電子發(fā)燒友App
IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負載開關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號-1
陇川县|
永德县|
庆元县|
富民县|
巩留县|
门头沟区|
泰来县|
毕节市|
平塘县|
保山市|
威信县|
祁阳县|
蕉岭县|
平远县|
饶河县|
大城县|
岳普湖县|
邢台市|
海原县|
昭觉县|
忻城县|
南京市|
榆社县|
庄河市|
和田市|
莲花县|
隆德县|
栖霞市|
东乌|
咸宁市|
平乡县|
安化县|
广宗县|
徐闻县|
墨江|
上高县|
太白县|
惠安县|
比如县|
灌南县|
耒阳市|
產(chǎn)品規(guī)格
?
|
器件編號 |
封裝 |
BV (V) |
最大 Vgs ?(V) |
10V下的
典型 / 最大RDS(on) (m?) |
4.5V下的
典型 / 最大RDS(on)
(m?) |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
3.9 / 4.6 |
5.8 / 6.8 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
5.4 / 6.6 |
8.3 / 10.2 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
5.9 / 7.2 |
9.3 / 11.2 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
10.0 / 11.9 |
16.1 / 19.7 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
13.6 / 17.5 |
22.5 / 28.1 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
15.6 / 19.4 |
25.6 / 32.5 | |
|
SO-8 |
-30 |
20 |
48 / 59 |
83 / 110 | |
|
SO-8 (dual) |
-30 |
20 |
17.0 /?21.0 |
25.7 / 32 |
- MOSFET(230957)
- IR(58208)
相關(guān)推薦
熱點推薦
選型手冊：VSO009N06MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSO009N06MS-G是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2026-01-04 16:23:09
59
59選型手冊：VSO011N06MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSO011N06MS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-31 17:28:191246
1246選型手冊：VSP005NE8HS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSP005NE8HS-G是一款面向85V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-30 11:59:2795
95選型手冊：VSO013N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSO013N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中壓小型電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-29 11:52:1679
79選型手冊：VSP020P06MS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓電源的高側(cè)開關(guān)、負載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強型
2025-12-26 12:01:16108
108選型手冊：VS8068AD N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS8068AD是一款面向80V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-262封裝，適配中壓中功率電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-26 11:50:1393
93選型手冊：VSO012N06MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSO012N06MS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-25 16:31:17116
116選型手冊：VS5810AS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS5810AS是一款面向58V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中壓小型電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET
2025-12-25 16:27:25121
121選型手冊：VS6016HS-A N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS6016HS-A是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-24 13:12:28112
112選型手冊：VS6412ASL N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS6412ASL是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-24 13:10:04100
100選型手冊：VS3508AS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS3508AS是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源的高側(cè)開關(guān)、負載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P
2025-12-24 13:01:21127
127選型手冊：VS4518AD P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS4518AD是一款面向-40V中壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓電源的高側(cè)開關(guān)、負載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強型功率
2025-12-23 11:39:03235
235選型手冊：VS2301BC P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS2301BC是一款面向-20V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用SOT23小封裝，適配小型化低壓電源的負載開關(guān)、電源通路控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道
2025-12-18 17:37:55147
147選型手冊：VS40200AD N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS40200AD是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-17 18:24:11158
158選型手冊：VS6614GS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS6614GS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-17 18:09:01208
208選型手冊：VS3510AD P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS3510AD是一款面向30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓電源的高側(cè)開關(guān)、負載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-16 11:50:07171
171選型手冊：VS3510AS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS3510AS是一款面向30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源的負載開關(guān)、電源通路控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-16 11:46:18213
213選型手冊：VS3612GP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS3612GP是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-16 11:33:14198
198探索CPC3981Z：800V、45Ω N溝道MOSFET的卓越性能與應(yīng)用
MOSFETT.pdf 一、產(chǎn)品概述 CPC3981Z采用改良的SOT - 223封裝，這種封裝設(shè)計能為高壓應(yīng)用提供更大的漏極和源極引腳間距。它是一款800V、N溝道、耗盡型場效應(yīng)晶
2025-12-16 10:10:09100
100IXTY2P50PA MOSFET：高性能P溝道增強型器件的深度解析
IXTY2P50PA是一款 -500 V、 -2 A的P溝道增強型MOSFET，采用了PolarPTM工藝。它具備低封裝電感的特點，易于安裝且能節(jié)省空間，同時滿足RoHS HF標準
2025-12-16 09:45:03264
264選型手冊：VS6662GS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS6662GS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-15 15:36:24220
220選型手冊：VS40200AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS40200AP是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-15 10:49:09204
204選型手冊：VS3610AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS3610AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-11 10:52:20289
289選型手冊：VS3640DS 雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS3640DS是一款面向30V低壓場景的雙通道N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配雙路低壓電源管理、小型負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-12-11 10:48:33275
275選型手冊：VS3540AC P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負電源切換、小型負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強型
2025-12-10 09:44:34249
249選型手冊：VS3510AE P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS3510AE是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，適配低壓負電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源
2025-12-08 11:16:24222
222選型手冊：VS3618AS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS3618AS是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配小型化低壓電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-08 11:10:47237
237選型手冊：VS6614DS 雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS6614DS是一款面向65V中低壓場景的雙通道N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中低壓雙路電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：雙通道N
2025-12-08 10:43:06235
235選型手冊：VS3508AP P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS3508AP是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強型功率
2025-12-05 09:51:31284
284選型手冊：VS3508AP-K P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS3508AP-K是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負電源切換、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強型功率
2025-12-05 09:38:27258
258探索NTMFS005P03P8Z：高性能P溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)
作為電子工程師，我們在設(shè)計電路時，常常需要精心挑選合適的電子元件，以確保系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運行。今天，我要和大家分享一款來自安森美半導體（onsemi）的高性能P溝道MOSFET——NTMFS005P03P8Z，深入探討它的特性、參數(shù)以及應(yīng)用場景。
2025-11-28 15:13:25308
308探索NVMYS3D8N04CL單N溝道功率MOSFET：設(shè)計與應(yīng)用解析
在電子設(shè)備的設(shè)計中，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，它對設(shè)備的性能和效率有著深遠的影響。今天，我們要深入探討的是ON Semiconductor推出的NVMYS3D8N04CL單N溝道功率MOSFET，看看它有哪些獨特的特性和優(yōu)勢。
2025-11-28 14:03:45181
181選型手冊：VS3510AP P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS3510AP是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導通電阻與高電流承載能力，適用于低壓電源管理、負載開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域
2025-11-28 11:22:59207
207選型手冊：VSP007P06MS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借超低導通電阻與高電流承載能力，適用于負載開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理系統(tǒng)
2025-11-26 15:18:29293
293?onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET是一種單通道、-30V MOSFET，尺寸為5mmx6mm，可節(jié)省空間并具有出色的熱傳導性能。這款P溝道MOSFET具有1.8mΩ的超低
2025-11-24 15:54:38333
333onsemi NTMFSS0D9N03P8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
mm封裝，具有下拉和中心柵極設(shè)計，可提高功率密度、效率和散熱性能。該N溝道MOSFET無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常適合用于ORing、電機驅(qū)動器、電源負載開關(guān)和直流/直流應(yīng)用。
2025-11-24 15:35:18262
262?基于NTTFD1D8N02P1E N通道MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)分析
安森美NTTFD1D8N02P1E N溝道MOSFET是一款雙通道25V電源夾非對稱器件。該N溝道MOSFET具有4.2mΩ HS、1.4mΩ LS和25V~DSS~~ 漏~極-源極電壓
2025-11-24 13:40:06394
394?NTJS3151P/NVJS3151P 功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) NxJS3151P單P溝道功率MOSFET是高性能MOSFET，設(shè)計用于高效開關(guān)應(yīng)用。這些安森美 (onsemi) MOSFET采用緊湊的SC-88 (SOT-363
2025-11-22 10:27:55880
880onsemi NTK3139P P溝道功率MOSFET深度解析與技術(shù)應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) NTK3139P P溝道單通道功率MOSFET采用緊湊型SOT-723封裝，內(nèi)置ESD保護功能。SOT-723封裝占位面積比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。漏
2025-11-21 15:14:29312
312選型手冊：MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應(yīng)用、負載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道
2025-11-21 10:31:06233
233選型手冊：MOT3650J N+P 增強型 MOSFET 晶體管
仁懋電子（MOT）推出的MOT3650J是一款N+P增強型MOSFET，集成N溝道與P溝道單元，憑借超低導通電阻、低柵極電荷特性，適用于計算設(shè)備電源管理、負載開關(guān)、快速無線充電、電機驅(qū)動等場景。一
2025-11-14 16:12:52519
519選型手冊：MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-溝道增強型功率MOSFET，憑借-20V耐壓、低導通電阻及高效功率處理能力，適用于PWM應(yīng)用、負載開關(guān)、電源管理等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-14 16:04:15309
309中科微電ZK40P80G：小封裝大能量的P溝道MOS管新選擇
中科微電推出的ZK40P80G P溝道MOS管，突破性地將-80A大電流、-40V高耐壓與PDFN5x6-8L緊湊封裝相結(jié)合，搭配1.5mΩ低導通電阻與成熟Trench工藝，為小型化、高功率密度設(shè)備提供了理想的功率解決方案。
2025-11-06 14:49:07260
260選型手冊：MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場景的P溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝，廣泛適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等高
2025-11-05 12:01:34245
245?STL320N4LF8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
意法半導體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。 該器件完全符合工業(yè)級標準。STL320N4LF8可降低
2025-10-29 15:48:51507
507MOT6586T N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析
一、產(chǎn)品概述MOT6586T是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強型MOSFET，采用TOLL-8L表面貼裝封裝，基于超級溝槽（SuperTrench）工藝設(shè)計，聚焦大功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車
2025-10-27 10:49:20222
222MOT1514J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析
一、產(chǎn)品概述MOT1514J是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，聚焦計算設(shè)備電源管理、快速/無線充電、電機驅(qū)動等場景，以超低導通電阻、低柵極電荷
2025-10-24 16:21:14531
531MOT3712J P 溝道 MOSFET 技術(shù)解析
一、產(chǎn)品概述MOT3712J是仁懋電子（MOT）推出的P溝道增強型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，具備高功率與電流處理能力，聚焦PWM控制、負載開關(guān)、電源管理等場景，以低導通損耗
2025-10-24 15:59:53537
537ZK100G08P應(yīng)用全景：TO-220封裝與SGT工藝驅(qū)動多場景功率控制升級
TO-220封裝，既延續(xù)了TO-220封裝在散熱與裝配上的普適性，又憑借SGT工藝突破傳統(tǒng)MOSFET的損耗瓶頸，在工業(yè)控制、消費電子、備用電源等中小型功率場景中實
2025-10-21 11:38:20301
301合科泰P溝道MOSFET HKTQ30P03P在VBUS開關(guān)中的應(yīng)用
在電子工程領(lǐng)域，VBUS開關(guān)的性能對于電子設(shè)備的穩(wěn)定運行至關(guān)重要。很多中層管理者在實際工作中，常常會遇到VBUS開關(guān)方面的各種問題，今天就來和大家深入探討這些問題，并介紹一款能有效解決問題的產(chǎn)品——HKTQ30P03P溝道MOSFET。
2025-09-08 15:48:41802
802合科泰P溝道MOSFET AO3401在智能手表中的應(yīng)用
P 溝道 MOSFET，以 SOT-23 超微型封裝與 0.05Ω 低導通電阻，為智能手表電源域控制提供理想選擇。
2025-08-12 16:45:015119
5119合科泰三款N溝道MOSFET的區(qū)別
電子電路中，封裝技術(shù)是MOSFET應(yīng)用最需要先注意的。這決定了MOS管能否嵌入手機、可穿戴設(shè)備中，或者成為其驅(qū)動電機的開始。今天，我們聚焦合科泰三款N溝道MOSFET，以SOT-23與SOT-523封裝為錨點，探尋不同封裝如何解鎖差異化應(yīng)用場景。
2025-07-10 09:44:411115
11152319AI P溝道增強型MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2319AI P溝道增強型MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-14 17:39:44
0
0ZSKY 4.2A SOT23 3401 P溝道增強型MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY 4.2A SOT23 3401 P溝道增強型MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-14 17:29:490
0ZSKY-ZS8N65A N溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-ZS8N65A N溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-14 15:57:360
0ZSKY-3401-3A SOT-23 P溝道增強型MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-3401-3A SOT-23 P溝道增強型MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-13 18:11:240
0ZSKY-3401-4.2A SOT-23-3L P溝道增強型MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-3401-4.2A SOT-23-3L P溝道增強型MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-13 17:13:010
0ZSKY-2301-2.8A-SOT-23 80K MOSFET P溝道規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2301-2.8A-SOT-23 80K MOSFET P溝道規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-13 16:42:550
02N7002KDW SOT363：小封裝、高ESD保護的N溝道MOSFET規(guī)格書
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護功能，兼具低導通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其成為便攜式設(shè)備、信號開關(guān)和ESD敏感電路的理想選擇。
2025-04-29 18:14:340
02N7002KDW SOT363：小封裝、高ESD保護的N溝道MOSFET，助力精密電路設(shè)計
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護功能，兼具低導通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其
2025-04-27 16:59:26
PFM升壓型雙節(jié)鋰電池充電控制集成電路CN3302
下降到再充電閾值時，CN3302再次進入充電狀態(tài)。CN3302最高工作頻率可達1MHz。當電池電壓低于輸入電壓或電池短路時，CN3302在片外N溝道MOSFET和P溝道MOSFET的共同作用下，用較小電流
2025-03-27 14:14:26
LT9435ASQ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT9435ASQ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-26 15:53:160
0過壓保護控制集成電路CN36B
關(guān)斷和緩慢導通外部P溝道MOSFET?？焖訇P(guān)斷可以將負載與過沖電壓快速隔離；緩慢導通可以控制負載的浪涌電流，實現(xiàn)了對負載的有效保護。CN36B采用3管腳SOT23封裝。特點:?輸入電壓高達32V?過壓
2025-03-24 13:56:45
過壓保護控制集成電路CN36A
關(guān)斷和緩慢導通外部P溝道MOSFET。快速關(guān)斷可以將負載與過沖電壓快速隔離；緩慢導通可以控制負載的浪涌電流，實現(xiàn)了對負載的有效保護。CN36A采用3管腳SOT23封裝。應(yīng)用:?小家電?便攜式裝置?醫(yī)療
2025-03-21 10:03:14
TO-252封裝N溝道MOSFET，智能機器人領(lǐng)域的首選器件
供電、執(zhí)行器控制等多個方面。特別是在需要快速響應(yīng)和高效率的場合，TO-252封裝的N溝道MOSFET更是表現(xiàn)出色。
2025-03-14 14:14:082251
2251LT40P150FJC P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT40P150FJC P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 11:28:170
0LT2209FM P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT2209FM P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 11:24:080
0LT2209FMQ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT2209FMQ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 11:21:160
0LT2209FM-X P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT2209FM-X P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 10:55:500
0LT7407FLH P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7407FLH P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-05 17:57:510
0LT7401FJT P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7401FJT P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-05 17:56:490
0LT1740SI P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1740SI P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-05 17:51:120
0LT1800FQ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1800FQ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-05 17:19:400
0LT7409SRH P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409SRH P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 17:34:230
0LT1701SI-X P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1701SI-X P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 16:43:250
0LT7407FL P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7407FL P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 16:27:130
0LT7409FL-YH P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409FL-YH P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 16:22:520
0LT7409FLX P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409FLX P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 16:20:314
4LT7409FLV P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409FLV P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 16:15:290
0LT7409FJ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409FJ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 16:11:071
1LT1702SI P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1702SI P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 16:01:251
1LT1701FMQ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1701FMQ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 15:50:250
0LT1701SI P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1701SI P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 15:47:580
0LT1701SIG P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1701SIG P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 15:45:360
0LT7407FLG P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7407FLG P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 17:41:490
0LT7407FL-YHG P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7407FL-YHG P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 16:36:543
3LTH004FPB互補增強型功率MOSFET(N和P溝道)規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004FPB互補增強型功率MOSFET(N和P溝道)規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 16:35:550
0LTH004FP互補增強型功率MOSFET(N和P溝道)規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004FP互補增強型功率MOSFET(N和P溝道)規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 16:33:590
0LT7409FJ-X P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409FJ-X P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 15:19:030
0LT7409FJ-Z P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409FJ-Z P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 15:17:560
0LT7409FLH P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409FLH P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 15:13:440
0LT7409FL P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409FL P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 15:11:432
2LT7409FL-Y P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409FL-Y P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 14:33:571
1LT7409FL-ZH P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409FL-ZH P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 14:31:380
0LT7407FL-Y P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7407FL-Y P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 14:30:530
0LT7409FL-Z P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409FL-Z P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 14:29:520
0PMDPB55XPA雙P溝道溝槽MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMDPB55XPA雙P溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-09 15:40:200
0PXP700-150QS P溝道溝槽MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PXP700-150QS P溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-09 11:36:500
0PSMN2R8-80SSF N溝道MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R8-80SSF N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-08 16:56:450
0設(shè)計SO-8封裝的詳細步驟和注意事項
設(shè)計 SO-8（Small Outline-8）芯片的 PCB 封裝需要遵循一定的規(guī)范和步驟。SO-8 是一種常見的表面貼裝封裝，具有 8 個引腳，引腳間距通常為 1.27mm（50 mil）。以下是設(shè)計 SO-8 封裝的詳細步驟和注意事項：
2025-02-06 15:24:265108
5108- 設(shè)計技術(shù)
- 可編程邏輯
- 電源/新能源
- MEMS/傳感技術(shù)
- 測量儀表
- 嵌入式技術(shù)
- 制造/封裝
- 模擬技術(shù)
- RF/無線
- 接口/總線/驅(qū)動
- 處理器/DSP
- EDA/IC設(shè)計
- 存儲技術(shù)
- 光電顯示
- EMC/EMI設(shè)計
- 連接器
- 行業(yè)應(yīng)用
- LEDs
- 汽車電子
- 音視頻及家電
- 通信網(wǎng)絡(luò)
- 醫(yī)療電子
- 人工智能
- 虛擬現(xiàn)實
- 可穿戴設(shè)備
- 機器人
- 安全設(shè)備/系統(tǒng)
- 軍用/航空電子
- 移動通信
- 工業(yè)控制
- 便攜設(shè)備
- 觸控感測
- 物聯(lián)網(wǎng)
- 智能電網(wǎng)
- 區(qū)塊鏈
- 新科技
- 特色內(nèi)容
- 專欄推薦
- 學院
- 設(shè)計資源
- 設(shè)計技術(shù)
- 電子百科
- 電子視頻
- 元器件知識
- 工具箱
- VIP會員
- 最新技術(shù)文章
- 產(chǎn)品地圖
- 品牌地圖
- 電子發(fā)燒友
- 關(guān)于我們
- 聯(lián)系我們
- 舉報投訴
- 社交網(wǎng)絡(luò)
- 微博
- 移動端
- 發(fā)燒友APP
- 硬聲APP
- WAP
- 聯(lián)系我們
- 廣告合作
- 王婉珠：wangwanzhu@elecfans.com
- 內(nèi)容合作
- 張迎輝：mikezhang@elecfans.com
-
關(guān)注我們的微信
-
下載發(fā)燒友APP
-
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長沙市望城經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)航空路6號手機智能終端產(chǎn)業(yè)園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號-1
評論