簡介

　　開關(guān)電源行業(yè)的趨勢朝著更高的轉(zhuǎn)換頻率以獲得更高的功率密度急劇提高為。當(dāng)這些頻率推向超越一兆赫，MOSFET的過渡時期可以成為總開關(guān)周期的一個重要部分。與開關(guān)電壓和電流重疊有關(guān)的損耗不僅降低了整體供電效率，而且需要從熱和封裝的角度考慮。一個簡短的，每個MOSFET開關(guān)轉(zhuǎn)換可以進(jìn)一步降低，如果驅(qū)動從高速，高電流圖騰柱驅(qū)動器-一個專為這個應(yīng)用程序設(shè)計的。本文將重點介紹三個這樣的裝置；該uc1708和uc1710高電流MOSFET驅(qū)動電路，和uc1711高速驅(qū)動器。其他的MOSFET驅(qū)動芯片及典型應(yīng)用電路的特色在Unitrode應(yīng)用筆記u-118。

　　有效柵電容

　　MOSFET的輸入電容（CISS）是經(jīng)常被誤用的功率MOSFET的柵極驅(qū)動IC為代表的負(fù)荷。在現(xiàn)實中，一個MOSFET的有效輸入電容（Ceff）是非常高的，必須由制造商公布的總柵極電荷（Qg）信息。即使在指定的開關(guān)過渡過程中，門電荷參數(shù)的最大值也不能準(zhǔn)確反映駕駛員的瞬時負(fù)荷。幸運的是，制造商提供一個FET的柵源電壓（VGS）曲線與總柵極電荷在其數(shù)據(jù)表。這將被劃分為四個交換轉(zhuǎn)換的時間間隔。每一個都將被分析以確定最佳的柵極電容和驅(qū)動性能要求。

　　柵極驅(qū)動不足通常是相應(yīng)調(diào)整柵極電荷數(shù)的結(jié)果。無論是開啟和關(guān)閉的轉(zhuǎn)換顯示各自的漏電流和漏源電壓。