英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 新品 | D²PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP™的IGBT7系列2024-11-14 01:03

  

  新品D²PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D²PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用額定電壓為1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D²PAK和DPAK封裝（TO263-3和TO252-3），提供3A至15A的額定電流產(chǎn)品。是替代西門(mén)子SG***N120系列老型號(hào)的理想之選，提供兼容升級(jí)。產(chǎn)品型號(hào)：■IG

  封裝 芯片 額定電壓 1871瀏覽量

• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法2024-11-12 01:04

  

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個(gè)很復(fù)雜的問(wèn)題，從芯片表面測(cè)量溫度，可以發(fā)現(xiàn)單個(gè)芯片溫度也是不均勻的。所以工程上

  功率半導(dǎo)體 功率器件 熱設(shè)計(jì) 芯片 2408瀏覽量

• 新品 | 符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的車(chē)載充電用CoolMOS™ CFD7A 650V EasyPACK™模塊2024-11-08 01:03

  

  新品符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的車(chē)載充電用CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模塊符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650V芯片和一個(gè)集成的直流緩沖器Snubber電路。完美的性?xún)r(jià)比組合，適用于車(chē)載充電器和電動(dòng)汽車(chē)輔助系統(tǒng)應(yīng)用。產(chǎn)品型號(hào)：■F4-35MR07W1D7S8_B11/A產(chǎn)品特點(diǎn)高度可靠的壓接式針腳預(yù)涂

  CoolMOS 充電 車(chē)載 1149瀏覽量

• 英飛凌再次榮膺2024年全球電子產(chǎn)品獎(jiǎng)，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目2024-11-07 08:03

  

  11月5日，英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場(chǎng)領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎(jiǎng)（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能無(wú)源/分立器件”（HighPerformancePassive/Dis

  MOSFET 功率器件 模塊 英飛凌 1565瀏覽量

• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法2024-11-05 08:02

  

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)聯(lián)系實(shí)際，比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。功率半導(dǎo)體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導(dǎo)熱脂

  功率半導(dǎo)體 功率器件 散熱器 熱設(shè)計(jì) 3002瀏覽量

• 新品 | CoolSiC™肖特基二極管G5系列10-80A 2000V2024-11-01 08:06

  

  新品CoolSiC肖特基二極管G5系列10-80A2000VCoolSiC肖特基二極管2000VG5系列在高達(dá)1500VDC的高直流母線(xiàn)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了更高的效率和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，該二極管具有一流的散熱性能和很強(qiáng)的防潮能力。它與配套的CoolSiCMOSFET2000V產(chǎn)品組合完美匹配。產(chǎn)品型號(hào)：■IDYH10G200C5■IDYH25G20

  SiC 二極管 肖特基二極管 1256瀏覽量

• 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效2024-10-31 08:04

  

  •英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司；•通過(guò)降低晶圓厚度將基板電阻減半，進(jìn)而將功率損耗減少15%以上；•新技術(shù)可用于各種應(yīng)用，包括英飛凌的AI賦能路線(xiàn)圖；•超薄晶圓技術(shù)已獲認(rèn)可并向客戶(hù)發(fā)布。繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來(lái)西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，英飛凌

  功率半導(dǎo)體 晶圓 英飛凌 1017瀏覽量

• 功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)2024-10-29 08:02

  

  /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。第一講《功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）----功率半導(dǎo)體的熱阻》，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來(lái)了，那自然會(huì)

  SiC 功率器件 熱設(shè)計(jì) 熱阻 1732瀏覽量

• 英飛凌推出CoolSiC™肖特基二極管2000V，直流母線(xiàn)電壓最高可達(dá)1500 VDC2024-10-25 08:04

  

  如今，許多工業(yè)應(yīng)用可以通過(guò)提高直流母線(xiàn)電壓，在力求功率損耗最低的同時(shí)，向更高的功率水平過(guò)渡。為滿(mǎn)足這一需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC肖特基二極管2000VG5，這是市面上首款擊穿電壓達(dá)到2000V的分立碳化硅二極管。該產(chǎn)品系列適用于直流母線(xiàn)電壓高達(dá)1500VD

  直流母線(xiàn) 肖特基二極管 英飛凌 1705瀏覽量

• 新品 | 采用OptiMOS™ 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板2024-10-24 08:03

  

  新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D²PAK7引腳封裝，是LVD可擴(kuò)展功率演示板平臺(tái)的功率部分。它是一個(gè)帶功率開(kāi)關(guān)和柵極驅(qū)動(dòng)器接口的單半橋，可輕松構(gòu)建任何基于半橋的功率拓?fù)洹Ｏ嚓P(guān)器件：IPF021N13NM6(OptiMOS6powerMOSFET135V)該系列還有各種功

  MOSFET 功率 驅(qū)動(dòng)器 1544瀏覽量