英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• IGBT門極驅(qū)動到底要不要負(fù)壓2022-05-13 01:25

  

  先說結(jié)論，如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計的復(fù)雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來看這個問題。IGBT是一個受門極電壓控制開關(guān)的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關(guān)，在實(shí)際使用中會產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG

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• 英飛凌精彩亮相歐洲PCIM 2022：盡享非凡功率2022-05-10 01:25

  

  PCIM歐洲始于1979年的德國紐倫堡，是全球電力電子行業(yè)的頂級展會及研討會，已有40年多年歷史。在這一行業(yè)盛會上，全球從業(yè)者齊聚一堂，展示與交流電力電子技術(shù)和應(yīng)用。來自學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的專家在這里發(fā)布最新的研究成果和新產(chǎn)品，內(nèi)容從器件、驅(qū)動控制、封裝技術(shù)到最終系統(tǒng)，涵蓋整個生態(tài)鏈。英飛凌將亮相PCIM2022（5月10日至12日，德國紐倫堡），展示功率半導(dǎo)體

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• 如何拓展IGBT驅(qū)動器電流2022-05-08 01:46

  

  功率半導(dǎo)體驅(qū)動電路是集成電路的一個重要子類，功能強(qiáng)大，用于IGBT的驅(qū)動IC除了提供驅(qū)動電平和電流，往往帶有驅(qū)動的保護(hù)功能，包括退飽和短路保護(hù)、欠壓關(guān)斷、米勒鉗位、兩級關(guān)斷、軟關(guān)斷、SRC(slewratecontrol)等，產(chǎn)品還具有不同等級的絕緣性能。但作為集成電路，其封裝決定了最大功耗，驅(qū)動IC輸出電流有的可以做到10A以上，但還是不能滿足大電流IGB

  電流 驅(qū)動器 2579瀏覽量

• 當(dāng).XT技術(shù)遇上SiC單管2022-04-30 01:57

  

  英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術(shù)的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻從350mohm到30mohm，覆蓋功率范圍最高可到20kW，產(chǎn)品目錄下圖1。圖1.英飛凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET產(chǎn)品也許您已選用測試，或許還在選型觀望，又或者正懵懂于“.XT”是個啥？不妨讀完此文，撥云見日，三站地鐵，十分鐘足

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• 怎么理解驅(qū)動芯片的驅(qū)動電流能力2022-04-28 01:33

  

  使用功率開關(guān)器件的工程師們肯定都有選擇驅(qū)動芯片的經(jīng)歷。面對標(biāo)稱各種電流能力的驅(qū)動產(chǎn)品時，往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下，總希望選擇一個剛好夠用的產(chǎn)品。以下內(nèi)容或許能給到些啟發(fā)。首先來看一下這個驅(qū)動峰值電流的定義方式。這個很重要，不同公司的產(chǎn)品往往宣傳說法不一樣，所以要參考規(guī)格書。以下圖1是英飛凌的1EDI系列產(chǎn)品的電流表。比如1EDI60I12A

  驅(qū)動器 4437瀏覽量

• 新品 | 采用950V IGBT7 S7芯片和SiC二極管的Dual-Boost Easy3B模塊2022-04-26 01:23

  

  新品1500V光伏雙面組件MPPT模塊該功率模塊是為1500V直流電壓的太陽能應(yīng)用而開發(fā)的，與雙面光伏組件兼容，功率為500W+。每個模塊都配備了3路MPPT，每路MPPT的輸入電流可達(dá)到30A。產(chǎn)品規(guī)格：FS3L200R10W3S7F_B94200A950VFS3L200R10W3S7F_B94是采用200A950VIGBT7S7和SiC二極管的Dual-

  芯片 模塊 2237瀏覽量

• 新品 | CIPOS™ Tiny 600V 15A三相IPM2022-04-23 01:42

  

  新品CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達(dá)1.5HP的逆變器產(chǎn)品規(guī)格：IM323系列的新成員是專門為家用空調(diào)和家用電器應(yīng)用設(shè)計的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達(dá)1

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• 新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品2022-04-20 01:27

  

  新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品，采用TO247封裝，建立在最先進(jìn)的溝槽柵半導(dǎo)體工藝上。經(jīng)過優(yōu)化，性能和可靠性均有進(jìn)一步提高。封裝采用.XT互連技術(shù)，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12

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• 無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動芯片技術(shù)優(yōu)勢及產(chǎn)品系列2022-04-19 01:24

  

  在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅(qū)動芯片的概覽，PN結(jié)隔離(JI)技術(shù)，SOI驅(qū)動芯片技術(shù)等非隔離的驅(qū)動技術(shù)，本文會繼續(xù)介紹英飛凌的無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動芯片技術(shù)。在隔離器件的技術(shù)上，有三種主流的隔離技術(shù)，分別是光隔離，電容隔離和變壓器隔離。顧名思義，其隔離的介質(zhì)分別是光，電場信號和磁信號，隔離器件的使用及其廣泛，從輸入輸出接口，通訊端口，到功率器件的柵極驅(qū)

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• IGBT驅(qū)動電流行為綜述2022-04-16 01:38

  

  IGBT驅(qū)動需要電流：IGBT是一種電壓驅(qū)動的電子開關(guān)，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導(dǎo)通，實(shí)際器件的驅(qū)動是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅(qū)動電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。驅(qū)動的峰值電流很好理解，按照歐姆定律，由驅(qū)動電壓和驅(qū)動電阻決定：但在小阻值驅(qū)動回路中，實(shí)際測得驅(qū)動電流一般比上述公式計算

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