摘要 本文從晶體生長(zhǎng)科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動(dòng)力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢(shì)壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級(jí)。對(duì)金剛石晶體結(jié)構(gòu)的分析表明，晶面是該
2022-01-25 13:51:11
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結(jié)構(gòu)。因此，<100>硅的各向異性蝕刻是普通基于MEMS的技術(shù)中實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵過(guò)程。這些結(jié)構(gòu)包括晶體管的v形凹槽、噴墨的小孔和MEMS壓力傳感器的隔膜。實(shí)際的反應(yīng)機(jī)理尚不清楚，該過(guò)程
2022-03-08 14:07:252479 
的使用量，同時(shí)在PR去除效果方面被評(píng)價(jià)為與現(xiàn)有SPM溶液（硫酸/過(guò)氧化氫混合液）工藝相當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)。但是臭氧水工藝是臭氧氣體對(duì)水的溶解度低、水中擴(kuò)散阻力大的根本制約因素，以目前國(guó)內(nèi)外技術(shù)水平的低PR去除性能
2022-03-16 11:53:151635 
的蝕刻溶液內(nèi)進(jìn)行蝕刻。（圖3、圖4） 在連接到陽(yáng)兢的半導(dǎo)體硅基板上，將連接到陰極的鉑線纏繞在夾子上的鉑電極對(duì)向，在夾子中放入氮?dú)馀菖荩ㄟ^(guò)該泡泡注入地素的半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，一種半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，使氮?dú)馀菽髋c
2022-03-24 16:47:484409 
在本研究中，我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來(lái)防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒(méi)有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計(jì)，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:493096 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過(guò)將無(wú)水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實(shí)現(xiàn)方法，描述了一種通過(guò)將氮?dú)馔ㄟ^(guò)高頻水溶液而引入高頻蒸汽的系統(tǒng)。
2022-04-11 16:41:191960 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過(guò)無(wú)損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對(duì)硅的選擇性蝕刻，通過(guò)原子精密的AFM可以檢測(cè)到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011908 
本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單技術(shù)，通過(guò)使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一起使用的某些溶液的蝕刻各向異性大于600∶1
2022-05-05 10:59:151463 
為了闡明蝕刻殘留物的形成機(jī)理，研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響，我們發(fā)現(xiàn)在氧的存在下，蝕刻殘留物形成良好，這表明蝕刻殘留物是由氧和非揮發(fā)性乳化硅化合物的反應(yīng)
2022-05-06 15:49:501922 
在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究來(lái)解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會(huì)出現(xiàn)不同形狀的底切前沿。
2022-05-24 14:27:263001 
本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴?b class="flag-6" style="color: red">硅微米和納米鰭的形成。通過(guò)濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來(lái)沉積二氧化硅，以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:162154 
蝕刻機(jī)理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強(qiáng)含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因?yàn)椴煌娴腟i原子
2022-07-11 16:07:222920 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說(shuō)，它們?cè)谀承┓较蛏系?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
PCB，電路板，基板上面如何出現(xiàn)電路呢？這就要蝕刻來(lái)實(shí)現(xiàn)。所謂蝕刻，先在板子外層需保留的銅箔部分，也就是電路的圖形部分，在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層，一層
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過(guò)程分為兩類：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡(jiǎn)要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
具有高反應(yīng)能力的技術(shù)秘訣 ),可見(jiàn)一價(jià)銅離子的影響是不小的。將一價(jià)銅由5000ppm降至50ppm，蝕刻速率會(huì)提高一倍以上。 由于蝕刻反應(yīng)過(guò)程中生成大量的一價(jià)銅離子，又由于一價(jià)銅離子總是與氨的絡(luò)合
2018-11-26 16:58:50
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號(hào)：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。確定了幾個(gè)可能影響粘附的因素，并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) (DOE) 方法來(lái)研究所選因素的影響和相互作用。確定的最顯著的附著力改進(jìn)是在光刻膠涂層之前立即加入天然氧化物蝕刻。除了提高附著力外，這種預(yù)涂層處理
2021-07-06 09:39:22
鏡面硅結(jié)構(gòu)時(shí)，表面的平滑度和蝕刻速率是關(guān)鍵參數(shù)。我們展示了一種從單晶硅創(chuàng)建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側(cè)壁。該技術(shù)使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
摘要：在印制電路制作過(guò)程中，蝕刻是決定電路板最終性能的最重要步驟之一。所以，研究印制電路的蝕刻過(guò)程具有很強(qiáng)的指導(dǎo)意義，特別是對(duì)于精細(xì)線路。本文將在一定假設(shè)的基礎(chǔ)上建立模型，并以流體力學(xué)為理論基礎(chǔ)
2018-09-10 15:56:56
印制電路板的蝕刻可采用以下方法: 1 )浸入蝕刻; 2) 滋泡蝕刻; 3) 潑濺蝕刻; 4) 噴灑蝕刻?！ ∮捎趪姙?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻的產(chǎn)量和細(xì)紋分辨率高，因此它是應(yīng)用最為廣泛的一項(xiàng)技術(shù)。 1 浸入
2018-09-11 15:27:47
別研究開(kāi)發(fā)成功并首先在該站應(yīng)用，還經(jīng)過(guò)多次技術(shù)改造日趨成熟完備，取得了非常良好的經(jīng)濟(jì)效益和環(huán)境、社會(huì)效益，為保障深圳經(jīng)濟(jì)與環(huán)境的協(xié)調(diào)持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn)。1998年，其中的硫酸銅、堿性蝕刻液生產(chǎn)技術(shù)
2018-11-26 16:49:52
產(chǎn)品都含有價(jià)銅離子的特殊配位基(一些復(fù)雜的溶劑)﹐其作用是降低一價(jià)銅離子(產(chǎn)品具有高反應(yīng)能力的技術(shù)秘訣)﹐可見(jiàn)一價(jià)銅離子的影響是不小的。 將一價(jià)銅由5000ppm降至50ppm,蝕刻速率即提高一倍以上
2017-06-23 16:01:38
本文將介紹和比較在硅光電子領(lǐng)域中使用的多種激光器技術(shù)，包括解理面、混合硅激光器和蝕刻面技術(shù)。我們還會(huì)深入探討用于各種技術(shù)的測(cè)試方法，研究測(cè)試如何在推動(dòng)成本下降和促進(jìn)硅光子技術(shù)廣泛普及的過(guò)程中發(fā)揮重要作用。
2021-05-08 08:14:10
晶片與工作臺(tái)面間的空間小，氣體噴出凹槽噴出的氣體對(duì)蝕刻液會(huì)形成阻力，造成蝕刻液回滲太少，去除晶片邊緣上的硅針效果不佳?！ 榱丝朔F(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是為了解決上述問(wèn)題而提供一種晶片邊緣的蝕刻
2018-03-16 11:53:10
,臭氧質(zhì)量濃度的控制還沒(méi)有找到更好的方法,如果臭氧濃度過(guò)高,不僅會(huì)加大設(shè)備造價(jià),同時(shí)又會(huì)對(duì)人體有危害,而臭氧濃度太小,又難以達(dá)到滿意效果.所以將現(xiàn)代檢測(cè)控制技術(shù)應(yīng)用于臭氧發(fā)生設(shè)備系統(tǒng)中,實(shí)現(xiàn)臭氧質(zhì)量濃度的有效控制是一個(gè)值得研究的課題.
2011-03-04 14:12:09
濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過(guò)程，該過(guò)程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見(jiàn)的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問(wèn)題歡迎提問(wèn)，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
, 實(shí)驗(yàn)室研究, 干式制程的微細(xì)加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.離子蝕刻機(jī) 4 IBE 技術(shù)規(guī)格型號(hào)4 IBE樣品數(shù)量尺寸4”φ
2022-11-07 16:30:42
綜述了1986 年以來(lái)輔助電極型硅傳感器的開(kāi)發(fā)研制與應(yīng)用情況,包括輔助電極材料的選擇及其優(yōu)缺點(diǎn),提出了對(duì)輔助電極材料的改進(jìn)意見(jiàn),認(rèn)為今后開(kāi)展輔助電極與被測(cè)熔體中元素(如碳)
2009-07-02 08:48:12
15 基于頻率跟蹤型PWM控制的臭氧發(fā)生器電源的研究
1 概述
臭氧的強(qiáng)氧化能力和殺菌能力使其在水處理、化學(xué)氧化、食品加工和醫(yī)療衛(wèi)生
2009-07-04 11:43:252829 
印制線路板的蝕刻技術(shù)
2009-09-08 14:53:52618 
印制電路板的蝕刻設(shè)備和技術(shù)
印制電路板的蝕刻可采用以下方法:
1 )浸入蝕刻;
2) 滋泡蝕刻;
3)
2009-11-18 08:54:212815
汽車氧吧的臭氧濃度 臭氧濃度表示了汽車氧吧產(chǎn)生臭氧的能力，是指單位體積內(nèi)臭氧的重量之和
2010-01-04 14:00:461012 大功率臭氧發(fā)生器逆變電源的研究與設(shè)計(jì)，下來(lái)看看。
2016-03-28 15:01:4146 用于測(cè)試橡膠及其制品的耐臭氧老化性能。大氣中的臭氧含量很少，卻是橡膠龜裂的主要因素，臭氧老化試驗(yàn)箱模擬和強(qiáng)化大氣中的臭氧條件，研究臭氧對(duì)橡膠的作用規(guī)律，快速鑒定和評(píng)價(jià)橡膠抗臭氧老化性能和抗臭氧劑防護(hù)效能，從而采取有效的防老化措施，以提高橡膠制品的使用壽命。
2019-06-12 16:38:30880 人們對(duì)臭氧的認(rèn)識(shí)是從臭氧消毒殺菌中獲得的。臭氧消毒技術(shù)由德國(guó)化學(xué)家C．F ．舍爾邦于1840年發(fā)明，并于1856年用于水處理和消毒行業(yè)。目前，臭氧已經(jīng)廣泛應(yīng)用于水處理、空氣凈化、食品加工、醫(yī)療、醫(yī)藥、水產(chǎn)養(yǎng)殖等領(lǐng)域，極大地促
2020-10-26 10:28:363920 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對(duì)蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈，僅此而已。在PCB制造過(guò)程中，如果要精確地
2021-04-12 13:48:0046455 
臭氧老化試驗(yàn)箱 臭氧老化箱模擬和強(qiáng)化大氣中的臭氧條件，研究臭氧對(duì)織物色牢度的作用規(guī)律，快速鑒定和評(píng)價(jià)織物抗臭氧色牢度性能的方法。 臭氧試驗(yàn)箱由臭氧控制系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、濕度控制系統(tǒng)組成:臭氧
2021-06-03 14:38:081435 單晶硅的各向異性蝕刻是硅器件和微結(jié)構(gòu)加工中經(jīng)常使用的技術(shù)。已經(jīng)制造的三角形和矩形凹槽、棱錐體、薄膜和微孔，它們?cè)谄骷杏泻艽蟮膽?yīng)用。
2021-12-17 15:26:071452 
低損耗硅波導(dǎo)和有效的光柵耦合器來(lái)將光耦合到其中。通過(guò)使用各向異性濕法蝕刻技術(shù)，我們將側(cè)壁粗糙度降低到1.2納米。波導(dǎo)沿[112]方向在絕緣體上硅襯底上形成圖案。
2021-12-22 10:17:211405 引言 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:351043 
引言 陶瓷很難蝕刻。它們的化學(xué)惰性使它們非常穩(wěn)定，并且通常需要熱蝕刻技術(shù)來(lái)獲得它們的微結(jié)構(gòu)。我們介紹一項(xiàng)旨在簡(jiǎn)化陶瓷蝕刻過(guò)程的技術(shù)。 陶瓷有著廣泛的應(yīng)用，從簡(jiǎn)單的絕緣材料到非常復(fù)雜的外科植入物，如
2021-12-23 16:38:271068 引言 通過(guò)在含有H2O2的HF溶液中蝕刻，在兩步工藝中對(duì)商用硅太陽(yáng)能電池進(jìn)行紋理化。銀納米粒子作為催化位點(diǎn)，有助于蝕刻過(guò)程。確定了在表面制備納米孔的蝕刻時(shí)間。利用光譜儀測(cè)量了硅太陽(yáng)能電池表面納米結(jié)構(gòu)
2022-01-04 17:15:351141 
不可預(yù)測(cè)地改變了蝕刻劑的質(zhì)量。 為了解決成分變化的問(wèn)題，研究開(kāi)始了確定一種可靠的分析蝕刻劑的方法。當(dāng)分析程序最終確定時(shí)，將建立一個(gè)控制程序，其中蝕刻劑成分將保持盡可能接近一個(gè)固定的值。經(jīng)過(guò)嘗試的各種分析技術(shù)，
2022-01-07 16:47:461281 
上降低了(100)和(h11)面的蝕刻速率。 為了在低氫氧化鉀濃度下獲得低粗糙度的(100)表面，蝕刻溶液必須含有飽和水平的異丙醇。在我們的研究中，我們研究了異丙醇濃度對(duì)具有不同晶體取向的硅襯底的蝕刻速率和表面形態(tài)的影響。還研究了氫氧化鉀濃度對(duì)(
2022-01-13 13:47:262752 
引言 我們?nèi)A林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過(guò)在1100°C下快速熱退火，提高了反應(yīng)
2022-01-17 16:21:48754 
介紹 在本文中，我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過(guò)使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究
2022-01-20 16:46:481197 
介紹 本文通過(guò)詳細(xì)的動(dòng)力學(xué)研究，闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對(duì)硅的濕式化學(xué)蝕刻的機(jī)理。蝕刻實(shí)驗(yàn)后，我們進(jìn)行進(jìn)行了化學(xué)分析并研究了蝕刻速率與溫度、蝕刻劑的硅含量利用率和攪拌速度的函數(shù)關(guān)系
2022-01-24 15:41:132458 
等離子體輔助刻蝕的基礎(chǔ)簡(jiǎn)單；使用氣體輝光放電來(lái)離解和離子化相對(duì)穩(wěn)定的分子，形成化學(xué)反應(yīng)性和離子性物質(zhì)，并選擇化學(xué)物質(zhì)，使得這些物質(zhì)與待蝕刻的固體反應(yīng)，形成揮發(fā)性產(chǎn)物。等離子體蝕刻可分為單晶片和分批
2022-02-14 15:22:072393 
我們?nèi)A林科納使用K2S2O8作為氧化劑來(lái)表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術(shù)。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產(chǎn)生了光滑的高質(zhì)量蝕刻表面，同時(shí)通過(guò)原子力顯微鏡測(cè)量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:551186 
在 KOH 水溶液中進(jìn)行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對(duì)蝕刻速率已通過(guò)光學(xué)干涉測(cè)量法使用掩膜樣品進(jìn)行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60 時(shí) 1–5 M
2022-03-04 15:07:091824 
摘要 微機(jī)電系統(tǒng)中任意三維硅結(jié)構(gòu)的微加工可以用灰度光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)以及干各向異性蝕刻。 在本研究中，我們研究了深反應(yīng)離子蝕刻（DRIE）的使用和蝕刻的裁剪精密制造的選擇性。 對(duì)硅負(fù)載、O2階躍的引入、晶
2022-03-08 14:42:571476 
在本文中，我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過(guò)使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成，隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機(jī)理，雖然沒(méi)有完全理解，將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:421074 
通過(guò)使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快，但可能會(huì)在掩模下蝕刻以形成圓形?？梢愿_地控制各向異性蝕刻，并且可以產(chǎn)生具有精確尺寸的直邊。在每種
2022-03-09 16:48:343460 
緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 由于這一過(guò)程中所涉及的酸具有很高的健康風(fēng)險(xiǎn)，建議用戶使用在執(zhí)行工藝之前，請(qǐng)仔細(xì)閱讀材料安全數(shù)據(jù)表。
2022-03-10 16:43:352248 
了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43852 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過(guò)無(wú)損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對(duì)硅的選擇性蝕刻，通過(guò)原子精密的AFM可以檢測(cè)到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18954 
使用酸性或氟化物溶液對(duì)硅表面進(jìn)行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對(duì)浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散、減重、蝕刻速率、表面形貌和結(jié)晶性
2022-03-18 16:43:111211 
本研究為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中金屬雜質(zhì)的方法。
2022-03-21 16:15:07739 
在本文章中，研究了球形試樣的尺寸參數(shù)，以確定哪種尺寸允許可靠地測(cè)量各向異性蝕刻中的方向依賴性，然后進(jìn)行了一系列的實(shí)驗(yàn)，測(cè)量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個(gè)涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00966 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:344201 
本文章將對(duì)表面組織工藝優(yōu)化進(jìn)行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時(shí)間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽(yáng)能電池量產(chǎn)工藝。本研究在多晶晶片表面組織化
2022-03-25 16:33:491013 
本文介紹了我們?nèi)A林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅，樣品在250~1000nm波長(zhǎng)下的吸收率接近90%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，氮化硅膜作為掩模濕蝕刻技術(shù)制備黑硅是可行的，比飛秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:591360 
本研究根據(jù)蝕刻條件的變化，對(duì)蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進(jìn)行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物性值變化時(shí)的噴霧特性，并考察了與蝕刻特性的相互關(guān)系。
2022-04-07 16:16:39907 
引言 硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層，進(jìn)行化學(xué)蝕刻，在硅晶片的制造工序中，使
2022-04-08 17:02:102777 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22717 
硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層，進(jìn)行化學(xué)蝕刻，在硅晶片的制造工序中，使共有
2022-04-12 15:28:161531 
硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對(duì)角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對(duì)上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對(duì)所有種類的硅晶片進(jìn)行蝕刻預(yù)處理，特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:461415 
本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無(wú)論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān)，缺陷相關(guān)，由于表面存在的氧化層，還是由于有機(jī)殘差。
2022-04-18 16:36:05913 
本文研究了通過(guò)光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非常快速地響應(yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護(hù)下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來(lái)進(jìn)行的。事實(shí)上，與通常
2022-04-22 14:04:191138 
為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中消除金屬雜質(zhì)的方法。
2022-04-24 14:59:231124 
拋光的硅片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過(guò)切片將單晶硅錠切成圓盤(pán)(晶片)，然后進(jìn)行稱為研磨的平整過(guò)程，該過(guò)程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷通過(guò)蝕刻是本文的重點(diǎn)。在準(zhǔn)備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:371285 
金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上，如硅晶片，而無(wú)需使無(wú)電鍍工藝進(jìn)行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究中，研究了在氫氟酸溶液中蝕刻作為硅晶片化學(xué)鍍前
2022-04-29 15:09:061103 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度，用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑
2022-05-05 16:37:364132 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過(guò)臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測(cè)量，確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率，通過(guò)
2022-05-06 15:50:39939 
在使用低溫卡盤(pán)的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率和輪廓的改進(jìn)，并且新的結(jié)果顯示，在5 μm
2022-05-11 15:46:191455 
我們介紹了在氫氧化鉀溶液中蝕刻的車輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測(cè)量。數(shù)據(jù)表明，當(dāng)使用貨車輪圖案時(shí)，存在反應(yīng)物耗盡效應(yīng)，這掩蓋了真實(shí)的表面反應(yīng)速率限制的蝕刻速率。與以前的報(bào)道相反，從受反應(yīng)物傳輸
2022-05-11 16:30:56659 
我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響，通過(guò)對(duì)比試驗(yàn)，評(píng)價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理，各種表面圖案的制造被證明與控制尖端痕跡劃傷。 蝕刻時(shí)間
2022-05-20 16:37:453558 
本文講述了我們?nèi)A林科納研究了M111N蝕刻速率最小值的高度，以及決定它的蝕刻機(jī)制，在涉及掩模的情況下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模結(jié)處的成核的影響，以這種方式影響蝕刻或生長(zhǎng)速率的結(jié)可以被
2022-05-20 17:12:591881 
引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機(jī)理。首先，確定控制底切的蝕刻前沿的晶面，并測(cè)量它們的蝕刻速率。然后，基于測(cè)量數(shù)據(jù)，檢驗(yàn)了凸角補(bǔ)償技術(shù)
2022-06-10 17:03:482252 
高效交錯(cuò)背接觸(IBC)太陽(yáng)能電池有助于減少太陽(yáng)能電池板的面積，以提供足夠的家庭消費(fèi)能源。我們認(rèn)為，即使在20μm的厚度下，借助光捕獲方案，適當(dāng)鈍化的IBC電池也能保持20%的效率。在這項(xiàng)工作中，光刻和蝕刻技術(shù)被用于對(duì)厚度小于20μm的晶硅(cSi)晶片的深度蝕刻。
2022-06-28 11:20:261 在本研究中，我們?nèi)A林科納研究了在液晶顯示(LCD)技術(shù)中常用的蝕刻劑中相同的ITO薄膜的蝕刻速率，保持浴液溫度恒定，并比較了含有相同濃度的酸的溶液，對(duì)ITO在最有趣的解決方案中的行為進(jìn)行了更詳細(xì)的研究，試圖闡明這些浴液中的溶解機(jī)制。
2022-07-04 15:59:582966 
臭氧是目前空氣污染源中最常見(jiàn)的一種。臭氧雖然來(lái)去無(wú)蹤，但對(duì)健康的危害不容忽視。臭氧濃度達(dá)到50%ppb(十億分率，1ppb也就是十億分之一)，人就會(huì)開(kāi)始出現(xiàn)鼻粘膜和咽喉粘膜的影響，隨著濃度的增加
2022-11-21 15:20:594646 硅光(SiliconPhotonics)技術(shù)是指用成熟的硅基工藝，在硅基底上直接蝕刻或集成電芯片、調(diào)制器、探測(cè)器、光柵耦合器、光波導(dǎo)、合分波器、環(huán)形器等器件。
2022-12-13 11:20:261884 金屬蝕刻是一種通過(guò)化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過(guò)程組成。不同的蝕刻劑對(duì)不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強(qiáng)度。
2023-03-20 12:23:438844 拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤(pán)（晶片），然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過(guò)程，包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:001595 
蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽(yáng)能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:122602 
過(guò)去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過(guò)程，測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:403202 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:112991 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過(guò)鋁基和硅基載流子來(lái)研究蝕刻過(guò)程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:541476 
關(guān)鍵詞：氫能源技術(shù)材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:169529 
是最常用的一種原理，它利用臭氧在紫外波段具有特定吸收特性的原理，通過(guò)光譜技術(shù)來(lái)測(cè)量臭氧濃度。 二、臭氧檢測(cè)儀的應(yīng)用領(lǐng)域 1. 環(huán)境監(jiān)測(cè) 環(huán)境監(jiān)測(cè)部門(mén)使用臭氧檢測(cè)儀對(duì)大氣中的臭氧濃度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，以評(píng)估空氣質(zhì)量。通過(guò)長(zhǎng)
2023-06-26 16:48:242225 蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03922 
臭氧老化試驗(yàn)箱是一種專門(mén)用于模擬和測(cè)試材料在臭氧環(huán)境下的老化性能的設(shè)備。這種設(shè)備廣泛應(yīng)用于橡膠、塑料、涂料等高分子材料的研究、生產(chǎn)和質(zhì)量控制等領(lǐng)域。本文將介紹臭氧老化試驗(yàn)箱的基本原理、技術(shù)
2023-08-22 10:16:311830 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過(guò)等離子體刻蝕來(lái)完成
2023-12-01 17:02:391593 
過(guò)程中起著重要的作用。這種制造過(guò)程通常需要與埋著的SiGe薄膜接觸。與這些埋地區(qū)域接觸需要蝕刻硅并在薄薄的SiGe層中停止。 因此，為了實(shí)現(xiàn)精確的圖案轉(zhuǎn)移，我們需要一種可控蝕刻的方法。不幸的是，針對(duì)SiGe選擇性的RIE技術(shù)尚未被發(fā)現(xiàn)。幸運(yùn)的是
2023-12-28 10:39:511694 
蝕刻時(shí)間和過(guò)氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過(guò)氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:451302 
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