引言

　　QDR-IV 實(shí)現(xiàn)了 QDR （四倍數(shù)據(jù)速率） SRAM 的最高 RTR （隨機(jī)事務(wù)處理速率），可為高帶寬網(wǎng)絡(luò)、高性能計(jì)算和密集型數(shù)據(jù)處理應(yīng)用提供高達(dá) 400Gbps 的數(shù)據(jù)傳輸。在這些較快數(shù)據(jù)速率下的一項(xiàng)主要挑戰(zhàn)是保持在 SRAM 與高速 FPGA 和處理器等器件之間傳輸數(shù)據(jù)的完整性。

　　一種良好的解決方案是把 SRAM （例如：QDR-IV、 QDR 或 DDR） 布設(shè)得非常靠近 PCB 正面的接口器件。為節(jié)省 PCB 面積并最大限度地抑制數(shù)據(jù)總線線路上的感應(yīng) PCB 寄生噪聲，應(yīng)將給 QDR-IV SRAM 數(shù)據(jù)總線驅(qū)動(dòng)器供電的 DC/DC 穩(wěn)壓器電路安置在近旁。面臨的難題是在高安裝密度的 PCB 上找到安放該穩(wěn)壓器的空間。

　　采用一個(gè)具片內(nèi)電感器和 MOSFET 并內(nèi)置于緊湊型封裝中的完整 DC/DC 穩(wěn)壓器是一種解決方案。不過(guò)，即使是緊湊的解決方案，要面對(duì) PCB 正面上稀缺的可用面積也會(huì)有難度。如果 DC/DC 穩(wěn)壓器解決方案的占板面積、高度和重量能夠有足夠的削減，則其就能安放在具有可用面積的 PCB 之背面。

　　在一個(gè)纖巧的超薄型封裝中從 12VIN 獲得 VTT、 VDDQ、VREF

　　LTM?4632 是一款完整的三路輸出降壓型 μModule? 穩(wěn)壓器，專為支持新型 QDR-IV 和較老式的 DDR RAM 所需要的全部三個(gè)電壓軌而設(shè)計(jì)，其采用一個(gè)重 0.21g、外形超薄的微型 LGA 封裝 （6.25mm x 6.25mm x 1.82mm）。

　　封裝中內(nèi)置了開(kāi)關(guān)控制器、電壓除二電路、功率 FET、電感器和支持組件。其纖巧的占板面積和低外部組件數(shù) （少至一個(gè)電阻器和三個(gè)電容器） 僅占用0.5cm2 （雙面） 或 1cm2 （單面），而它扁薄的外形則使其能安裝在 PCB 的背面，這樣就可騰出 PCB 正面的空間以實(shí)現(xiàn)超緊湊的電路板設(shè)計(jì)。

　　LTM4632 采用一個(gè)介于 3.3V 和 15V 之間的輸入電壓工作，可提供 0.6V 至 2.5V 的精準(zhǔn)輸出軌電壓。該器件的兩個(gè)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器輸出 VOUT1 和 VOUT2 分別為 VDDQ 提供高達(dá) 3A 和 VTT 總線終端軌提供高達(dá) ±3A。它的第三個(gè)輸出為跟蹤電壓的終端基準(zhǔn) （VTTR） 提供一個(gè)低噪聲緩沖 10mA 輸出。圖 1 示出了一種典型 DDR3 應(yīng)用中的 LTM4632 電路，顯現(xiàn)了其簡(jiǎn)單的解決方案和小的組件數(shù)目。