英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 搶先領(lǐng)取！高壓CoolGaN™ GIT HEMT可靠性白皮書推薦2024-12-18 17:20

  

  高壓CoolGaNGITHEMT（高電子遷移率晶體管）可靠性和驗(yàn)證的白皮書共33頁，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實(shí)現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和器件使用壽命，且大幅超過標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，詳細(xì)闡述了英飛凌用于驗(yàn)證CoolGaN器件的四個(gè)方面的流程。硅的故障機(jī)制清晰，驗(yàn)證方法非常成熟，但傳統(tǒng)的硅驗(yàn)證工藝無法直接應(yīng)用于GaN技術(shù)產(chǎn)品，因?yàn)镚aN器件的材料和結(jié)構(gòu)特性與

  HEMT 晶體管 白皮書 高壓 1105瀏覽量

• 英飛凌CoolSiC™ MOSFET 2000V再獲殊榮，榮獲極光獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)2024-12-17 17:03

  

  英飛凌的CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件再度贏得行業(yè)殊榮，榮獲2024年度極光獎(jiǎng)“年度影響力產(chǎn)品”獎(jiǎng)項(xiàng)。與此同時(shí)，憑借其在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新突破及產(chǎn)品性能的顯著提升，英飛凌被授予“第三代半導(dǎo)體年度標(biāo)桿領(lǐng)軍企業(yè)”的榮譽(yù)。點(diǎn)擊可查看大圖此外，作為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌持續(xù)致力于碳化硅技術(shù)的革新與發(fā)展，推動(dòng)市場向更高功率等級與更高能

  MOSFET 半導(dǎo)體 英飛凌 1333瀏覽量

• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散2024-12-16 17:22

  

  樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。任何導(dǎo)熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理

  功率半導(dǎo)體 功率器件 測量 熱設(shè)計(jì) 1901瀏覽量

• 新品 | 6EDL04x065xR 和 6EDL04N03PR 系列三相柵極驅(qū)動(dòng)器2024-12-13 17:04

  

  新品6EDL04x065xR和6EDL04N03PR系列三相柵極驅(qū)動(dòng)器650V和300V三相柵極驅(qū)動(dòng)器，帶過電流保護(hù)(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極管(BSD)產(chǎn)品型號：■6EDL04I065NR■6EDL04I065PR■6EDL04N065PR■6EDL04N03PR產(chǎn)品特點(diǎn)英飛凌薄膜-SOI技術(shù)最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0

  BSD 二極管 驅(qū)動(dòng)器 1260瀏覽量

• 新品 | 3300V,1600A二極管IHV B模塊2024-12-12 17:03

  

  新品3300V,1600A二極管IHVB模塊知名的IHVBIHVB3.3kV單開關(guān)IGBT模塊經(jīng)過了重大改進(jìn)，以滿足牽引和工業(yè)應(yīng)用（如中壓傳動(dòng)或HVDC）當(dāng)前和未來的要求。這是首次擴(kuò)展二極管產(chǎn)品組合，DD1600S33HE4是同類最佳的3.3kV二極管模塊，足以取代原來2個(gè)雙二極管3.3kV模塊。它采用發(fā)射極可控EmCon4二極管，功率循環(huán)能力更強(qiáng)，標(biāo)準(zhǔn)封裝

  二極管 模塊 1068瀏覽量

• 深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？2024-12-11 17:04

  

  /編輯推薦/氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動(dòng)，高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體

  GaN SiC 功率半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 開關(guān)電源 1971瀏覽量

• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流2024-12-11 01:03

  

  /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型，Cauer模型和Foster模型，這一篇以二極管的浪涌電流為例，講

  二極管 功率器件 浪涌電流 熱設(shè)計(jì) 1496瀏覽量

• 英飛凌推出新型EiceDRIVER™ Power全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器系列，適用于結(jié)構(gòu)緊湊、經(jīng)濟(jì)高效的柵極驅(qū)動(dòng)器電源2024-12-10 01:00

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動(dòng)器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器系列。2EP1xxR系列擴(kuò)大了英飛凌功率器件產(chǎn)品陣容，為設(shè)計(jì)人員提供了隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電源解決方案。該系列半導(dǎo)體器件可以幫助實(shí)現(xiàn)非對稱輸出電壓，以經(jīng)濟(jì)高效、節(jié)省空間的方式為隔離式柵極

  電源 英飛凌 驅(qū)動(dòng)器 1299瀏覽量

• 新品 | 電動(dòng)汽車充電直流-直流變換器次級用Easy模塊2024-12-07 01:05

  

  新品電動(dòng)汽車充電直流——直流變換器次級用Easy模塊DDB2U60N07W1RF_B58和DDB2U60N12W3RF_C39EasyPACK封裝圖DDB2U60N12W3RF_C39EasyBRIDGE為1200V、60A整流模塊，采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7和CoolSiC肖特基二極管G51200V芯片，帶NTC和PressFIT壓接針腳技術(shù)。DDB2

  變換器 電動(dòng)汽車 直流 804瀏覽量

• 英飛凌全新一代氮化鎵產(chǎn)品重磅發(fā)布，電壓覆蓋700V！2024-12-06 01:02

  

  作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新，隨著氮化鎵技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，其市場規(guī)模正呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長態(tài)勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領(lǐng)域，再次推動(dòng)了氮化鎵革命，率先成功開發(fā)出了全球首個(gè)300mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)，是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的

  氮化鎵 電壓 英飛凌 1622瀏覽量