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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻2024-10-22 08:01
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。散熱功率半導(dǎo)體器件在開通和關(guān)斷過程中和導(dǎo)通電流時會產(chǎn)生損耗,損失的能量會轉(zhuǎn)化為熱能,表現(xiàn)為半導(dǎo)體器件發(fā)熱 -
新品 | 3300W無橋圖騰柱PFC參考設(shè)計2024-10-17 08:03
新品3300W無橋圖騰柱PFC參考設(shè)計REF_3K3W_TP_SIC_TOLL3300W無橋圖騰柱PFC參考設(shè)計是采用英飛凌功率半導(dǎo)體、驅(qū)動器和微控制器的系統(tǒng)解決方案。它采用無橋圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),非常適合要求卓越的效率和功率密度的高端應(yīng)用。圖騰柱設(shè)計簡便易行,減少了元件數(shù)量,并充分利用了PFC電感器和功率開關(guān),從而以有限的系統(tǒng)成本實(shí)現(xiàn)高功率密度。相關(guān)器件:RE -
10月25日|英飛凌儲存器解決方案線上技術(shù)論壇2024-10-15 08:04
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新品 | 1200A 4500V IGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S72024-10-13 08:04
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新品 | 采用IGBT7的CIPOS™ Maxi 10-20A 1200V IPM2024-10-09 08:04
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采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK™為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案2024-10-01 08:06
本文由英飛凌科技的現(xiàn)場應(yīng)用工程師MarcelMorisse與高級技術(shù)市場經(jīng)理MichaelBusshardt共同撰寫。鑒于迫切的環(huán)境需求,我們必須確保清潔能源基礎(chǔ)設(shè)施的啟用,以減少碳排放對環(huán)境的負(fù)面影響。在這一至關(guān)重要的舉措中,風(fēng)力發(fā)電技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色,并已處于領(lǐng)先地位。在過去的20年中,風(fēng)力渦輪機(jī)的尺寸已擴(kuò)大三倍,其發(fā)電功率大幅提升,不久后將突破15MW -
新疆如何實(shí)現(xiàn)給全國充電?2024-09-30 08:03
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新品 | 第2代CoolSiC™ MOSFET 400V2024-09-27 08:05
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新品 | 用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的ISOFACE™四通道數(shù)字隔離器2024-09-26 08:05
新品用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的ISOFACE四通道數(shù)字隔離器ISOFACE四通道數(shù)字隔離器系列支持高達(dá)40Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率,可確保在寬環(huán)境條件下進(jìn)行穩(wěn)健的數(shù)據(jù)通信。工作溫度范圍(-40°C至+125°C)。寬體DSO-16封裝中的四個數(shù)據(jù)通道可簡化高功率密度設(shè)計,并以低電流消耗提高系統(tǒng)效率?,F(xiàn)在還提供4+0通道配置。產(chǎn)品型號:■4DIR0400H■4DIR0 -
功率半導(dǎo)體讓生活更美好2024-09-20 08:06
功率半導(dǎo)體讓生活更美好