)關(guān)閉時(shí)的相應(yīng)波形圖如圖3(B)所示??梢钥闯?,每次開關(guān)管接通和斷開時(shí),開關(guān)晶體管的VDS電壓和通過開關(guān)管的流量都被接通和斷開。當(dāng)前ID具有重疊時(shí)間(圖中的黃色陰影位置),導(dǎo)致?lián)p耗P1,然后在開關(guān)頻率fs的操作狀態(tài)下的總損耗PS = P1 * fs,即開關(guān)轉(zhuǎn)動(dòng)的次數(shù)當(dāng)開關(guān)頻率增加時(shí)開啟和關(guān)閉損耗越大,損耗越大,如下面的圖3所示。

(3)開關(guān)管損耗

變壓器鐵損和切換頻率

變壓器的鐵損主要是由變壓器的渦流損耗引起的,如圖4所示。

當(dāng)線圈上施加高頻電流時(shí),導(dǎo)體內(nèi)部和垂直于導(dǎo)體的導(dǎo)體外部會(huì)產(chǎn)生變化的磁場(chǎng)目前的方向(圖中1→2→3和4→5→6)。根據(jù)電磁感應(yīng)定律,變化的磁場(chǎng)在導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),該電動(dòng)勢(shì)在導(dǎo)體的整個(gè)長度方向(L側(cè)和N側(cè))產(chǎn)生渦流(a→b→c→ a和d→e→f→d)。然后,主導(dǎo)電流和渦流在導(dǎo)體表面上得到加強(qiáng),并且電流趨向于表面。然后,導(dǎo)線的有效交流橫截面積減小,導(dǎo)致導(dǎo)體的交流電阻(渦流損耗系數(shù))增加,損耗增加。

變壓器渦流的圖形

如圖5所示,變壓器鐵損與開關(guān)頻率的kf功率,與磁溫度限制有關(guān)。因此,隨著開關(guān)頻率增加,高頻電流在線圈中流動(dòng)以產(chǎn)生嚴(yán)重的高頻效應(yīng)。從而降低了變壓器的轉(zhuǎn)換效率,導(dǎo)致變壓器溫度升高,從而限制了開關(guān)頻率。

圖5變壓器圖鐵損和開關(guān)頻率

EMI和PCB設(shè)計(jì)和開關(guān)頻率

假設(shè)上述功率器件損耗已解決,真正的高頻還需要解決一系列工程問題,因?yàn)樵诟哳l時(shí),電感不是我們熟悉的電感,電容不是我們所知的電容,所有的寄生參數(shù)。會(huì)發(fā)生相應(yīng)的寄生效應(yīng),這將嚴(yán)重影響電源的性能,例如變壓器初級(jí)側(cè)的寄生電容,變壓器的漏感,寄生電感和PCB布線之間的寄生電容,這將導(dǎo)致一系列電壓和電流波形振蕩和EMI問題。開關(guān)管的電壓應(yīng)力也是一個(gè)測(cè)試。

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