引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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光刻膠為何要謀求國(guó)產(chǎn)替代？中國(guó)國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競(jìng)爭(zhēng)力？在南京半導(dǎo)體大會(huì)期間，徐州博康公司董事長(zhǎng)傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來(lái)前沿觀點(diǎn)和獨(dú)家分析。
2022-08-29 15:02:238663 
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337869 
近日，上海新陽(yáng)發(fā)布公告稱，公司自主研發(fā)的KrF（248nm）厚膜光刻膠產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)客戶認(rèn)證，并成功取得第一筆訂單，取得不錯(cuò)進(jìn)展。 ? 光刻膠用于半導(dǎo)體光刻工藝環(huán)節(jié)，是決定制造質(zhì)量的重要因素，根據(jù)曝光
2021-07-03 07:47:0026811 ，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料，目前主要被日美把控，國(guó)內(nèi)在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽(yáng)、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢(shì)，國(guó)內(nèi)廠商在光
2021-08-12 07:49:006897 電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)帶動(dòng)了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國(guó)內(nèi)關(guān)注焦點(diǎn)。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國(guó)Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:004234 厚膠量產(chǎn)到ArF浸沒(méi)式膠驗(yàn)證，從樹(shù)脂國(guó)產(chǎn)化到EUV原料突破，一場(chǎng)靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長(zhǎng)的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過(guò)中芯國(guó)際28nm產(chǎn)線驗(yàn)證，開(kāi)創(chuàng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006089 “研發(fā)+量產(chǎn)”雙軌并行模式，總產(chǎn)能達(dá)萬(wàn)噸級(jí)，是目前國(guó)內(nèi)規(guī)模領(lǐng)先的KrF光刻膠生產(chǎn)基地。產(chǎn)線集成了高自動(dòng)化控制系統(tǒng)，從原料配比到成品檢測(cè)的全流程實(shí)現(xiàn)智能化管控，不僅大幅提升了生產(chǎn)效率，更確保了產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。 ? 研發(fā)線專注于新
2025-08-10 03:26:009095 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，我國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域迎來(lái)重大突破。北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及合作者通過(guò)冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面
2025-10-27 09:13:046182 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 在芯片制造領(lǐng)域，光刻膠用光引發(fā)劑長(zhǎng)期被美日韓企業(yè)壟斷，成為制約我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵“卡脖子”技術(shù)。近日，這一局面被打破——湖北興福電子材料股份有限公司以4626.78萬(wàn)元
2025-12-17 09:16:275955 一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機(jī)就是沖洗臺(tái)，它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過(guò)刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上?！ ‘?dāng)然
2020-07-07 14:22:55
MEMS、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU8光刻膠來(lái)制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項(xiàng)新技術(shù)。在微流控芯片加工中，SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。運(yùn)用
2018-07-12 11:57:08
提高，才能符合集成工藝制程的要求 [3]。以下幾點(diǎn)為光刻膠制造中的關(guān)鍵技術(shù)：配方技術(shù)、超潔凈技術(shù)、超微量分析技術(shù)及應(yīng)用檢測(cè)能力。 制程特性要求有：涂布均勻性、靈敏度、分辨率及制程寬容度。2 光刻膠的反應(yīng)
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來(lái)將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過(guò)曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過(guò)顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺(jué)間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的標(biāo)志：NR9-PY 系列負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝；具有高效粘附性，高反應(yīng)速度并耐高溫性能好。 NR71-PY 系列 負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝，耐高溫性能好
2010-04-21 10:57:46
、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU- 8 光刻膠來(lái)制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項(xiàng)新技術(shù)。SU 8光刻膠光刻前清洗工藝：為了獲得更好的光刻效果，在進(jìn)行光刻膠旋涂之前，需要
2018-07-04 14:42:34
光刻膠的光敏材料；
2、光電繪圖儀使用光源有選擇性地對(duì)部分光刻膠進(jìn)行曝光；
3、曝光后光刻膠的化學(xué)特性發(fā)生變化，光刻膠是正片的經(jīng)過(guò)曝光后將軟化，如果光刻膠是負(fù)片的經(jīng)曝光后會(huì)變得堅(jiān)固；
4、軟化后的光刻膠
2024-06-16 11:17:27
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過(guò)程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
噴膠機(jī)是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設(shè)備?？蓪?duì)不同尺寸和形狀的基片進(jìn)行涂膠，最大涂膠尺寸達(dá)8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時(shí)可對(duì)大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行均勻涂膠；通過(guò)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制器進(jìn)行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
圖形反轉(zhuǎn)工藝用于金屬層剝離的研究研究了ＡＺ?５２１４ 膠的正、負(fù)轉(zhuǎn)型和形成適用于剝離技術(shù)的倒臺(tái)面圖形的工藝技術(shù)。用掃描電鏡和臺(tái)階儀測(cè)試制作出的光刻膠斷面呈倒臺(tái)面，傾角約為６０°，膠厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
151n光刻膠曝光顯影后開(kāi)口底部都會(huì)有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
我國(guó)導(dǎo)航電子地圖核心技術(shù)仍受制于人
在導(dǎo)航電子地圖方面，中國(guó)擁有電子地圖生產(chǎn)資質(zhì)的企業(yè)有十一家，但真正能夠提供導(dǎo)航電子地圖的只有六家左右。電子地
2010-03-25 17:50:301004 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 國(guó)外在LED封裝方面的研發(fā)力量不僅僅是集中在結(jié)構(gòu)上面，而且對(duì)封裝材料也有大力的研究。而中國(guó)主要集中在LED封裝結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)上，當(dāng)要用到某種更好的材料時(shí)，容易受制于人。
2012-11-20 15:59:162699 做到15次方就有了很好的防靜電作用。這還是我們的光刻膠材料、配方、生產(chǎn)工藝方面存在問(wèn)題。”李中強(qiáng)說(shuō)。
關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)不到要求，國(guó)內(nèi)企業(yè)始終受制于人。就拿在國(guó)際上具有一定競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力的京東方
2018-06-01 16:28:008880 國(guó)外工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的利弊值得仔細(xì)權(quán)衡，因?yàn)橐粋€(gè)不留神，工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)很有可能會(huì)成為下一個(gè)受制于人的“中國(guó)芯片”。
2018-08-29 11:11:584721 在國(guó)家政策與市場(chǎng)的雙重驅(qū)動(dòng)下，近年來(lái)，國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步向面板、半導(dǎo)體光刻膠發(fā)力……
2019-04-23 16:15:3614108 
2018年，南大光電和上海新陽(yáng)先后宣布，投入ArF光刻膠產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，立志打破集成電路制造最為關(guān)鍵的基礎(chǔ)材料之一——高檔光刻膠材料幾乎完全依賴于進(jìn)口的局面，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端光刻膠材料產(chǎn)品的空白。
2019-05-21 09:24:247863 
Mattson Technology Inc.表示，它正與歐洲IMEC合作位于比利時(shí)魯汶的微電子研發(fā)中心共同開(kāi)發(fā)新的光刻膠和殘留物去除工藝。
2019-08-13 10:15:1011186 經(jīng)開(kāi)區(qū)企業(yè)北京欣奕華科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“欣奕華”）了解到，經(jīng)過(guò)多年的行業(yè)累積和技術(shù)迭代，欣奕華在平板顯示用負(fù)性光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了量產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年將有1000噸的光刻膠交付用戶，約占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的8%。
2019-10-28 16:38:494539 今年7月17日，南大光電在互動(dòng)平臺(tái)透露，公司設(shè)立光刻膠事業(yè)部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進(jìn)“ArF光刻膠開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地實(shí)施。目前該項(xiàng)目完成的研發(fā)技術(shù)正在等待驗(yàn)收中，預(yù)計(jì)2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線，項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-12-16 13:58:528273 隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進(jìn)，光刻膠市場(chǎng)總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預(yù)計(jì)未來(lái)3年仍以年均5%的速度增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)至2022年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)100億美元。
2020-03-01 19:02:484848 在國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域，我國(guó)雖已成為半導(dǎo)體生產(chǎn)大國(guó)，但整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈仍比較落后。特別是由于國(guó)內(nèi)光刻膠廠布局較晚，半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)相較于海外先進(jìn)技術(shù)差距較大，國(guó)產(chǎn)化不足5%。在這種條件下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商積極開(kāi)展研究，如晶瑞股份的KrF光刻膠，南大光電的ArF光刻膠均取得較好的研究效果。
2020-03-06 15:40:565517 光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，大致分為L(zhǎng)CD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來(lái)看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導(dǎo)體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:396218 來(lái)源：浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹(shù)脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等
2020-09-15 14:00:1420205 技術(shù)水平與國(guó)際先進(jìn)水平仍存在較大差距，自給率僅10%，主要集中于技術(shù)含量相對(duì)較低的PCB領(lǐng)域，6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%，8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%，12寸硅片的ArF光刻膠目前尚沒(méi)有國(guó)內(nèi)企業(yè)可以大規(guī)模生產(chǎn)。 基于此，新材料在線特推出【2020年光
2020-10-10 17:40:253534 光刻膠是由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對(duì)光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過(guò)紫外光
2022-12-06 14:53:542357 明確提出，要加快新材料產(chǎn)業(yè)強(qiáng)弱項(xiàng)，加快在光刻膠、高強(qiáng)高導(dǎo)耐熱材料、耐腐蝕材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。 成立于1996年的深圳市容大感光科技股份有限公司，作為我國(guó)首批PCB感光油墨生產(chǎn)制造商之一，多年來(lái)始終堅(jiān)持自主創(chuàng)新，致力于高
2020-10-22 15:20:154894 光刻膠是微納加工過(guò)程中非常關(guān)鍵的材料。有專家表示，中國(guó)要制造芯片，光有光刻機(jī)還不夠，還得打破國(guó)外對(duì)“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564959 大光電的ArF光刻膠產(chǎn)品測(cè)試各項(xiàng)性能滿足工藝規(guī)格要求，良率結(jié)果達(dá)標(biāo)。” “ArF 光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國(guó)家 “02 專項(xiàng)”的一個(gè)重點(diǎn)攻關(guān)項(xiàng)目。本次產(chǎn)品的認(rèn)證通過(guò)，標(biāo)志著 “ArF 光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目取得了關(guān)鍵性的突破
2020-12-18 09:29:427279 ，“ArF 光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國(guó)家“02 專項(xiàng)”的一個(gè)重點(diǎn)攻關(guān)項(xiàng)目。本次產(chǎn)品的認(rèn)證通過(guò)，標(biāo)志著“ArF 光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目取得了關(guān)鍵性的突破，成為國(guó)內(nèi)通過(guò)產(chǎn)品驗(yàn)證的第一只國(guó)產(chǎn) ArF 光刻膠。? 此舉意味著國(guó)產(chǎn)193nm ArF 光刻膠產(chǎn)
2020-12-25 18:24:097828 近期，專注于電子材料市場(chǎng)研究的TECHCET發(fā)布最新統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)：2021年，半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11％，達(dá)到19億美元。
2021-03-22 10:51:126148 5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開(kāi)盤即走強(qiáng)，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚(yáng)帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:154021 在半導(dǎo)體制造方面，國(guó)內(nèi)廠商需要突破的不只是光刻機(jī)等核心設(shè)備，光刻膠也是重要的一環(huán)。而南大光電研發(fā)的高端ArF光刻機(jī)，已經(jīng)獲得了國(guó)內(nèi)某企業(yè)的認(rèn)證，可用于55nm工藝制造。 南大光電發(fā)布公告稱，控股
2021-06-26 16:32:373071 光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料，換句話說(shuō)光刻機(jī)就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0015759 摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時(shí)不需要干等離子體灰化工藝，同時(shí)保持低缺陷水平和至少相當(dāng)于記錄工藝的高產(chǎn)量性能?；一襟E的消除減少了不希望的基板損壞和材料損失，改善了周期時(shí)間，釋放
2022-03-01 14:39:432179 
類型和智能流體?配方發(fā)生反應(yīng)，將最有希望的組合進(jìn)行到第二階段進(jìn)行深入研究。后續(xù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明了通過(guò)改變工藝溫度設(shè)置和添加兆聲能來(lái)優(yōu)化工藝參數(shù)。通過(guò)目視檢查和接觸角測(cè)量來(lái)量化光刻膠剝離結(jié)果。 介紹 光刻膠材料的去
2022-03-03 14:20:05888 
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過(guò)程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對(duì)準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:021489 
?OPTOLITH模塊可對(duì)成像(imaging)，光刻膠曝光(exposure)，光刻膠烘烤（bake）和光刻膠顯影（development）等工藝進(jìn)行精確定義
2022-03-15 14:16:476293 本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細(xì)地說(shuō)，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:421659 
本文的目標(biāo)是討論一種新技術(shù)，它可以在保持競(jìng)爭(zhēng)力的首席運(yùn)營(yíng)官的同時(shí)改善權(quán)衡。 將開(kāi)發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對(duì)工藝和工具要求的理解相結(jié)合，導(dǎo)致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對(duì)晶
2022-05-07 15:11:111355 
灰化，簡(jiǎn)單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過(guò)泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:178339 光刻膠產(chǎn)品說(shuō)明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:2511 南大光電最新消息顯示，國(guó)產(chǎn)193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過(guò)國(guó)家“02專項(xiàng)”驗(yàn)收的ArF光刻膠項(xiàng)目實(shí)施主體；徐州博康宣布，該公司已開(kāi)發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列，包括
2022-08-31 09:47:142373 光刻膠的組成：樹(shù)脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對(duì)光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0423799 半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進(jìn)口依賴較重，不同品質(zhì)之間價(jià) 格差異大。以國(guó)內(nèi) PAG 對(duì)應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來(lái)看，樹(shù)脂在 光刻膠中的固含量占比約
2022-11-18 10:07:434886 此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒(méi)式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純?cè)噭┥a(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗(yàn)證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:321910 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開(kāi)發(fā)，必須通過(guò)精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開(kāi)發(fā)了一個(gè)新的工具箱來(lái)匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:122946 改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來(lái)，不再進(jìn)行濕法刻蝕，避免了側(cè)腐蝕對(duì)線條精度和膜基結(jié)合力的影響，同時(shí)，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠，避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:353493 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:112941 
為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹(shù)脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過(guò)程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測(cè)也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導(dǎo)致上萬(wàn)片12吋晶圓報(bào)廢
2023-11-27 17:15:481720 KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:501413 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們?cè)趧?b class="flag-6" style="color: red">膠時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:563929 
所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會(huì)產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素，廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細(xì)圖案制作中。其品種繁多，此次漲價(jià)涉及的KrF 光刻膠則屬高級(jí)別光刻膠，將成為各廠商關(guān)注的焦點(diǎn)。
2023-12-28 11:14:341635 光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:212819 
光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來(lái)定。比如對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景，較厚的光刻膠層能提供更長(zhǎng)的耐蝕刻時(shí)間。
2024-03-04 10:49:162061 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:189625 與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案。基于聚合物的負(fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過(guò)程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來(lái)，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:505066 
光刻膠按照種類可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時(shí)被去除，負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
2024-04-24 11:37:056645 
共讀好書 前烘對(duì)正膠顯影的影響 前烘對(duì)負(fù)膠膠顯影的影響 需要這個(gè)原報(bào)告的朋友可轉(zhuǎn)發(fā)這篇文章獲取百份資料，內(nèi)含光刻膠多份精品報(bào)告【贈(zèng)2024電子資料百份】6 月 28-30 日北京“電子化學(xué)品行業(yè)分析檢測(cè)與安全管理培訓(xùn)班”。 審核編輯 黃宇
2024-06-23 08:38:021727 
我們?cè)谑褂?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠的時(shí)候往往關(guān)注的重點(diǎn)是光刻膠的性能，但是有時(shí)候我們會(huì)忽略光刻膠的保存和壽命問(wèn)題，其實(shí)這個(gè)問(wèn)題應(yīng)該在我們購(gòu)買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且，在光刻過(guò)程中如果發(fā)現(xiàn)有異常情況發(fā)生，我們
2024-07-08 14:57:083154 圖形反轉(zhuǎn)膠是比較常見(jiàn)的一種紫外光刻膠，它既可以當(dāng)正膠使用又可以作為負(fù)膠使用。相比而言，負(fù)膠工藝更被人們所熟知。本文重點(diǎn)介紹其負(fù)膠工藝。 應(yīng)用領(lǐng)域 在反轉(zhuǎn)工藝下，通過(guò)適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">工藝參數(shù)，可以獲得底切的側(cè)壁
2024-07-09 16:06:001988 
一般光刻過(guò)程文章中簡(jiǎn)單介紹過(guò)后烘工藝但是比較簡(jiǎn)單，本文就以下一些應(yīng)用場(chǎng)景下介紹后烘的過(guò)程和作用。 化學(xué)放大正膠 機(jī)理 當(dāng)使用“正?！闭?b class="flag-6" style="color: red">膠時(shí)，曝光完成后光反應(yīng)也就完成了，但是化學(xué)放大的光刻膠需要隨后的烘烤步驟。光反應(yīng)在曝光期間開(kāi)始并在后烘環(huán)節(jié)中完
2024-07-09 16:08:433448 
評(píng)價(jià)一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能，這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度（sensitivity）是衡量曝光速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量
2024-07-10 13:43:492397 根據(jù)光刻膠的應(yīng)用工藝，我們可以采用適當(dāng)?shù)姆椒▽?duì)已顯影的光刻膠結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理以提高其化學(xué)或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來(lái)實(shí)現(xiàn)整個(gè)光刻膠結(jié)構(gòu)的熱交聯(lián)，稱為硬烘烤或者堅(jiān)膜?；蛲ㄟ^(guò)低劑量紫外線輻照
2024-07-10 13:46:592705 
為了確保光刻工藝的可重復(fù)性、可靠性和可接受性，必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中，是一種高粘度材料。根據(jù)工藝要求，有許多工藝可用于涂覆光刻膠。 旋涂是用光刻膠涂覆基材
2024-07-11 15:46:362760 存儲(chǔ)時(shí)間 正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠在存儲(chǔ)數(shù)月后會(huì)變暗，而且隨著儲(chǔ)存溫度升高而加速。因?yàn)樵擃愋?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料，在 可見(jiàn)光譜的部分具有很強(qiáng)的吸收能力，對(duì)紫外靈敏度沒(méi)有任何影響。這種變色過(guò)程
2024-07-11 16:07:491795 ？ 基底上SU-8光刻膠的圖層可以通過(guò)若干種技術(shù)來(lái)完成。最常用的技術(shù)是旋涂技術(shù)，該技術(shù)是在旋轉(zhuǎn)的基底上放置一小灘SU-8光刻膠。旋轉(zhuǎn)速度、加速度和SU-8光刻膠的黏度將會(huì)決定SU-8光刻膠層（如下簡(jiǎn)稱膠層）的厚度。 使用旋涂機(jī)來(lái)旋涂SU-8光刻膠，相比于其它技術(shù)來(lái)講，旋涂機(jī)會(huì)使
2024-08-26 14:16:011298 在微流控PDMS芯片加工的過(guò)程中，需要使用烘膠臺(tái)或者烤膠設(shè)備對(duì)SU-8光刻膠或PDMS聚合物進(jìn)行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進(jìn)行2-3次。本文簡(jiǎn)要介紹SU-8光刻膠烘烤的注意事項(xiàng)。 微流
2024-08-27 15:54:011243
原文標(biāo)題：一文看懂光刻膠的堅(jiān)膜工藝及物理特性和常見(jiàn)光刻膠
2024-11-01 11:08:073091 來(lái)源：太紫微公司 近日，光谷企業(yè)在半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破：武漢太紫微光電科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“太紫微公司”）推出的T150 A光刻膠產(chǎn)品，已通過(guò)半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)配方全自主
2024-10-17 13:22:441107 
本文介紹了光刻膠的使用過(guò)程與原理。
2024-10-31 15:59:452789 光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán)，而光刻膠，又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展，對(duì)微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng)，光刻膠的需求也水漲船高，在微電子制造和納米技術(shù)等高精尖領(lǐng)域占據(jù)著至關(guān)重要的位置。
2024-11-11 10:08:214407 
光刻膠作為掩模進(jìn)行干法刻蝕或是濕法腐蝕后，一般都是需要及時(shí)的去除清洗，而一些高溫或者其他操作往往會(huì)導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。
2024-11-11 17:06:222391 
分辨率（resolution）。區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來(lái)衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
2024-11-15 10:10:414833 
對(duì)光的敏感度。在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，光刻膠通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，將掩膜版上的圖案精確地轉(zhuǎn)移到硅片表面。 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心步驟之一。在硅片表面涂上光刻膠(負(fù)膠)后，使用特定波長(zhǎng)的光線通過(guò)掩膜版照射到光刻膠上，被
2024-12-19 13:57:362093 隨著半導(dǎo)體器件的應(yīng)用范圍越來(lái)越廣，晶圓制造技術(shù)也得到了快速發(fā)展。其中，光刻技術(shù)在晶圓制造過(guò)程中的地位尤為重要。光刻膠是光刻工藝中必不可少的材料，其質(zhì)量直接影響到晶圓生產(chǎn)的效率和質(zhì)量。本文將圍繞著晶圓
2025-01-03 16:22:061227 體。在光刻工藝過(guò)程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負(fù)性兩大類
2025-03-18 13:59:533031 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí)，精準(zhǔn)測(cè)量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531110 
，是指通過(guò)紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射，溶解度會(huì)發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關(guān)鍵材料。 從芯片生產(chǎn)的工藝流程上來(lái)說(shuō)，光刻膠的應(yīng)用處于芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)當(dāng)中的制造環(huán)節(jié)，是芯片制造過(guò)程里光刻工
2025-06-04 13:22:51998 ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
2025-06-14 09:42:56738 
引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對(duì)銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時(shí)，光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量對(duì)確保 ARRAY 制程工藝精度
2025-06-18 09:56:08696 引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48819 在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測(cè)薄膜厚度測(cè)量?jī)xAF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn)，為光刻膠厚度監(jiān)測(cè)提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461545 
光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn)：濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271289 
其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例，這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來(lái)的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進(jìn)制程芯片 時(shí)代，不僅需要EUV光刻機(jī)，更需要EUV光刻膠的參與。但在過(guò)去 國(guó)內(nèi)長(zhǎng)期依賴進(jìn)
2025-10-28 08:53:356245
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