英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？2023-01-11 15:09

  

  眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅基產(chǎn)品時(shí)代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨(dú)步天下。在碳化硅的時(shí)代，市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線(xiàn)。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會(huì)干別的了嗎？非也。因?yàn)镾iC材料獨(dú)有的特性，Si

  MOSFET SiC 2489瀏覽量

• 探究快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性2023-01-11 15:09

  

  探究快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性

  二極管 MOSFET 3635瀏覽量

• 新品 | 采用IPM IM323 1500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)的評(píng)估板2023-01-11 15:09

  

  新品采用IPMIM3231500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)的評(píng)估板評(píng)估板EVAL-M1-IM323是用于IM323系列CIPOSIPM的評(píng)估，它的目標(biāo)應(yīng)用為三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)，大家電，如空調(diào)、泵、風(fēng)扇和其他變頻驅(qū)動(dòng)器。產(chǎn)品型號(hào)：EVAL-M1-IM323產(chǎn)品特點(diǎn)輸入電壓165Vac至265Vac165Vac時(shí)最大12A的輸入電流220V

  驅(qū)動(dòng) 電機(jī) 評(píng)估板 1875瀏覽量

• 通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器提高開(kāi)關(guān)電源功率密度2023-01-11 15:08

  

  作者：HubertBaierl，英飛凌科技市場(chǎng)總監(jiān)校對(duì)：柯春山英飛凌科技高級(jí)主任工程師像許多電子領(lǐng)域一樣，進(jìn)步持續(xù)發(fā)生。目前，在3.3kW開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中，產(chǎn)品效率高達(dá)98%，1U結(jié)構(gòu)尺寸，其功率密度可達(dá)100W/in³。這之所以可以實(shí)現(xiàn)是因?yàn)槲覀冊(cè)趫D騰柱PFC級(jí)中明智地選擇了超結(jié)(SJ)功率MOSFET（例如CoolMOS），碳化硅(SiC)MOSF

  電源 驅(qū)動(dòng)器 1827瀏覽量

• 探究快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性2023-01-04 09:45

  

  SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)镾iC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對(duì)于1200V SiC MOSFET來(lái)說(shuō)，輸出電容的影響較大，而PN二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨(dú)有特性以及影響體二極管關(guān)斷特性的多個(gè)影響因素，并且闡明了快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET的反向恢復(fù)損耗概

  二極管 MOSFET 3967瀏覽量

• 魚(yú)與熊掌皆可得？當(dāng)SiC MOSFET遇上2L-SRC2022-05-27 01:47

  

  引言事物皆有兩面：SiCMOSFET以更快的開(kāi)關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開(kāi)關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對(duì)一些電機(jī)控制領(lǐng)域的電機(jī)絕緣和EMI設(shè)計(jì)都帶來(lái)了額外的挑戰(zhàn)。應(yīng)用痛點(diǎn)氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機(jī)控制器功率35kW上下，轉(zhuǎn)速高達(dá)10萬(wàn)轉(zhuǎn)以上，輸出頻率可達(dá)2000Hz，調(diào)制頻率50kHz以上是

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• IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀2022-05-26 02:14

  

  什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān)，從門(mén)級(jí)信號(hào)到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開(kāi)關(guān)門(mén)太快容易擠壓手一樣，過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，時(shí)常會(huì)無(wú)奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開(kāi)關(guān)續(xù)流時(shí)反向恢復(fù)特性也會(huì)變快。以1700V/1000A

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• Tvj - IGBT元宇宙中的結(jié)溫2022-05-24 05:30

  

  ///在IGBT應(yīng)用中，結(jié)溫是經(jīng)常使用的一個(gè)參數(shù)，大部分讀者應(yīng)該都很熟悉這個(gè)概念，但是這和元宇宙有什么關(guān)系呢？我想先請(qǐng)大家考慮一個(gè)問(wèn)題：IGBT結(jié)溫到底是指具體哪兒的溫度？。。。你們是不是已經(jīng)開(kāi)始上百度搜索答案了？我在百度百科以及維基百科搜索出結(jié)溫的解釋大概是這樣的：晶體管結(jié)溫，簡(jiǎn)稱(chēng)結(jié)溫，是指半導(dǎo)體芯片內(nèi)的最高工作溫度，通常芯片的結(jié)溫會(huì)比芯片的外殼高。。。原

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• 新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT2022-05-24 05:26

  

  新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關(guān)器件：P2000DL45X1682000A4500V帶續(xù)流二極管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不帶續(xù)流二極管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar擴(kuò)展了其高

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• 如何計(jì)算驅(qū)動(dòng)芯片的desat保護(hù)時(shí)間2022-05-24 05:24

  

  SiCMOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiCMOSFET單管保證3us的短路時(shí)間，Easy模塊保證2us的短路時(shí)間，因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來(lái)具體看一下這個(gè)短而精的程度。圖1是傳統(tǒng)典型的驅(qū)動(dòng)芯片退飽和檢測(cè)原理，芯片內(nèi)置一個(gè)恒流源。功率開(kāi)關(guān)器件在門(mén)極電壓一定時(shí)，發(fā)生短路后，電流不斷增加，導(dǎo)致器件VCE電壓迅速提升

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