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Pn結(jié)的形成：離子注入、熱擴(kuò)散法、合金法
半導(dǎo)體均帶4個(gè)電子（最外層）
在T=0K（-273°C）本征半導(dǎo)體相當(dāng)于絕緣體
在一定的溫度下，或者受到光照時(shí)，價(jià)電子獲得一定的額外能量，一部分價(jià)電子沖破共價(jià)鍵的束縛變成自由電子——本征激發(fā)（載流子濃度增加）
自由電子與空穴均為載流子
復(fù)合過(guò)程：自由電子與空穴的結(jié)合形成價(jià)電子導(dǎo)致載流子濃度降低
本征載流子濃度：對(duì)溫度非常敏感，隨著T的增加，載流子濃度按指數(shù)規(guī)律增加，室溫下，本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力非常弱
在N型半導(dǎo)體中：自由電子——多數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱多子；
空穴——少數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱少子；
自由電子數(shù)=空穴數(shù)+施主正離子，所以依舊呈電中性。
在P型半導(dǎo)體中，空穴——多子；
自由電子——少子;
空穴數(shù)=自由電子數(shù)+受主負(fù)離子，電中性。
結(jié)論：在熱平衡下，多子濃度值與少子濃度值得乘積恒等于本征載流子濃度值得平方。
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