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硅基MEMS制造技術(shù)分析

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2025-12-22 16:57:00374

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2025-12-19 15:42:04270

2025技術(shù)成果總結(jié):深耕電源管理與MEMS麥,推動(dòng)芯片國(guó)產(chǎn)化替代

華芯邦2025年通過(guò)電源管理芯片和MEMS麥的創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)多領(lǐng)域覆蓋,為終端設(shè)備提供高效、可靠的核心芯片解決方案。
2025-12-18 16:41:42287

從小眾到常備——霧化器中MEMS麥的關(guān)鍵角色

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2025-12-16 15:17:04184

藍(lán)牙耳機(jī)音質(zhì)革命:MEMS麥克風(fēng)如何重塑聽(tīng)覺(jué)體驗(yàn)?

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2025-12-11 17:26:02596

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2025-12-09 11:40:11452

MEMS真空封裝新突破:NEG薄膜技術(shù)受關(guān)注

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2025-12-05 13:11:00161

霧化器麥與藍(lán)牙耳機(jī)MEMS麥有何不同?揭秘核心區(qū)別與選型指南

本文深度解析霧化器麥與藍(lán)牙耳機(jī)MEMS麥克風(fēng)在工作原理、靈敏度、結(jié)構(gòu)封裝及可靠性等六大方面的本質(zhì)區(qū)別,為智能硬件開(kāi)發(fā)者提供專業(yè)的選型參考與技術(shù)洞察。
2025-12-04 14:56:37310

Melexis推出新型RC緩沖器MLX91299

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2025-12-03 18:18:531231

金華尚坤(銀)智能網(wǎng)聯(lián)先進(jìn)制造園啟用

11月18日上午,位于浙江婺城經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)的金華尚坤(銀)智能網(wǎng)聯(lián)先進(jìn)制造園舉辦啟用儀式;保隆科技與銀科技合資成立的浙江金華尚隆汽車電子有限公司(簡(jiǎn)稱“尚隆電子”)入駐園區(qū),正式宣布投產(chǎn)。
2025-11-21 14:59:58260

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MEMS知多少

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博世MEMS傳感器的主要應(yīng)用及明星產(chǎn)品

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2025-11-17 15:51:212230

GaN(氮化鎵)與功放芯片的優(yōu)劣勢(shì)解析及常見(jiàn)型號(hào)

中的性能差異源于材料物理特性,具體優(yōu)劣勢(shì)如下: 1. GaN(氮化鎵)功放芯片 優(yōu)勢(shì): 功率密度高:GaN 的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度(3.3 MV/cm)是的 10 倍以上,相同面積下可承受更高電壓(600V+)和電流,功率密度可達(dá)的 3-5 倍(如 100W 功率下,GaN 芯片體積僅為的 1/3)。 高
2025-11-14 11:23:573098

崛起!MEMS麥如何成為高端耳機(jī)的聲學(xué)基石?

聚焦國(guó)產(chǎn)MEMS聲麥技術(shù)突破,華芯邦MP系列以高信噪比、低失真表現(xiàn)對(duì)標(biāo)國(guó)際一線品牌,適配TWS耳機(jī)、旗艦降噪設(shè)備,為國(guó)產(chǎn)音頻產(chǎn)業(yè)提供“中國(guó)芯”硬核支撐。
2025-11-13 16:33:36703

藍(lán)牙耳機(jī)降噪核心技術(shù)解析:MEMS麥克風(fēng)如何重塑聽(tīng)覺(jué)體驗(yàn)?

深入剖析藍(lán)牙耳機(jī)中MEMS麥克風(fēng)的技術(shù)優(yōu)勢(shì),從微型化設(shè)計(jì)到射頻抗干擾能力,解讀索尼、Jabra等品牌如何通過(guò)多麥克風(fēng)陣列實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)降噪。結(jié)合瑞聲科技70dB高信噪比芯片案例,揭示國(guó)產(chǎn)MEMS突破對(duì)行業(yè)的影響,文末揭秘華芯邦研發(fā)方向。
2025-11-06 16:04:14458

第23次蟬聯(lián)PV Tech組件制造商可融資性最高評(píng)級(jí)

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2025-11-06 11:27:27750

美新半導(dǎo)體亮相2025中國(guó)MEMS制造大會(huì)

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左藍(lán)微電子亮相2025中國(guó)MEMS制造大會(huì)

近日,為期三天的2025第六屆中國(guó)MEMS制造大會(huì)在蘇州國(guó)際博覽中心隆重舉行,大會(huì)匯聚了來(lái)自國(guó)內(nèi)外權(quán)威行業(yè)協(xié)會(huì)、科研院所、知名企業(yè)的代表,以及高校專家學(xué)者等500余位MEMS產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)軍人物。在這
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以光為引,創(chuàng)“芯”未來(lái) | 2025第四屆半導(dǎo)體光電及激光智能制造技術(shù)會(huì)議暨光電子技術(shù)論壇在蘇州圓滿落

2025年10月22日至23日,為期2天的“2025第四屆半導(dǎo)體光電及激光智能制造技術(shù)會(huì)議暨光電子技術(shù)論壇”在蘇州國(guó)際博覽中心成功舉辦。本次會(huì)議由度亙核芯光電技術(shù)(蘇州)股份有限公司主辦,長(zhǎng)三角
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2025-10-20 18:04:04598

完整版議程公布 | 2025第四屆半導(dǎo)體光電及激光智能制造技術(shù)會(huì)議暨光電子技術(shù)論壇,誠(chéng)邀蒞臨!

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上揚(yáng)軟件啟動(dòng)視涯科技12英寸OLED全自動(dòng)產(chǎn)線CIM系統(tǒng)項(xiàng)目

近日,上揚(yáng)軟件正式啟動(dòng)了視涯科技12 英寸 OLED 全自動(dòng)產(chǎn)線CIM(計(jì)算機(jī)集成制造)軟件系統(tǒng)。此次項(xiàng)目啟動(dòng),標(biāo)志著上揚(yáng)軟件在微顯示這一戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域再次取得突破,將以高度自動(dòng)化的智能制造能力,助力視涯科技鞏固并擴(kuò)大其在AR/VR和可穿戴設(shè)備核心器件市場(chǎng)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
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解鎖化合物半導(dǎo)體制造新范式:端到端良率管理的核心力量

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2025-10-14 09:19:17656

即將召開(kāi) | 2025第四屆半導(dǎo)體光電及激光智能制造技術(shù)光電子技術(shù)論壇

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羅姆亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化鎵及器件引領(lǐng)功率半導(dǎo)體創(chuàng)新

、EcoGaN?氮化鎵系列、功率器件(含二極管、MOSFET、IGBT)以及豐富的應(yīng)用案例,憑借卓越的技術(shù)參數(shù)、創(chuàng)新的封裝設(shè)計(jì)和廣泛的應(yīng)用適配能力,引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。電子發(fā)燒友網(wǎng)作為受邀行業(yè)媒體,現(xiàn)場(chǎng)參觀走訪ROHM的展臺(tái),與技術(shù)人員深入交流。以下是記者了解的展示產(chǎn)品梳理。 碳化硅(SiC)模塊
2025-09-29 14:35:1812442

4H-SiC薄膜電阻在高溫MEMS芯片中的應(yīng)用?|?電阻率溫度轉(zhuǎn)折機(jī)制分析

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尋北儀作為確定真北方向的核心設(shè)備,曾是龐大、昂貴且專屬于高端軍事與科研領(lǐng)域的精密儀器。然而,隨著MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的成熟,尋北儀正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的變革。ER-MNS-06A作為采用
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簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)MEMS晶圓級(jí)電鍍技術(shù)

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MEMS封裝的需求與優(yōu)化方案

封裝技術(shù)雖源于微電子封裝技術(shù),兩者存在一定共性,但 MEMS 器件因包含微機(jī)械結(jié)構(gòu),且對(duì)力隔離、真空環(huán)境、氣密性等方面有特殊要求,使其封裝與微電子封裝存在顯著差異。
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智能完成數(shù)億元 D 輪融資 司馬華鵬:要從“賣(mài)工具”到“賣(mài)結(jié)果”

近日,南京?– AIGC?數(shù)字人獨(dú)角獸企業(yè)南京智能科技集團(tuán)股份有限公司(簡(jiǎn)稱「智能」)近日宣布完成數(shù)億元人民幣?的?D?輪融資,投資方為嘉興高新區(qū)產(chǎn)業(yè)基金。本輪融資將主要用于核心技術(shù)研發(fā)投入
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TSV工藝中的晶圓減薄與銅平坦化技術(shù)

本文主要講述TSV工藝中的晶圓減薄與銅平坦化。 晶圓減薄與銅平坦化作為 TSV 三維集成技術(shù)的核心環(huán)節(jié),主要應(yīng)用于含銅 TSV 互連的減薄芯片制造流程,為該技術(shù)實(shí)現(xiàn)短互連長(zhǎng)度、小尺寸、高集成度等特性提供了重要支撐。
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基于OLED的微顯示器作為一種先進(jìn)的微顯示技術(shù),有時(shí)被稱為OLED(OLEDoS),它突出了OLED技術(shù)與基于半導(dǎo)體(CMOS)的硅片的集成,超越了傳統(tǒng)OLED技術(shù)的核心原理,在擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)(XR
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第22次蟬聯(lián)AAA最高評(píng)級(jí)

再傳捷報(bào)!近日,光伏行業(yè)權(quán)威分析機(jī)構(gòu)PV Tech發(fā)布2025年第二季度組件制造商可融資性評(píng)級(jí)報(bào)告,隆憑借卓越的綜合實(shí)力,第22次蟬聯(lián)AAA最高評(píng)級(jí)。
2025-08-05 09:44:101035

推拉力測(cè)試機(jī)詳解:WLP封裝焊球剪切與拉脫測(cè)試全流程

隨著半導(dǎo)體封裝技術(shù)向微型化、高密度方向發(fā)展,晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging, WLP)已成為先進(jìn)封裝技術(shù)的重要代表。WLP封裝因其優(yōu)異的電氣性能、小型化優(yōu)勢(shì)和高可靠性,在
2025-08-04 14:33:08820

芯片制造中的鍵合技術(shù)詳解

鍵合技術(shù)是通過(guò)溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學(xué)鍵,實(shí)現(xiàn)不同材料(如-、-玻璃)原子級(jí)結(jié)合的核心工藝,起源于MEMS領(lǐng)域并隨SOI制造、三維集成需求發(fā)展,涵蓋直接鍵合(如SiO
2025-08-01 09:25:591761

新品 | 針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和模塊

新品針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACKCoolSiC1200V和模塊英飛凌推出針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK2B模塊,采用六單元配置,通過(guò)AQG324認(rèn)證。一個(gè)模塊采用
2025-07-31 17:04:34835

是德科技/Keysight 86107A 精密時(shí)參考模塊

是德科技(Keysight) 86107A 精密時(shí)參考模塊86107A 精密時(shí)參考模塊利用這個(gè)精密時(shí)參考模塊,能夠?qū)?10 Gb/s 以上的電信號(hào)和 20 Gb/s 以上的光信號(hào)進(jìn)行精確的抖動(dòng)
2025-07-28 17:43:48

一文詳解絕緣體上技術(shù)

絕緣體上(SOI)技術(shù)作為集成電路領(lǐng)域的重要分支,其核心特征在于通過(guò)埋氧層(BOX)實(shí)現(xiàn)有源層與襯底的電學(xué)隔離,從而賦予場(chǎng)效應(yīng)晶體管獨(dú)特的電學(xué)特性。
2025-07-28 15:27:552021

基于懸空納米薄膜微盤(pán)諧振腔的CO?傳感器

近日,天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院的光子芯片實(shí)驗(yàn)室與深圳大學(xué)合作,研發(fā)了一種基于懸空納米薄膜(suspended nanomembrane silicon,SNS)微盤(pán)諧振腔的CO?傳感器
2025-07-22 11:03:56854

MEMS制造中玻璃的刻蝕方法

MEMS中,玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學(xué)穩(wěn)定性及可鍵合性(如與陽(yáng)極鍵合),常被用作襯底、封裝結(jié)構(gòu)或微流體通道基板。玻璃刻蝕是制備這些微結(jié)構(gòu)的核心工藝,需根據(jù)精度要求、結(jié)構(gòu)尺寸及玻璃類型選擇合適的方法,玻璃刻蝕主要分為濕法腐蝕和干法刻蝕兩大類。
2025-07-18 15:18:011490

MEMS中的三種測(cè)溫方式

在集成MEMS芯片的環(huán)境溫度測(cè)量領(lǐng)域,熱阻、熱電堆和PN結(jié)原理是三種主流技術(shù)。熱阻是利用熱敏電阻,如金屬鉑或注入的溫度電阻系數(shù)恒定,即電阻隨溫度線性變化的特性測(cè)溫,電阻變化直接對(duì)應(yīng)絕對(duì)溫度,需恒流源供電。
2025-07-16 13:58:031426

聚智姑蘇,共筑光電子產(chǎn)業(yè)新篇 — “光電子技術(shù)及應(yīng)用”暑期學(xué)校圓滿落幕!

盛夏姑蘇,群賢薈萃。2025年7月7日至10日,由度亙核芯光電技術(shù)(蘇州)股份有限公司主辦,西交利物浦大學(xué)協(xié)辦,愛(ài)杰光電科技有限公司承辦的“光電子技術(shù)及應(yīng)用”暑期學(xué)校,在蘇州西交利物浦大學(xué)北校區(qū)
2025-07-11 17:01:271014

MEMS陀螺儀正在取代光纖陀螺儀?

一、微型科技巨匠:MEMS陀螺儀揭秘 何謂MEMSMEMS(微機(jī)電系統(tǒng))是融合了微電子與微機(jī)械的神奇技術(shù)。它能在指甲蓋大小的芯片上集成復(fù)雜的傳感器、執(zhí)行器和處理電路,實(shí)現(xiàn)微觀世界的數(shù)據(jù)感知
2025-07-08 16:45:36777

多晶在芯片制造中的作用

在芯片的納米世界中,多晶(Polycrystalline Silicon,簡(jiǎn)稱Poly-Si) 。這種由無(wú)數(shù)微小晶粒組成的材料,憑借其可調(diào)的電學(xué)性能與卓越的工藝兼容性,成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的“多面手”。
2025-07-08 09:48:112966

安泰高壓功率放大器在MEMS微機(jī)電系統(tǒng)中的應(yīng)用研究

MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))微機(jī)電系統(tǒng)是一種將微型機(jī)械結(jié)構(gòu)與電子電路集成在同一芯片上的高科技技術(shù),其尺寸通常在幾毫米甚至更小,內(nèi)部結(jié)構(gòu)可達(dá)微米甚至納米量級(jí)。MEMS系統(tǒng)融合了光刻、腐蝕、薄膜、LIGA、
2025-07-04 15:02:02528

國(guó)產(chǎn)MEMS聲學(xué)傳感器微型化趨勢(shì),華芯邦核心技術(shù)突破助力“中國(guó)智造”

MEMS麥克風(fēng)元件集成芯片市場(chǎng)長(zhǎng)期被英飛凌、樓氏等國(guó)際企業(yè)壟斷。近年來(lái)國(guó)產(chǎn)廠商快速崛起,如深圳市華芯邦科技有限公司2014年切入傳感器研發(fā)已形成溫濕度、MEMS氣流傳感器及聲學(xué)麥克風(fēng)等產(chǎn)品矩陣
2025-06-25 10:34:35628

MEMS制造領(lǐng)域中光刻O(píng)verlay的概念

MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))制造領(lǐng)域,光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay(套刻精度),則是衡量光刻機(jī)將不同層設(shè)計(jì)圖案對(duì)準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。光刻 Overlay 指的是芯片制造過(guò)程中,前后兩次光刻工藝形成的電路圖案之間的對(duì)準(zhǔn)精度。
2025-06-18 11:30:491557

瑞之辰MEMS傳感器在工業(yè)控制領(lǐng)域的智能解決方案

,為工業(yè)控制、新能源、電網(wǎng)、家用家電等領(lǐng)域輸出一系列MEMS傳感器智能解決方案,助力產(chǎn)業(yè)升級(jí)與智能化轉(zhuǎn)型。創(chuàng)新產(chǎn)品亮點(diǎn),精準(zhǔn)賦能工業(yè)控制瑞之辰基于MEMS傳感
2025-06-10 17:12:201337

模擬麥還是數(shù)字?解碼智能終端聲學(xué)傳感器的‘芯’選擇

主流技術(shù)分支,各有其適用場(chǎng)景和技術(shù)特點(diǎn),本文將從技術(shù)屬性、應(yīng)用場(chǎng)景及廠商產(chǎn)品布局三個(gè)維度展開(kāi)分析,并結(jié)合華芯邦科技在MEMS麥領(lǐng)域的技術(shù)突破與產(chǎn)品矩陣,為開(kāi)發(fā)者提供選型參考。 ?一、數(shù)字麥克風(fēng)與模擬麥克風(fēng)的技術(shù)特性對(duì)比
2025-06-06 17:49:511207

時(shí)代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?

,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和平面高壓MOS
2025-05-30 16:24:03932

為什么芯片制造常用P型

從早期的平面 CMOS 工藝到先進(jìn)的 FinFET,p 型襯底在集成電路設(shè)計(jì)中持續(xù)被廣泛采用。為什么集成電路的制造更偏向于P型?
2025-05-16 14:58:301011

PanDao:制造成本影響分析軟件工具

摘要 . 本文介紹了一款名為“PanDao”的新軟件工具,專為光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員打造。該工具能夠在設(shè)計(jì)階段模擬出最佳的制造流程和所需技術(shù),并對(duì)設(shè)計(jì)參數(shù)和公差的制造成本影響進(jìn)行分析。 在光學(xué)系統(tǒng)的生成
2025-05-12 08:55:43

PanDao:光學(xué)制造鏈設(shè)計(jì)

了一種新型的軟件工具,可以將可生產(chǎn)性分析制造鏈優(yōu)化集成到光學(xué)設(shè)計(jì)過(guò)程中(見(jiàn)圖2b)。PanDao通過(guò)讀取ISO 10110標(biāo)準(zhǔn)中描述的透鏡參數(shù)和公差,并考慮360多種光學(xué)制造技術(shù),以最低成本生成輸出
2025-05-12 08:51:43

聯(lián)想集團(tuán)聘請(qǐng)首位員工 “聯(lián)想樂(lè)享壹號(hào)”機(jī)器人上崗

在2025聯(lián)想創(chuàng)新科技大會(huì)(Tech World)上,聯(lián)想集團(tuán)正式聘請(qǐng)了首位員工 “聯(lián)想樂(lè)享壹號(hào)”機(jī)器人,董事長(zhǎng)兼CEO楊元慶現(xiàn)場(chǎng)為其掛上了聯(lián)想的工牌;“聯(lián)想樂(lè)享壹號(hào)”機(jī)器人正式到崗上班。 據(jù)悉,“聯(lián)想樂(lè)享壹號(hào)”機(jī)器人是首款搭載聯(lián)想樂(lè)享超級(jí)智能體的機(jī)器人。 ?
2025-05-07 14:12:25923

PanDao:光學(xué)設(shè)計(jì)中的制造風(fēng)險(xiǎn)管理

是通過(guò)對(duì)其加工參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)分析確定的。 1.簡(jiǎn)介 在光學(xué)制造技術(shù)中,可預(yù)測(cè)且穩(wěn)定的制造工藝對(duì)成本與質(zhì)量進(jìn)行可靠管理至關(guān)重要。本文闡述了針對(duì)特定光學(xué)元件與系統(tǒng),如何來(lái)確定光學(xué)制造鏈中應(yīng)采用的最佳光學(xué)制造技術(shù)
2025-05-07 09:01:47

再次刷新晶-鈣鈦礦疊層電池轉(zhuǎn)換效率世界紀(jì)錄

近日,經(jīng)美國(guó)國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)認(rèn)證,隆自主研發(fā)的晶-鈣鈦礦兩端疊層電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到34.85%,再次刷新晶-鈣鈦礦疊層電池轉(zhuǎn)換效率世界紀(jì)錄。消息一出,關(guān)于隆“量產(chǎn)一代、研發(fā)一代、儲(chǔ)備一代”的產(chǎn)品研發(fā)體系再次引發(fā)行業(yè)關(guān)注和討論。
2025-04-27 14:01:01872

從晶圓到芯片:MEMS傳感器是這樣被制造出來(lái)的!(20+高清大圖)

? ? MEMS技術(shù)深刻地影響了現(xiàn)代傳感器的發(fā)展,是傳感器小型化、低功耗、智能化的關(guān)鍵技術(shù),由MEMS技術(shù)制造MEMS傳感器在各種傳感器中占據(jù)重要份額。 ? 其中, MEMS芯片和ASIC芯片是一
2025-04-25 11:54:243289

浮思特 | 從到寬禁帶:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

近年來(lái),電力電子技術(shù)取得了重大進(jìn)展。從電動(dòng)汽車到可再生能源系統(tǒng),逆變器在直流電轉(zhuǎn)換為交流電的過(guò)程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。傳統(tǒng)上,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等功率器件因其可靠性和成熟的制造體系,長(zhǎng)期
2025-04-25 11:34:35801

MEMS聲敏傳感器分類與應(yīng)用

等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了廣闊的應(yīng)用前景。本文將帶您深入了解MEMS聲敏傳感器的分類與應(yīng)用,探索這個(gè)微型化聲音世界的奧秘。 ? 一、MEMS聲敏傳感器的分類 MEMS聲敏傳感器,又稱MEMS麥克風(fēng),是一種利用MEMS技術(shù)制造的聲學(xué)傳感器,能夠捕捉并轉(zhuǎn)換聲
2025-04-17 16:50:241308

芯片制造中的應(yīng)變技術(shù)介紹

本文介紹了在芯片制造中的應(yīng)變技術(shù)的原理、材料選擇和核心方法。
2025-04-15 15:21:342737

打破單結(jié)晶光伏電池轉(zhuǎn)換效率世界紀(jì)錄

近日,隆自主研發(fā)的太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率再獲關(guān)鍵性突破,將單結(jié)晶光伏電池的極限探索推向新高度。
2025-04-15 14:56:27864

最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測(cè)

。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測(cè)量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11

半導(dǎo)體材料發(fā)展史:從到超寬禁帶半導(dǎo)體的跨越

半導(dǎo)體:與鍺的奠基時(shí)代 時(shí)間跨度: 20世紀(jì)50年代至70年代 核心材料: (Si)、鍺(Ge) (Si) 鍺(Ge) 優(yōu)勢(shì): ①成本低廉:是地殼中含量第二的元素,原材料豐富且提純技術(shù)成熟。 ②工藝成熟:基于的集成電路制造技術(shù)高度
2025-04-10 15:58:562601

芯片制造中的多晶介紹

多晶(Polycrystalline Silicon,簡(jiǎn)稱Poly)是由無(wú)數(shù)微小晶粒組成的非單晶材料。與單晶(如襯底)不同,多晶的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間,晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:453610

MEMS麥傳感器未來(lái)趨勢(shì)與技術(shù)演進(jìn)方向

MEMS麥傳感器已廣泛應(yīng)用于智能音箱、TWS耳機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品中,成為這些設(shè)備的核心組件。本文將探討MEMS麥傳感器在消費(fèi)電子領(lǐng)域的應(yīng)用及其重要性。
2025-04-02 11:47:171038

碳化硅VSIGBT:誰(shuí)才是功率半導(dǎo)體之王?

在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊作為當(dāng)前市場(chǎng)上
2025-04-02 10:59:415532

意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能

科在中國(guó)的制造產(chǎn)能。 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司 意法半導(dǎo)體 (簡(jiǎn)稱ST)與8英寸高性能低成本氮化鎵(GaN-on-Si)制造全球領(lǐng)軍企業(yè) 英諾賽科 ,共同宣布簽署了一項(xiàng)氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各
2025-04-01 10:06:023806

【「芯片通識(shí)課:一本書(shū)讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】了解芯片怎樣制造

工藝:光刻膠除膠,蝕刻未被保護(hù)的SiO2,顯影,除膠。 材料:晶圓,研磨拋光材料,光按模板材料。光刻膠,電子化學(xué)品。工業(yè)氣體,靶材,封裝材料 硅片制造:單晶棒拉制,棒切片,硅片研磨拋光,硅片氧化
2025-03-27 16:38:20

表面貼裝技術(shù)(SMT):推動(dòng)電子制造的變革

在現(xiàn)代電子制造領(lǐng)域,表面貼裝技術(shù)(SMT)已成為實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)品小型化、高性能化和高可靠性的重要技術(shù)。SMT通過(guò)將傳統(tǒng)的電子元器件壓縮成體積更小的器件,實(shí)現(xiàn)了電子產(chǎn)品組裝的高密度、高可靠、小型化和低成本
2025-03-25 20:55:52

瞄準(zhǔn)1.6T光模塊,ST推新一代技術(shù)

目前都處于產(chǎn)品轉(zhuǎn)化階段,計(jì)劃將在ST位于法國(guó)克羅爾 300 毫米晶圓廠投產(chǎn)。 ? 技術(shù)是一種基于材料和襯底(如SiGe/Si、SOI等)的光電集成技術(shù),通過(guò)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝制造光子器件和光電器件,將光信號(hào)與電信號(hào)集成在同一芯片上
2025-03-22 00:02:002892

深入解析光子芯片制造流程,揭秘科技奇跡!

在信息技術(shù)日新月異的今天,光子芯片制造技術(shù)正逐漸成為科技領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。作為“21世紀(jì)的微電子技術(shù)”,光子集成技術(shù)不僅融合了電子芯片與光子芯片的優(yōu)勢(shì),更以其獨(dú)特的高集成度、高速率、低成本等
2025-03-19 11:00:022673

微型傳感革命:國(guó)產(chǎn)CMOS-MEMS單片集成技術(shù)MEMS Speaker破局

=(電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道)在萬(wàn)物互聯(lián)與智能硬件的浪潮下,傳感器微型化、高精度化正成為產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心驅(qū)動(dòng)力。MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))與CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)的深度融合,被視為突破傳統(tǒng)傳感
2025-03-18 00:05:002541

探索MEMS傳感器制造:晶圓劃片機(jī)的關(guān)鍵作用

MEMS傳感器晶圓劃片機(jī)技術(shù)特點(diǎn)與應(yīng)用分析MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))傳感器晶圓劃片機(jī)是用于切割MEMS傳感器晶圓的關(guān)鍵設(shè)備,需滿足高精度、低損傷及工藝適配性等要求。以下是相關(guān)技術(shù)特點(diǎn)、工藝難點(diǎn)及國(guó)產(chǎn)化
2025-03-13 16:17:45859

碳化硅(SiC)MOSFET替代IGBT常見(jiàn)問(wèn)題Q&A

碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)鏈都日趨完善,國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅在
2025-03-13 11:12:481579

集成電路技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)

作為半導(dǎo)體材料在集成電路應(yīng)用中的核心地位無(wú)可爭(zhēng)議,然而,隨著科技的進(jìn)步和器件特征尺寸的不斷縮小,集成電路技術(shù)正面臨著一系列挑戰(zhàn),本文分述如下:1.集成電路的優(yōu)勢(shì)與地位;2.材料對(duì)CPU性能的影響;3.材料的技術(shù)革新。
2025-03-03 09:21:491385

光通信技術(shù)的原理和基本結(jié)構(gòu)

本文介紹了光芯片的發(fā)展歷史,詳細(xì)介紹了光通信技術(shù)的原理和幾個(gè)基本結(jié)構(gòu)單元。
2025-02-26 17:31:391982

國(guó)產(chǎn)電容式MEMS壓力傳感器得到實(shí)現(xiàn)

壓力芯片擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),已獲10項(xiàng)專利授權(quán),從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)的每個(gè)環(huán)節(jié)均在國(guó)內(nèi)完成,實(shí)現(xiàn)了MEMS電容式壓力芯片領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化替代,突破了國(guó)外對(duì)電容式壓力芯片設(shè)計(jì)制造的卡脖子技術(shù),解決了國(guó)外專利知識(shí)產(chǎn)權(quán)的卡脖子問(wèn)題,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)技術(shù)空白,芯片通
2025-02-19 12:43:411286

午芯芯科技國(guó)產(chǎn)電容式MEMS壓力傳感器芯片突破卡脖子技術(shù)

從設(shè)計(jì)到生產(chǎn),包括原材料,全部國(guó)產(chǎn)化,無(wú)任何外資,不受國(guó)外技術(shù)或價(jià)格影響,供應(yīng)穩(wěn)定。3.后續(xù)會(huì)推出加速度計(jì)、陀螺儀、麥等產(chǎn)品午芯芯科技WXP380 是電容式 MEMS 壓力傳感器芯片,具有低功耗、低
2025-02-19 12:19:20

汽車底盤(pán)高效點(diǎn)焊技術(shù)分析與應(yīng)用

制造業(yè)。本文將從點(diǎn)焊技術(shù)的基本原理出發(fā),分析其在汽車底盤(pán)制造中的應(yīng)用特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì),并探討如何通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)一步提高點(diǎn)焊技術(shù)的應(yīng)用效果。 點(diǎn)焊是一種電阻焊接方法,其
2025-02-19 09:55:53769

MEMS工藝制造中的首要挑戰(zhàn):揭秘頭號(hào)大敵

MEMS技術(shù)發(fā)展中的一個(gè)重要問(wèn)題,MEMS 器件中的殘余應(yīng)力會(huì)對(duì)器件的性能以及可靠性產(chǎn)生重要影響。根據(jù)其產(chǎn)生的原因,一般可將殘余應(yīng)力分為本征應(yīng)力和熱失配應(yīng)力兩大類。本征應(yīng)力的成因比較復(fù)雜,主要是由于晶格失配引起的,而熱失配應(yīng)力是由于不
2025-02-17 10:27:131196

GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng),引領(lǐng)科技新紀(jì)元

中的未來(lái)前景。 如今,電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問(wèn)道: 現(xiàn)在應(yīng)該從功率開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開(kāi)關(guān)了嗎? 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng) MOSFET 有許多優(yōu)勢(shì)。GaN 是寬帶隙半導(dǎo)體,可以讓功率開(kāi)關(guān)在高溫下工作并實(shí)現(xiàn)高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高
2025-02-11 13:44:551177

量子芯片可以代替芯片嗎

量子芯片與芯片在技術(shù)和應(yīng)用上存在顯著差異,因此量子芯片是否可以完全代替芯片是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題。以下是對(duì)這一問(wèn)題的詳細(xì)分析
2025-01-27 13:53:001942

新型的二硒化鉑-異質(zhì)集成波導(dǎo)模式濾波器

(Mode-division multiplexing, MDM)技術(shù)進(jìn)行了廣泛探索。另一方面,基于二維材料-異質(zhì)集成光電器件具有寬光譜響應(yīng)、可調(diào)諧帶隙、高工作帶寬
2025-01-24 11:29:131345

一分鐘了解MEMS技術(shù)的前世今生 #MEMS技術(shù) #華芯邦 #MEMS傳感器 #

MEMS傳感器
孔科微電子發(fā)布于 2025-01-20 17:01:09

智能焊接數(shù)據(jù)分析設(shè)備提升制造精度與效率

隨著工業(yè)4.0的推進(jìn),智能制造成為制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的重要方向。在這一過(guò)程中,焊接技術(shù)作為機(jī)械制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其精度和效率直接影響到產(chǎn)品的質(zhì)量與生產(chǎn)成本。傳統(tǒng)的焊接方式依賴于人工操作,存在焊接質(zhì)量
2025-01-14 09:36:56819

新原理與新結(jié)構(gòu):基于分離波導(dǎo)交叉的MEMS光開(kāi)關(guān)及陣列

switch based on split waveguide crossings(基于分離波導(dǎo)交叉的MEMS光開(kāi)關(guān))”的研究論文。 傳統(tǒng)光開(kāi)關(guān)工作機(jī)制是:基于折射率的微小變化進(jìn)行模式耦合或模式干涉狀態(tài)
2025-01-14 09:24:441914

玻璃芯片先進(jìn)封裝技術(shù)會(huì)替代Wafer先進(jìn)封裝技術(shù)

封裝方式的演進(jìn),2.5D/3D、Chiplet等先進(jìn)封裝技術(shù)市場(chǎng)規(guī)模逐漸擴(kuò)大。 傳統(tǒng)有機(jī)基板在先進(jìn)封裝中面臨晶圓翹曲、焊點(diǎn)可靠性問(wèn)題、封裝散熱等問(wèn)題,封裝晶體管數(shù)量即將達(dá)技術(shù)極限。 相比于有機(jī)基板,玻璃基板可顯著改善電氣和機(jī)械性能,
2025-01-09 15:07:143193

電容系列一:電容概述

電容是一種采用了作為材料,通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)制造的電容,和當(dāng)前的先進(jìn)封裝非常適配
2025-01-06 11:56:482197

為什么80%的芯片采用晶圓制造

? 本文詳細(xì)介紹了作為半導(dǎo)體材料具有多方面的優(yōu)勢(shì),包括良好的半導(dǎo)體特性、高質(zhì)量的晶體結(jié)構(gòu)、低廉的成本、成熟的加工工藝和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。這些因素使得成為制造芯片的首選材料。 我們今天看到80%以上
2025-01-06 10:40:402391

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