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前途光明的第三代半導(dǎo)體材料。我們認(rèn)為下游電力電子領(lǐng) 域向高電壓、高頻等趨勢邁進(jìn)，碳化硅材料的特性決定了它將會逐 步取代傳統(tǒng)硅基，打開巨大的市場空間。由于碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈涉及多 個復(fù)雜技 術(shù)環(huán)節(jié)，將會通過系列報告形式對其進(jìn)行完整梳理。 第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息 技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場景提出更高的要 求，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化 加速放量階段。相較于前兩代材料，碳化硅具有耐高壓、耐高溫、 低損耗等優(yōu)越性能，廣泛應(yīng)用于制作高溫、高頻、大功率和抗輻射 電子器件。
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