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在放大器的板級實(shí)現(xiàn)的研究里，本文成功地設(shè)計(jì)了并制作了一款頻率從O．8G到3．5GHz，增益在10dB以上，噪聲系數(shù)在2dB到3dB的寬帶低噪聲放大器的電路板。在這個設(shè)計(jì)實(shí)例中，加入了電磁仿真，電磁仿真與原理圖聯(lián)合仿真，保證在制版之前得到與實(shí)際情況符合的仿真結(jié)果。最后總結(jié)出了射頻低噪聲放大器電路板的快速的并且精確的實(shí)現(xiàn)方法。在放大器芯片級實(shí)現(xiàn)方面，本文探討了射頻無源器件在芯片上的實(shí)現(xiàn)方法，并且列出了一些估算射頻無源器件值的方法，同時結(jié)合了JaZz SBC35硅鍺工藝庫給出了在低噪聲放大器芯片設(shè)計(jì)中射頻晶體管單元的調(diào)用和配置方法：最后結(jié)合一個螺旋電感的實(shí)例講述了如何對射頻芯片的版圖進(jìn)行電磁建模，從而提高設(shè)計(jì)的成功率。
低噪聲放大器
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