雙N&P溝道邏輯電平增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管采用了飛兆半導(dǎo)體專有的高單元密度、DMOS技術(shù)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)，以替代雙極數(shù)字晶體管和小信號MOSFETS。 由于不需要偏壓電阻，該雙通道數(shù)字FET可取代數(shù)個具有不同偏壓電阻值的數(shù)字晶體管。

• N溝道 0.50 A、25 V、R
• = 0.45 Ω @ V
• = 4.5 V、 R
• = 0.60 Ω @ V
• = 2.7 V。
• P溝道 -0.41 A、-25 V、 R
• = 1.1 Ω @ V
• = -4.5 V、R
• = 1.5 Ω @ V
• = -2.7 V。
• 超小封裝外形SC70-6。
• 極低的柵極驅(qū)動要求允許3V電路的直接運(yùn)行(V
• < 1.5 V)。
• 柵-源齊納二極管增強(qiáng)耐靜電放電(ESD)能力（>6kV人體模型）。