FDG6303N 雙N溝道數(shù)字FET
數(shù)據(jù)：
FDG6303Ndatasheet.pdf
產(chǎn)品信息
這些雙N溝道邏輯電平增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆半導(dǎo)體專有的高電池密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)，以替代雙極數(shù)字晶體管和小信號(hào)MOSFETS。
- 25V、0.50A（連續(xù)值）、1.5A（峰值）。
- R
- = 0.45 Ω @ V
- = 4.5 V，
- R
- = 0.60 Ω @ V
- = 2.7 V。
- 電平柵極驅(qū)動(dòng)要求極低，從而可在3V電路中直接運(yùn)行(V
- < 1.5 V)。
- 柵-源齊納二極管增強(qiáng)耐靜電放電(ESD)能力（>6kV人體模型）。
- 緊湊的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SC70-6表面貼裝封裝。
