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VDMOS 是微電子技術(shù)和電力電子技術(shù)融和起來的新一代功率半導(dǎo)體器件。因具有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、負(fù)溫度系數(shù)、低驅(qū)動功率、制造工藝簡單等一系列優(yōu)點(diǎn)，在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。目前，國際上已形成規(guī)?；a(chǎn)，而我國在 VDMOS 設(shè)計(jì)領(lǐng)域則處于起步階段。 本文首先闡述了 VDMOS 器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，描述和分析了器件設(shè)計(jì)中各種電性能參數(shù)和結(jié)構(gòu)參數(shù)之間的關(guān)系。通過理論上的經(jīng)典公式來確定
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