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當(dāng)前，隨著大功率IGBT模塊的應(yīng)用愈來愈普遍，尤其是在軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車、新能源發(fā)電等領(lǐng)域擁有至關(guān)重要的作用，成為目前世界學(xué)術(shù)界及T業(yè)領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。對于集成式的功率模塊來說，工作時(shí)其內(nèi)部的芯片損耗功率，相當(dāng)于熱源，熱量經(jīng)過焊層、襯板、基板等，經(jīng)由散熱器散熱。隨著功率器件的高頻化，其內(nèi)部芯片損耗的功率也隨之越來越高，這就造成模塊的結(jié)溫增大，當(dāng)結(jié)溫超過一定值時(shí)，IGBT模塊的T作可靠性就將大大降低。
文中通過對1700V-3600A lCBT模塊進(jìn)行熱學(xué)分析，建立與其相對應(yīng)的熱阻模型，并利用ANSYS軟件對模塊經(jīng)行建模與仿真，得到lCBT穩(wěn)態(tài)時(shí)的溫度分布，將得到的仿真結(jié)果同實(shí)驗(yàn)結(jié)果對比，驗(yàn)證IGBT長時(shí)間工作后達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí)的溫度是否其超過了正常工作的溫度限制。
IGBT
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