優(yōu)勢和特點(diǎn)

2個匹配12位DAC集成于單個芯片之中

采用0.3" 24引腳DIP窄體封裝

直接并行加載所有12位數(shù)據(jù)，提高數(shù)據(jù)吞吐量

12位端點(diǎn)線性度（±1/2 LSB全溫度范圍）

2個DAC均具有片內(nèi)鎖存器

+5V至+15V單電源供電

DAC間匹配達(dá)到0.2%（典型值）

四象限乘法

提高的防靜電能力

提供裸片形式

產(chǎn)品詳情

DAC-8221在一個CMOS芯片中集成了2個相同的12位乘法數(shù)模轉(zhuǎn)換器。該器件中電氣性能上與DAC-8212類似，其微處理器接口時序性能得到了提升，采用窄體0.300" DIP封裝。單芯片結(jié)構(gòu)可在整個工作溫度范圍內(nèi)提供良好的DAC-DAC匹配和跟蹤能力。DAC-8221同2個薄膜R-2R電阻梯形網(wǎng)絡(luò)、2個12位數(shù)據(jù)鎖存器、1個12位輸入緩沖和控制邏輯構(gòu)成。DAC-8221采用單電源供電，電壓范圍為+5V至+15V。當(dāng)邏輯電平為0V和+5V且電源電壓為+5V時，最大功耗不到0.5mW。DAC-8221基于一種先進(jìn)的氧化物隔離、硅門極CMOS工藝，采用PMI高度穩(wěn)定的薄膜電阻制成。PMI改進(jìn)型防閂鎖設(shè)計消除了采用外部保護(hù)肖特基二極管的需要。

利用一個共用12位（TTL/CMOS兼容）輸入端口將一個12位寬數(shù)據(jù)字載入兩個DAC之一。該端口的數(shù)據(jù)加載結(jié)構(gòu)與RAM的寫入周期類似，直接與多數(shù)12位系統(tǒng)或更寬的總線系統(tǒng)接口。當(dāng)WR和CS線路處于邏輯低電平時，輸入數(shù)據(jù)寄存器透明。這樣，直接無緩沖數(shù)據(jù)可以直接流向由DAC A/DAC B控制輸入選擇的DAC輸出端。