本文以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來定位漏電失效的SiC MOSFET芯片,并與OBIRCH對比定位效果,然后用FIB做定點截面切割,觀察到金屬化薄膜鋁條被熔斷。
案例分析:
據(jù)客戶反饋,應(yīng)用于新能源汽車SiC MOSFET器件芯片部分出現(xiàn)電學失效現(xiàn)象:共16個器件,其中5個正常,11個失效。其中失效情況:芯片漏電,及部分芯片燒毀。
金鑒工程師隨機抽取其中一個漏電失效MOS管器件芯片樣品進行初步漏電失效分析。
測試樣品發(fā)射率,更精準測溫:
調(diào)整芯片發(fā)射率后利用金鑒顯微紅外熱點定位測試系統(tǒng)測得樣品熱點溫度為70 ℃,A點溫度為56 ℃。
測試原理:精密半導體器件存在缺陷異?;蛐阅懿患训那闆r下,通常會表現(xiàn)出異常局部功耗分布,最終會導致局部溫度升高。金鑒顯微紅外熱點定位系統(tǒng)利用新型高分辨率微觀缺陷定位技術(shù)進行熱點鎖定(lock in) ,可快速而準確地探測細微缺陷(異常點)位置。
OBIRCH在顯示SiC芯片漏電點上的效果一樣,但是價格卻大大降低。
對熱點進行FIB切割分析:
我們觀察到此發(fā)熱點金屬化薄膜鋁條被熔斷。
存在缺陷或性能不佳的半導體器件通常會表現(xiàn)出異常的局部功耗分布,最終會導致局部溫度增高。金鑒顯微紅外熱點定位測試系統(tǒng)利用熱點鎖定技術(shù),可準確而高效地確定這些關(guān)注區(qū)域的位置。在SiC Mos等功率器件分析中,可用來確定線路短路、ESD擊穿等。該測試技術(shù)是在自然周圍環(huán)境下執(zhí)行的,無需液氮制冷和遮光箱。
責任編輯:tzh
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