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CSD95373BQ5M 同步降壓 NexFET 功率級(jí),CSD95373BQ5M

數(shù)據(jù):

描述

CSD95373BQ5M NexFET?智能功率級(jí)的設(shè)計(jì)針對(duì)高功率,高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器中的使用進(jìn)行了高度優(yōu)化。此產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器IC和功率MOSFET以實(shí)現(xiàn)功率級(jí)開關(guān)功能。該組合可在5mm x 6mm小型封裝中實(shí)現(xiàn)高電流,高效率以及高速切換功能。它還集成了準(zhǔn)確電流感測(cè)和溫度感測(cè)功能,以簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并且提高準(zhǔn)確度。此外,PCB封裝已經(jīng)過優(yōu)化,可幫助減少設(shè)計(jì)時(shí)間并簡化總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

特性

  • 持續(xù)工作電流可達(dá)45A
  • 25A電流下系統(tǒng)效率高達(dá)92.7%
  • 25A
  • 支持強(qiáng)制連續(xù)模式(FCCM)的二極管仿真模式
  • 溫度補(bǔ)償雙向電流感測(cè)
  • 模擬溫度輸出(0°C時(shí)600mV)
  • 故障監(jiān)控
    • 高端短路,過流和過熱保護(hù)
    • < /ul>
    • 3.3V和5V脈寬調(diào)制(PWM)信號(hào)兼容
    • 三態(tài)PWM輸入
    • 集成型自舉二極管
    • < li>用于擊穿保護(hù)的經(jīng)優(yōu)化死區(qū)時(shí)間
    • 高密度5mm×6mm SON封裝
    • 超低電感封裝
    • 系統(tǒng)已優(yōu)化的PCB封裝
    • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn) - 無鉛引腳鍍層
    • 無鹵素

    所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?功率 MOSFET 模塊

?
VDS (V)
Power Loss (W)
Ploss Current (A)
ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
Configuration
Package (mm)
Operating Temperature Range (C)
Pin/Package
CSD95373BQ5M
20 ? ?
2.6 ? ?
25 ? ?
45 ? ?
PowerStage ? ?
SON5x6 PowerStage ? ?
-55 to 150 ? ?
12LSON-CLIP ? ?

方框圖 (1)

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
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