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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子教材>華為的邏輯電平接口設(shè)計(jì)規(guī)范

華為的邏輯電平接口設(shè)計(jì)規(guī)范

2019-09-18 | pdf | 2.49 MB | 次下載 | 1積分

資料介紹

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是華為的邏輯電平接口設(shè)計(jì)規(guī)范。

  本規(guī)范介紹了在硬件開發(fā)過程中會(huì)涉及到的各類邏輯電平,如 TTL、CMOS、 ECL、LVDS、GTL 等,解釋了它們的輸入輸出特性、各種接口參數(shù)以及設(shè)計(jì)時(shí)要注意的問題等。

  制定此規(guī)范的目的在于指導(dǎo)研發(fā)人員在硬件開發(fā)中如何進(jìn)行邏輯電平接口設(shè)計(jì),并同時(shí)實(shí)現(xiàn)硬件開發(fā)的技術(shù)資源的共享,從而提高研發(fā)人員開發(fā)的效率和開發(fā)的質(zhì)量。

  本規(guī)范適用于公司所有的產(chǎn)品。

  JEDEC:Joint Electron Device Engineering Council,聯(lián)合電子設(shè)備工程協(xié)會(huì)。邏輯電平:有 TTL、CMOS、ECL、PECL、GTL;RS232RS422、LVDS 等。

  邏輯電平的一些概念

  要了解邏輯電平的內(nèi)容,首先要知道以下幾個(gè)概念的含義:

  1:輸入高電平(VIH): 保證邏輯門的輸入為高電平時(shí)所允許的最小輸入高電平,當(dāng)輸入電平高于 VIH 時(shí),則認(rèn)為輸入電平為高電平。

  2:輸入低電平(VIL):保證邏輯門的輸入為低電平時(shí)所允許的最大輸入低電平,當(dāng)輸入電平低于 VIL 時(shí),則認(rèn)為輸入電平為低電平。

  3:輸出高電平(VOH):保證邏輯門的輸出為高電平時(shí)的輸出電平的最小值,邏輯門的輸出為高電平時(shí)的電平值都必須大于此 VOH。

  4:輸出低電平(VOL):保證邏輯門的輸出為低電平時(shí)的輸出電平的最大值,邏輯門的輸出為低電平時(shí)的電平值都必須小于此 VOL。

  5:閥值電平(VT): 數(shù)字電路芯片都存在一個(gè)閾值電平,就是電路剛剛勉強(qiáng)能翻轉(zhuǎn)作時(shí)的電平。它是一個(gè)界于 VIL、VIH 之間的電壓值,對(duì)于 CMOS 電路的閾值電平,基本上是二分之一的電源電壓值,但要保證穩(wěn)定的輸出,則必須要求輸入高電平》 VIH,輸入低電平 VIH 》 VT 》 VIL 》 VOL。

  6:IOH:邏輯門輸出為高電平時(shí)的負(fù)載電流(為拉電流)。

  7:IOL:邏輯門輸出為低電平時(shí)的負(fù)載電流(為灌電流)。

  8:IIH:邏輯門輸入為高電平時(shí)的電流(為灌電流)。

  9:IIL:邏輯門輸入為低電平時(shí)的電流(為拉電流)。 扇出能力也就是輸出驅(qū)動(dòng)能力,通常用驅(qū)動(dòng)同類器件的數(shù)量來衡量。 TTL:扇出能力一般在 10 左右。

  CMOS:靜態(tài)時(shí)扇出能力達(dá) 1000 以上,但 CMOS 的交流(動(dòng)態(tài))扇出能力沒有這樣高,要根據(jù)工作頻率和負(fù)載電容來考慮決定。限制因素是輸入信號(hào)上升時(shí)間:本身輸出電阻和下級(jí)輸入電容形成積分電路影響輸入信號(hào)的上升時(shí)間(輸入信號(hào)從低電平上升到 VIH min 所需時(shí)間),實(shí)際電路當(dāng)中,盡量使被驅(qū)動(dòng)輸入端限制在 10 以內(nèi)。 ECL:由于 ECL 的工作速度高,考慮到負(fù)載電容的影響,ECL 的扇出一般限制在 10 以內(nèi)。

  門電路輸出極在集成單元內(nèi)不接負(fù)載電阻而直接引出作為輸出端,這種形式的門稱為開路門。開路的 TTL、CMOS、ECL 門分別稱為集電極開路(OC)、漏極開路

CMOS 接口 邏輯門
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