此P溝道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種高密度工藝專為最大限度地降低低柵極驅(qū)動(dòng)條件下的通態(tài)電阻而定制。 該器件特別為電池供電應(yīng)用設(shè)計(jì)，例如筆記本電腦和手機(jī)。 該器件即使在柵極驅(qū)動(dòng)電壓低至2.5V時(shí)仍具有出色的通態(tài)電阻。

• -25V、-0.46A（連續(xù)值）、-1.5A（峰值） RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V，RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。
• 柵極驅(qū)動(dòng)電平要求極低，從而可在3V電路中直接運(yùn)行。 VGS(th) < 1.5V。
• 柵-源齊納二極管增強(qiáng)耐靜電放電(ESD)能力。 >6kV人體模型。
• 緊湊的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-23表面貼裝封裝。