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基于寬帶隙（WBG）碳化硅（SiC）材料的功率器件由于具有更高的可實(shí)現(xiàn)阻斷電壓和更快的開(kāi)關(guān)速度，是中壓電力電子應(yīng)用的理想選擇。例如，對(duì)于智能電網(wǎng)應(yīng)用的7.2kV固態(tài)變壓器（SST），15kV SiC MOSFET允許簡(jiǎn)單而高效的兩電平轉(zhuǎn)換器配置。與多電平輸入串聯(lián)輸出并聯(lián)（ISOP）方案相比，該方案具有更高的效率和可靠性，降低了系統(tǒng)的重量和成本。然而，主要關(guān)注的是如何在不同的MV應(yīng)用中精確地實(shí)現(xiàn)該器件，在保持良好熱性能的同時(shí)獲得最高的開(kāi)關(guān)頻率。本文綜述了15kv sicmosfet的特性，并從拓?fù)溥x擇、損耗優(yōu)化和熱管理等方面對(duì)該器件在AC-DC、DC-DC和AC-AC等實(shí)際MV功率變換場(chǎng)合的應(yīng)用提供了全面的指導(dǎo)。
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