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PID效應(yīng)是一種在組件上面加上高強(qiáng)度負(fù)電壓而使組件性能降低的現(xiàn)象。在過去的幾十年里，由于系統(tǒng)偏壓而引起組件功率大幅衰減，有的衰減甚至超過50%， 而從組件外觀上卻看不到任何缺陷。傳統(tǒng)晶硅組件的認(rèn)證是根據(jù)IEC61215 和IEC 61730標(biāo)準(zhǔn)來進(jìn)行測(cè)試，而在這標(biāo)準(zhǔn)之中缺少了對(duì)組件長(zhǎng)期可靠性評(píng)估的相關(guān)要求。德國(guó)肖特太陽能、德國(guó)Q-CELL公司、SOLON公司等均宣布稱其組 件通過PID測(cè)試，其組件屬于抗PID型。
所謂PID測(cè)試，將組件連接到1000伏特的電壓上，在一定的溫度和濕度條件下，連續(xù)通電一定的時(shí)間，最后監(jiān)測(cè)組件的前后功率的衰減和EL。
PID
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