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采用甚高頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù) ，在相對(duì)較高氣壓和較高功率條件下 ，制備了不同硅烷濃度的微晶硅材料。 材料沉積速率隨硅烷濃度的增加而增大 ，通過對(duì)材料的電學(xué)特性和結(jié)構(gòu)特性的分析得知 獲得了沉積速率超過 1nm/ s 高速率器件質(zhì)量級(jí)微晶硅薄膜 ，并且也初步獲得了效率達(dá) 613 %的高沉積速率微晶硅太陽電池。
本文采用甚高頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù) ，在較高氣壓和較高功率的前提條件下 ，獲得了沉積速率達(dá) 1 nm/ s 以上的器件級(jí)微晶硅薄膜 ，微晶硅薄膜太陽電池的效率也達(dá)到了 6.3 %。
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