FGA30N65SMD 650 V 30 A 場(chǎng)截止IGBT
數(shù)據(jù)：
數(shù)據(jù)表：FGA30N65SMDCN-D.pdf
飛兆半導(dǎo)體的場(chǎng)截止第二代IGBT新系列采用新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)，為太陽能逆變器，UPS，焊機(jī)，感應(yīng)加熱，通訊，ESS和PFC等低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗至關(guān)重要的應(yīng)用提供最佳性能。
| 特性 |
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- 正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)運(yùn)行
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- 低飽和電壓：V CE（sat） = 1.98 V（典型值）@ I C = 30
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電路圖、引腳圖和封裝圖
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