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基本理論概述：

信號對敏感電路干擾的能力需要有幾個屬性。大多數(shù)微處理器由工作電壓非

常低的場效應(yīng)晶體管（FET）組成。一旦工作電壓過大，災(zāi)難性故障就即將來臨。

在實際中是不能寬恕這種過壓錯誤的，因為控制部件之間為超細(xì)金屬氧化物。在

這些控制部件之間產(chǎn)生的任何過壓，必然產(chǎn)生永久性破壞，在某些嚴(yán)重的場合下，

還會導(dǎo)致程序消失。由外部電源產(chǎn)生這些破壞性電壓需要電壓的波動，這種波動

能夠在電路板的走線上、元器件和其他關(guān)鍵點上產(chǎn)生持續(xù)的能量波動。因此，對電

路來說，外部信號的能量必須足夠高，因為在這個波長上，幾何尺寸是能量非常重

要的一部分。微波具有快速的上升時間（等效為傅里葉頻率高），且持續(xù)時間短，因

此會獲得最好的效果。所需要的能量是巨大的，這個能量勢必會產(chǎn)生更大的破壞。

一種良好的度量方法是能量除以波長的商。大功率的微波脈沖能夠通過下面介紹

的幾種方法產(chǎn)生。

爆炸物的磁力線壓縮驅(qū)動虛陰極振蕩器，其一般的相關(guān)物能夠僅從幾百焦耳

產(chǎn)生千兆瓦的峰值功率。最初始的電流變成脈沖送入電感器，而電流的峰值被成

形的爆炸物電荷壓縮，因而捕獲磁力線并產(chǎn)生很高能量的電流源。利用極高速度

的爆炸物如三甲基三硝胺（cyclotrimethyltrinitramine），它的派生詞是PETN或相

當(dāng)能量的爆炸物，線圈沿著其軸向和徑向壓縮。這些捕獲的磁力線產(chǎn)生能量增長，

通過微波激勵（HEPM）變成最終的大功率峰值的脈沖。像原子能初始爆炸一樣，

磁力線壓縮需要爆炸充電器的精確定時。對于磁力線壓縮，克里管（Krytron）開關(guān)

或類似開關(guān)可以用來代替大多數(shù)的增強(qiáng)抗輻射的Sprytrons， Sprytrons用在原子

能初始反應(yīng)，在原子能初始反應(yīng)中，由固有的裂變物質(zhì)產(chǎn)生電離輻射。

虛陰極振蕩器也可以很方便地由小型Marx脈沖發(fā)生器產(chǎn)生200^}4ookV的

激勵?？焖俚纳仙娏饕约按蟮姆逯倒β誓軌虍a(chǎn)生強(qiáng)大的微波脈沖。

其他方法包括爆炸絲（exploding wire）。這種方法允許能量流向LCR電路，

因為爆炸絲在附近蒸發(fā)，反饋線的爆炸快速地中斷峰值注人電流。一個上升速度

很快、能量非常大的脈沖就產(chǎn)生了，這種方法能夠產(chǎn)生電磁脈沖（EMP） e

微波脈沖對于破壞敏感電子電路是一個非常優(yōu)秀的候選者。但是其低得多的

電路概括：

圖11. 2中的電路給出了

一種簡單的獲得傅里葉（Fourier）等效帶寬大于100MHz大功率脈沖的方法。

雖然功率和頻率相對較低，但對眾多的目標(biāo)電路，近距離的效果是可行的。

這個表達(dá)式意味著在放電電路中沒有電阻（R），這只是一種理想的情況。

實際情況中，現(xiàn)實世界的電阻是其中因素之一，在上述理想條件下e到一阮/RMS

（L/C）」服必須是一個因子，這意味著是一個衰減的波形

二極管D1f是10kV、10mA快速恢復(fù)二極管

電阻尺1是3個47ko、IW的電阻串聯(lián)，并將二極管與放電電路隔離，放電電流為dy/山

電感乙2在期望的諧振頻率下將天線的容性反饋關(guān)掉

電容}1是“極快”的電容，用于產(chǎn)生非?？斓纳仙龝r間，以引爆觸發(fā)器或點燃烈性

炸藥，因此要求有很高的峰值放電電流。電容的結(jié)構(gòu)為微帶，HV和高壓公共線可以接上ZVS退高壓包的高壓包輸出的線上！