采用的是超級結(jié)工藝。超級結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
超結(jié)MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中突破傳統(tǒng)性能限制的關(guān)鍵器件。它通過在器件結(jié)構(gòu)中引入交替分布的P型與N型柱區(qū)，實(shí)現(xiàn)了在高耐壓下仍保持低導(dǎo)通電阻的特性，顯著提升了功率轉(zhuǎn)換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:46
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全新推出的R&S NRP150T熱功率傳感器搭載新一代高性能0.80毫米同軸射頻連接器，支持高達(dá)150 GHz的工作頻率，成為目前商用射頻功率傳感器中頻段覆蓋最廣的測量解決方案。該產(chǎn)品將開啟
2025-12-28 16:24:35436 ，近期推出了全新的OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術(shù)，為我們帶來了諸多驚喜。今天，我們就來深入探討這一技術(shù)及其在三相功率逆變器板上的應(yīng)用。 文件下載： Infineon
2025-12-20 10:35:06517 威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型
2025-12-10 09:44:34249 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動等眾多領(lǐng)域。今天就來詳細(xì)探討安森美（onsemi）推出的一款單通道N溝道功率MOSFET——NTMFS002N10MCL。
2025-12-08 14:53:47334 
在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能和特性對電路設(shè)計(jì)起著至關(guān)重要的作用。今天我們來深入了解一下onsemi推出的NTBLS0D8N08X，這是一款80V、0.79mΩ、457A的單N溝道功率MOSFET，它在多個方面展現(xiàn)出了卓越的性能。
2025-12-03 11:42:19455 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件，廣泛應(yīng)用于各類電源管理、電機(jī)驅(qū)動等電路中。今天，我們就來深入探討一下 ON Semiconductor 推出的 NTMFD5C672NL 雙 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-02 14:58:25273 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件，它廣泛應(yīng)用于各類電源管理、電機(jī)驅(qū)動等電路中。今天，我們就來詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS003N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處。
2025-12-02 11:43:20466 
MD6639是EUVIS推出的一款高速DAC芯片，具備10Gsps采樣率、9-bit精度、3個時鐘周期超低延遲及超低相噪等特性，功率為3.1W，適用于雷達(dá)、5G通信及信號采集回放等對高速信號處理要求
2025-12-02 09:19:08
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，其性能和特性直接影響著整個電路的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS004N10MC 這款 100V、3.9mΩ、138A 的單 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-01 15:35:07232 
作為電子工程師，在設(shè)計(jì)過程中，選擇合適的功率MOSFET至關(guān)重要。今天就來詳細(xì)介紹onsemi推出的NVTYS020N08HL N溝道功率MOSFET，探討它的特性、參數(shù)以及在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2025-12-01 09:34:36356 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率與穩(wěn)定性。今天，我們就來深入剖析onsemi推出的NVMFWS002N10MCL這款N溝道功率MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處能滿足工程師們的設(shè)計(jì)需求。
2025-11-28 16:12:03422 
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，它對設(shè)備的性能和效率有著深遠(yuǎn)的影響。今天，我們要深入探討的是ON Semiconductor推出的NVMYS3D8N04CL單N溝道功率MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢。
2025-11-28 14:03:45181 
威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MSC-G是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻與高效能，憑借1.00mΩ極致低阻、125A
2025-11-27 14:48:33239 
熱阻(Thermal Resistance)表示熱量在傳遞過程中所受到的阻力，為傳熱路徑上的溫差與熱量的比值。根據(jù)傳熱方式的不同，熱阻又分為導(dǎo)熱熱阻、對流換熱熱阻和輻射換熱熱阻。
2025-11-27 09:28:221674 
仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道
2025-11-21 10:31:06233 
，PCB布局，特別是貼片封裝功率MOSFET管，要在源極、漏極管腳充分敷設(shè)銅皮進(jìn)行散熱。功率MOSFET管數(shù)據(jù)表的熱阻測量通常有一定限制條件，如元件裝在1平方英2OZ銅皮電路板上進(jìn)行測量，實(shí)際應(yīng)用中，源
2025-11-19 06:35:56
選型手冊：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于
2025-11-18 16:08:14326 ，常見于加濕器、小型電源模塊等緊湊電路中。
適配場景：該封裝無需額外大面積散熱片，可直接貼裝在 PCB 的銅箔區(qū)域，降低了電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度和成本，是消費(fèi)級功率 MOSFET 的主流封裝選擇。
SGT 工藝
2025-11-17 14:04:46
SiRS5700DP優(yōu)化了功率效率，器件的R~DS(on)~ 可最大限度地降低導(dǎo)通期間的功率損耗，確保高效運(yùn)行。該MOSFET經(jīng)過100% R~g~ 和UIS測試，確?？煽啃?。該器件還可增強(qiáng)功率耗散并降低熱阻（R ~thJC~ ），因此非常適用于高性能應(yīng)用。
2025-11-13 11:21:53430 
導(dǎo)通期間的功率損耗，確保高效運(yùn)行。SiJK140E MOSFET 100%經(jīng)過R~g~ 和UIS測試。該功率MOSFET可增強(qiáng)功率耗散并降低熱阻（R ~thJC~ ）。典型應(yīng)用包括同步整流、自動化、OR-ing和熱插拔開關(guān)、電源、電機(jī)驅(qū)動控制和電池管理。
2025-11-12 14:12:58319 選型手冊：MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導(dǎo)通損耗
2025-11-05 15:53:52207 意法半導(dǎo)體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。 該器件完全符合工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)。STL320N4LF8可降低
2025-10-29 15:48:51507 
324標(biāo)準(zhǔn)， 采用ACEPACK SMIT低電感封裝。SH63N65DM6AG功率MOSFET具有極低開關(guān)能量、低熱阻以及3.4kV ~rms~ /min隔離等級。該功率MOSFET具有dice-on直接
2025-10-24 09:17:32684 
在高功率應(yīng)用中，為了分擔(dān)電流、降低損耗，工程師往往會將多顆MOSFET并聯(lián)使用。例如在DC-DC電源、馬達(dá)驅(qū)動或逆變器電路中，通過并聯(lián)MOS實(shí)現(xiàn)更大的電流承載能力與更低的導(dǎo)通阻抗。然而，MDDFAE
2025-10-22 10:17:56364 
PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關(guān)器件能夠提供增強(qiáng)的動態(tài)均流功能，專為需要并聯(lián)多個匹配MOSFET的高功率48 V應(yīng)用設(shè)計(jì)。此類應(yīng)用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設(shè)備等電動交通工具的電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)，或高功率工業(yè)電機(jī)。
2025-10-10 11:22:27700 Toshiba推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工藝U-MOS11-H[1]制造的100V N溝道功率MOSFET。該MOSFET的目標(biāo)應(yīng)用包括數(shù)據(jù)中心和通信基站所用
2025-09-28 15:17:14499 在快充技術(shù)快速迭代的當(dāng)下，高效能與高可靠性成為電源設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)。泉州海川半導(dǎo)體推出的SM5501 30V N溝道功率MOSFET，以5.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、50A最大電流承載能力及6.2℃/W結(jié)殼熱阻的卓越性能，為快充行業(yè)提供了極具競爭力的高性能解決方案。
2025-09-18 16:41:231158 
基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03976 
摘要功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiC高功率密度設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識和測試的基本技能，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率
2025-09-12 17:05:13772 
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401034 ]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-09-01 16:33:492081 
一、引言 IGBT 模塊在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛，其散熱性能直接關(guān)系到系統(tǒng)的可靠性與穩(wěn)定性。接觸熱阻作為影響 IGBT 模塊散熱的關(guān)鍵因素，受到諸多因素影響，其中芯片表面平整度不容忽視。研究二者
2025-09-01 10:50:431632 
在電子器件（如導(dǎo)熱材料或?qū)峁柚┥贤扛矊?dǎo)熱材料的目的是幫助發(fā)熱器件加快散熱。此舉旨在降低器件每單位電能耗散所產(chǎn)生的溫升。衡量每功耗所產(chǎn)生溫升的指標(biāo)稱為熱阻，而給器件涂抹導(dǎo)熱材料的目的正是為了降低
2025-08-22 16:35:56774 
在電子設(shè)備的散熱設(shè)計(jì)中，熱阻（Thermal Resistance）是一個至關(guān)重要的物理量，它定量描述了材料或系統(tǒng)對熱量傳遞的阻礙能力。從本質(zhì)上看，熱阻是熱傳遞路徑上的“阻力標(biāo)尺”，其作用可類比于電路中的電阻——電阻限制電流，熱阻則限制熱流。
2025-08-18 11:10:542972 
HCB444-650是臺達(dá)Delta Electronics推出的一款高性能一體成型功率電感，該產(chǎn)品憑借其優(yōu)異的電氣特性和緊湊型的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在電源管理、通訊設(shè)備等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。性能參數(shù)?電感量
2025-08-15 09:45:13
，將空氣熱阻轉(zhuǎn)化為高效導(dǎo)熱通道- 性能倍增器：實(shí)驗(yàn)表明，優(yōu)質(zhì)導(dǎo)熱硅脂可使界面熱阻降低60%以上，同等散熱條件下功率器件溫度可顯著下降15-20℃，大幅延長電子元件壽命 二、G500導(dǎo)熱硅脂：專為高密度
2025-08-04 09:12:14
近日，安世半導(dǎo)體在線研討會聚焦BMS / Motor control / DCDC 等大電流、高功率密度應(yīng)用，深度解讀了額定功率高、電阻和熱阻較低、電流密度高且 SOA 性能出色的CCPAK1212 MOSFET，如何滿足下一代工業(yè)應(yīng)用的高功率需求。
2025-07-18 10:15:52887 什么是熱阻即熱量？熱阻即熱量在熱流路徑上遇到的阻力，反映介質(zhì)或介質(zhì)間的傳熱能力的大小，表明了1W熱量所引起的溫升大小，單位為℃/W或K/W。可以用一個類比來解釋，如果熱量相當(dāng)于電流，溫差相當(dāng)于電壓
2025-07-17 16:04:39479 
圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34
在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場景，能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:192435 
揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:531352 
一、產(chǎn)品概述：高精度恒流驅(qū)動架構(gòu)
SD42524TR是一款 電流模式控制降壓型PWM LED驅(qū)動芯片 ，集成0.4Ω低阻功率MOSFET，在6-36V寬輸入范圍內(nèi)提供 1A連續(xù)輸出電流 。其核心價值
2025-06-26 08:54:44
（Derating）：
溫度接近閾值時，逐步降低輸出功率（如從100%降至50%），避免突然關(guān)斷。
適用場景：需要持續(xù)供電的場景（如通信基站）。
熱設(shè)計(jì)優(yōu)化
散熱片與風(fēng)扇：
高功率電源（如&
2025-06-25 14:56:35
測試背景熱阻是衡量超高亮度和功率型LED器件及陣列組件熱工控制設(shè)計(jì)是否合理的一個最關(guān)鍵的參數(shù)。測量芯片熱阻的主要方法電學(xué)參數(shù)法和紅外熱像法。其中電學(xué)法利用LED本身的熱敏感參數(shù)——電壓變化來反算出溫
2025-06-20 23:01:45646 
日本川崎——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(簡稱“東芝”)研發(fā)了一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)可在增強(qiáng)溝槽型碳化硅(SiC)MOSFET[2]的UIS耐用性[3]的同時，顯著降低其因?qū)娮鑋1]而產(chǎn)生的損耗
2025-06-20 14:18:50956 
在材料電性能測試領(lǐng)域，體積表面電阻率是衡量絕緣材料、半導(dǎo)體材料等導(dǎo)電性的關(guān)鍵指標(biāo)。然而，在實(shí)際測試過程中，“假高阻” 現(xiàn)象（即測試所得電阻值虛高，與材料真實(shí)性能不符）頻發(fā)，嚴(yán)重干擾測試結(jié)果的準(zhǔn)確性
2025-06-16 09:47:57569 
丹佛斯（Danfoss）的DCM（Direct Cooled Module直接冷卻模塊）是業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的一款針對于車規(guī)級功率模塊的封裝設(shè)計(jì)，其核心創(chuàng)新在于直接水冷散熱設(shè)計(jì)，通過取消傳統(tǒng)基板，將功率單元直接焊接在散熱器上，顯著降低熱阻。
2025-06-14 09:39:382613 眾所周知，隨著溫度升高，電子器件可靠性和壽命將呈指數(shù)規(guī)律下降。對于LED產(chǎn)品和器件來說，選用導(dǎo)熱系數(shù)和熱阻盡可能小的原材料是改善產(chǎn)品散熱狀況、提高產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。在LED產(chǎn)品中，經(jīng)常
2025-06-11 12:48:42497 
熱阻概念與重要性熱阻是衡量熱量在熱流路徑上所遇阻力的物理量，它反映了介質(zhì)或介質(zhì)間傳熱能力的強(qiáng)弱，具體表現(xiàn)為1W熱量引起的溫升大小，單位為℃/W或K/W?？梢詫崃勘茸麟娏?，溫差比作電壓，那么熱阻
2025-06-04 16:18:53681 
什么是功率 MOSFET？
我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向；我們不能對其編程以通過或屏蔽一個信號
2025-06-03 15:39:43
MOSFET的熱阻（Rth）用來表征器件散熱的能力，即芯片在工作時內(nèi)部結(jié)產(chǎn)生的熱量沿著表面金屬及塑封料等材料向散熱器或者環(huán)境傳遞過程中所遇到的阻力，單位是℃/W，其值越小越好。
2025-06-03 15:30:161915 
CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅(qū)動器的功率吸收路徑，
我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎？
使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2025-05-28 06:51:33
圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971 
日前，集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL）推出其新一代
2025-05-07 10:56:10728 
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛的應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)控制、電動工具等
2025-05-06 17:13:58
接下來接著看 12N50 數(shù)據(jù)手冊上面這個參數(shù)是 MOSFET 的熱阻，RBJC 表示 MOS 管結(jié)溫到表面的 熱阻，這里我們知道 RBJC=0.75。熱阻的計(jì)算公式：RBJC = Tj?Tc P
2025-04-22 13:29:18
5 這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗 應(yīng)用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 溝道
2025-04-16 11:25:34775 
這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 溝道 NexFET
2025-04-16 10:54:00755 
時為1.9mΩ，有助于減少功率損耗。 ? 低熱阻 ?：結(jié)到殼熱阻RθJC為1.2°C/W，有助于散熱。 ? 雪崩能力 ?：支持雪崩模式工作，具有較高的耐雪崩能量。 ? 邏輯電平 ?：適合邏
2025-04-16 10:45:52677 
這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應(yīng)用。 *附件：CSD18543Q3A 60V N 溝道
2025-04-16 10:35:32787 
這款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18512Q5B 40 V N 溝道 NexFET
2025-04-16 10:20:33782 
電荷 ?：Qg（總柵極電荷）在VGS=10V時為118nC，有助于減少開關(guān)損耗。 ? 低導(dǎo)通電阻 ?：RDS(on)（漏源導(dǎo)通電阻）在VGS=10V時為1.4mΩ，有助于降低傳導(dǎo)損耗。 ? 低熱阻 ?：結(jié)到殼熱阻
2025-04-16 10:13:57763 
這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18510Q5B N 溝道 NexFET 功率
2025-04-16 10:05:07663 
這款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18511KCS 40V N 溝道 NexFET 功率
2025-04-15 16:23:11772 
通過系統(tǒng)電路可以進(jìn)行修正。
熱阻表示熱傳導(dǎo)的難易程度，熱阻分為溝道-環(huán)境之間的熱阻、溝道-封裝之間的熱阻，熱阻越小，表示散熱性能越好。
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2025-04-11 11:04:25
78477620型號簡介 78477620是Wurth Elektronik推出的一款功率電感，這款功率電感器的直流電阻只有 0.2 歐姆，意味著
2025-03-28 14:39:47
和計(jì)算領(lǐng)域的功率轉(zhuǎn)換效率和功率密度，顯著改善了前代產(chǎn)品的性能。SiHK050N65E采用了先進(jìn)的n-channel設(shè)計(jì)，與之前的MOSFET相比，具備48.2%的導(dǎo)
2025-03-27 11:49:46945 
飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
MOSFET 而言，其最大功率損耗是由溫度及結(jié)-包裝外殼間之熱阻所決定的，即：
由上式可知，若能夠有效減少熱阻，則 Power MOSFET 所能承受之的最大功率損耗就可以獲得提升。圖 1 為
2025-03-24 15:03:44
羅德與施瓦茨(以下簡稱“R&S”)推出全新R&S NRP140TWG(N)熱功率傳感器，采用高性能WR 8波導(dǎo)連接器，專為滿足F頻段應(yīng)用日益增長的需求而打造。該傳感器完全可溯源至德
2025-03-21 16:09:52912 近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11963 
的應(yīng)用，CAB450M12XM3的體積和重量僅為傳統(tǒng)62mm模塊的一半，完美適配空間受限的安裝環(huán)境。
低電感架構(gòu)：其6.7nH的低電感設(shè)計(jì)優(yōu)化了功率總線布局，顯著降低了開關(guān)過程中的能量損耗。
高溫穩(wěn)定運(yùn)行：支持連續(xù)工作結(jié)溫高達(dá)
2025-03-17 09:59:21
Fusion中，這些效應(yīng)是通過連接表面算子和非均質(zhì)介質(zhì)的求解器來處理的。我們在材料加工應(yīng)用中常見的各種光學(xué)元件（如透鏡和激光棒）中演示了這些效應(yīng)。
熱透鏡導(dǎo)致的焦點(diǎn)移動研究
在這個用例中，我們展示了由
2025-03-13 08:57:22
摘要
熱透鏡效應(yīng)描述了由高功率入射激光束的熱力梯度引起的介質(zhì)折射率的不均勻性。對于具有特定參數(shù)的高斯光束，折射率在數(shù)學(xué)上表示為溫度和輸入功率的函數(shù)[W. Koechener, Appl. Opt.
2025-03-13 08:52:49
我們正在研究人形機(jī)器人，想了解在關(guān)節(jié)驅(qū)動、電源管理、熱控制等子系統(tǒng)中使用功率器件（如MOSFET、IGBT、IPM）。目前遇到以下問題：
? 功率器件分布不明確 ：不清楚哪些關(guān)鍵部位必須使用高功率
2025-03-12 14:05:28
摘要
隨著材料加工技術(shù)的發(fā)展，高功率激光光源的應(yīng)用越來越廣泛。這在光學(xué)系統(tǒng)的各個元件中產(chǎn)生大量的熱量，可能引入各種光學(xué)效應(yīng)，如熱透鏡效應(yīng)，它將改變透鏡的焦距。在這個用例中，我們演示了由聚焦透鏡
2025-03-12 09:43:29
GaN Systems提供RC熱阻模型，使客戶能夠使用SPICE進(jìn)行詳細(xì)的熱模擬。 模型基于有限元分析（FEA）熱模擬創(chuàng)建，并已由GaN Systems驗(yàn)證。 選擇了考爾（Cauer）模型，使客戶
2025-03-11 18:32:031433 
滿足高壓需求。
內(nèi)置功率MOS管設(shè)計(jì)?
SL3037B集成?0.9Ω低阻MOSFET?，無需外置MOS管，外圍電路僅需6個元件?；TPS54240需外接MOS管，增加設(shè)計(jì)復(fù)雜度和BOM成本。
輸出
2025-03-07 16:24:10
)對 Power MOSFET 而言，其最大功率損耗是由溫度及結(jié)-包裝外殼間之熱阻所決定的，即：
由上式可知，若能夠有效減少熱阻，則 Power MOSFET 所能承受之的最大功率損耗就可以獲得提升。圖 1
2025-03-06 15:59:14
隨著市場對高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動、電子保險絲、電機(jī)驅(qū)動、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
MOSFET的開關(guān)頻率（如B3M040065H的開關(guān)時間低至14ns）遠(yuǎn)超SJ 超結(jié)MOSFET，可減少電源系統(tǒng)中的磁性元件體積，提升功率密度（如數(shù)據(jù)手冊中提到的“開關(guān)能量降低至160μJ”）。 高溫可靠性
2025-03-02 11:57:01899 
的快速轉(zhuǎn)變率和高開關(guān)頻率能力中獲得顯著優(yōu)勢，并由于其大的暴露熱墊而提高其熱性能，顯示出比其他流行的表面貼裝封裝（如to lead-Less和D2PAK）更好的功耗能力，這些封裝廣泛用于分立功率器件。通過
2025-02-25 10:36:391037 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT8038-1塑料熱增強(qiáng)型表面貼裝封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-19 16:28:460 的領(lǐng)導(dǎo)者，Wolfspeed的第4代MOSFET技術(shù)平臺不僅降低了系統(tǒng)成本，還顯著縮短了開發(fā)時間。該平臺專為簡化大功率設(shè)計(jì)中的復(fù)雜開關(guān)行為和設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)而設(shè)計(jì)，為設(shè)計(jì)師們提供了更加高效、可靠的解決方案。 此外，Wolfspeed的第4代MOSFET技術(shù)平臺還為公司的各類產(chǎn)品制定了
2025-02-17 10:28:44943 工藝的核心材料。它由高分子樹脂、光敏劑、溶劑及添加劑組成。其特性直接影響芯片圖形化的精度。 ? 光阻的作用： 圖形轉(zhuǎn)移：通過曝光顯影，在硅片表面形成納米級圖案，作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩膜。 保護(hù)作用：阻擋刻蝕劑或離子對非目標(biāo)區(qū)域的損傷
2025-02-13 10:30:233887 
。特別是濕度對功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響，已成為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討濕度對功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響機(jī)理，以期為功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制
2025-02-07 11:32:251527 
功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設(shè)計(jì)的基本概念、散熱形式、熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析等方面，對功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識進(jìn)行詳細(xì)講解。
2025-02-03 14:17:001354 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子，近日宣布了一項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1，成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET：RBA300N10EANS
2025-01-22 17:04:06991 SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場進(jìn)一步的變更為類似壓縮的梯形電場，可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545890 
近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-01-22 11:03:221221 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-20 17:33:501975 /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 MOSFET的核心亮點(diǎn)在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項(xiàng)技術(shù)有效降低了MOSFET的導(dǎo)通電阻(Rdson)高達(dá)30%，從而顯著減少了功率損耗，為
2025-01-13 11:41:38957 
SimcenterMicredT3STER瞬態(tài)熱阻測試儀通過高精度、可重復(fù)的熱瞬態(tài)測試技術(shù)和結(jié)構(gòu)功能分析，對封裝半導(dǎo)體器件進(jìn)行熱表征。為何選擇SimcenterMicredT3STER
2025-01-08 14:27:211788 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 在半導(dǎo)體器件的實(shí)際部署中，它們會因功率耗散及周圍環(huán)境溫度而發(fā)熱，過高的溫度會削弱甚至損害器件性能。因此，熱測試對于驗(yàn)證半導(dǎo)體組件的性能及評估其可靠性至關(guān)重要。然而，半導(dǎo)體熱測試過程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:391580
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