資料介紹
TGL2767—SM是使用QORVO生產(chǎn)0.15UM GaAs pHEMT過程(QPHT15)的一種封裝的寬帶電壓可變衰減器。工作在2×31 GHz時,TGL2767—SM提供了20分貝的衰減范圍,在參考狀態(tài)下具有2 dB的插入損耗。TGL2667—SM的寬帶性能允許它成為多個雷達(dá)和通信頻段的單一解決方案,以及電子戰(zhàn)、儀器儀表和其他一般的基于RF的應(yīng)用。
TGL27 67 - SM完全匹配到50歐姆,并提供了一個小的3×3毫米表面貼裝封裝。這一點,連同使用標(biāo)準(zhǔn)的控制和參考電壓,允許用戶以最小的努力將TGL27 67—SM集成到他們的系統(tǒng)中。
無鉛和符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
評估板可根據(jù)要求提供。




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