幅度調(diào)整

第7位：正常工作時(shí)，該位必須設(shè)置為零。

第6位和第5位：依據(jù)下表對(duì)這兩位進(jìn)行設(shè)置。

第3位：幅度提升2%。

脈沖寬度和波形調(diào)整

第2位到第0位：依據(jù)下表對(duì)這三位進(jìn)行設(shè)置。

在DS3和STS-1模式時(shí)，測(cè)試寄存器D (TESTD.7, TESTD.3至TESTD.0)的第7位至第3位通過(guò)改變上升周期的持續(xù)時(shí)間來(lái)調(diào)整波形。

在E3模式中，測(cè)試寄存器D (TESTD.7, TESTD.4至TESTD.0)的第7位、第4位至第0位通過(guò)改變上升周期的持續(xù)時(shí)間來(lái)調(diào)整波形。

DS3和STS-1模式設(shè)置
在DS3和STS-1模式時(shí)，低4位的工作相對(duì)獨(dú)立，因此可以采用任意設(shè)置組合。例如，同時(shí)設(shè)置第1位和第2位使脈沖略為加寬，頂部平坦；設(shè)置第0位和第3位使脈沖變寬，但是頂部更尖銳一些；設(shè)置所有4個(gè)比特使脈沖變寬，但是對(duì)波形影響不大。

第7位：加倍TESTD.3和TESTD.0兩位的拖尾下沖效果。

第6位至第4位：正常工作時(shí)，這些位必須設(shè)置為零。

第3位：提高拖尾下沖電平。通過(guò)提高成形電路驅(qū)動(dòng)脈沖下降沿的持續(xù)時(shí)間來(lái)實(shí)現(xiàn)。

第2位：延長(zhǎng)脈沖頂部的第二部分(略微提升下沖)。

第1位：延長(zhǎng)脈沖頂部的第一部分(略微降低下沖)。

第0位：降低拖尾下沖電平。通過(guò)提高成形電路驅(qū)動(dòng)脈沖上升沿持續(xù)時(shí)間來(lái)實(shí)現(xiàn)。這不會(huì)影響進(jìn)行獨(dú)立控制的脈沖幅度。

E3模式設(shè)置
在E3模式時(shí)，因?yàn)槔硐氲拿}沖是方波，所以這些位主要影響脈沖的持續(xù)時(shí)間，但第4位會(huì)影響脈沖前沿波形。此外，通過(guò)提升幅度(TESTC6:3)，同時(shí)降低外部負(fù)載電阻(降低幅度)可以使脈沖頂部平坦。

第7位：加倍TESTD.0位的效果。

第6、5位：正常工作時(shí)，這些位必須設(shè)置為零。

第4位：使脈沖前沿尖銳。

第3位：使脈沖變窄~0.25ns (如果TESTD.7 = 1，該位不起作用。)

第2位：使脈沖變寬~0.25ns。

第1位：使脈沖變寬~0.25ns。

第0位：使脈沖變寬~0.25ns (如果TESTD.7 = 1，則為~0.5ns)

參考
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關(guān)于DS3254、DS3253、DS3252以及DS3251線路接口單元的詳細(xì)信息，請(qǐng)參考相應(yīng)的數(shù)據(jù)資料，這些資料可由Dallas Semiconductor/Maxim網(wǎng)站：T/E載波與分組交換產(chǎn)品獲取。