IR21592/IR21593：調(diào)光鎮(zhèn)流器控制IC的技術(shù)解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，調(diào)光鎮(zhèn)流器控制IC是一個(gè)關(guān)鍵的組件，它對(duì)于實(shí)現(xiàn)燈具的高效、穩(wěn)定調(diào)光起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來
2025-12-30 17:25:19
422 作為碳化硅 (SiC) 行業(yè)全球引領(lǐng)者的 Wolfspeed 公司在今年正式推出了全新第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技術(shù)平臺(tái)與 1200V 工業(yè)級(jí)、1200V 車規(guī)級(jí)產(chǎn)品系列，重新定義功率半導(dǎo)體器件的性能和耐久性，旨在為高功率應(yīng)用在實(shí)際應(yīng)用中帶來突破性的性能表現(xiàn)。
2025-12-22 17:32:00408 1200V CoolSiC? MOSFET評(píng)估平臺(tái)：深入解析與使用指南 在電力電子領(lǐng)域，準(zhǔn)確評(píng)估MOSFET、IGBT及其驅(qū)動(dòng)的開關(guān)特性至關(guān)重要。英飛凌的1200V CoolSiC? MOSFET
2025-12-21 10:50:03592 1200V CoolSiC? MOSFET評(píng)估平臺(tái)：設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析 作為電子工程師，我們總是在尋找性能更優(yōu)、效率更高的器件和評(píng)估平臺(tái)，以滿足不斷發(fā)展的電子系統(tǒng)需求。今天就來深入探討一下英飛凌
2025-12-21 10:45:06470 （Silicon - on - Insulator）技術(shù)，可在高達(dá)+1200V的電壓下全功能運(yùn)行。它專為IGBT和SiC MOSFET優(yōu)化設(shè)計(jì)，集成了超浮通道，適用于自舉操作。其輸出源/灌電流能力
2025-12-20 14:25:02655 - on - Insulator）技術(shù)，能在高達(dá)1200V的電壓下全功能運(yùn)行。該驅(qū)動(dòng)器具有以下顯著特點(diǎn)： 寬電壓范圍與高耐壓 ：偏移電壓（VOFFSET）≤ 1200
2025-12-20 14:20:09587 2ED1322S12M/2ED1321S12M：1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電力電子領(lǐng)域，對(duì)于IGBT或SiC MOSFET功率器件的高效控制一直是工程師們關(guān)注的焦點(diǎn)。今天，我們就來
2025-12-20 11:30:021308 EiceDRIVER? 1200V高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器.pdf 產(chǎn)品概述 這兩款驅(qū)動(dòng)器屬于2ED132x系列，專為控制半橋配置中最大阻斷電壓為+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件而設(shè)計(jì)
2025-12-20 11:15:12666 近日，安世半導(dǎo)體在碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力再次獲得行業(yè)權(quán)威認(rèn)可。1200 V SiC MOSFET產(chǎn)品系列憑借卓越的創(chuàng)新設(shè)計(jì)與可靠性能，接連將兩項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng)收入囊中：一項(xiàng)是由國際知名媒體
2025-12-11 15:25:38331 
1200V/10μF超高壓鋁電解電容在工業(yè)變頻器中可作為輔助濾波或小功率場景核心濾波元件，但需結(jié)合其耐壓、容量特性及工業(yè)變頻器需求綜合評(píng)估適用性。 以下從耐壓性能、容量特性、工業(yè)變頻器需求匹配性
2025-12-08 10:57:02235 在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天，我們就來深入探討安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
2025-12-04 15:19:05412 
在電子工程師的日常工作中，選擇合適的功率開關(guān)器件至關(guān)重要。今天，我們要深入探討一款名為UF4SC120023B7S的1200V、23mΩ G4 SiC FET，看看它能為我們的設(shè)計(jì)帶來哪些驚喜。
2025-12-02 11:19:40431 
11月25日，英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎(jiǎng)（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半導(dǎo)體
2025-11-26 09:32:50568 
在微電子行業(yè)混久了的人，很少有不知道 IGBT 的。 圖示為IGBT模塊MG15P12P2：15A 1200V 7單元 IGBT的英文全稱和基礎(chǔ)概念對(duì)于電子技術(shù)程序員來說，想必已經(jīng)耳熟能詳。然而
2025-11-25 17:38:091066 
EasyPACK1C1200V13mΩ四單元模塊，搭載第二代CoolSiCMOSFET技術(shù)，集成NTC溫度傳感器，采用大電流PressFIT引腳，并預(yù)涂2.0代導(dǎo)熱界面材料。產(chǎn)品型號(hào)：■F4
2025-11-24 17:05:151202 onsemi EVBUM2880G-EVB評(píng)估板設(shè)計(jì)用于評(píng)估1200V M3S半橋2包F1封裝模塊。Onsemi EVBUM2880G-EVB電路板可用于半橋模塊的雙脈沖開關(guān)測試和開環(huán)功率測試，包括
2025-11-24 14:43:49277 
安森美 (onsemi) AFGH4L60T120RWx-STD N溝道場截止VII IGBT采用新型第七代場截止IGBT技術(shù)和第七代二極管，封裝形式為4引腳。該IGBT的集電極-發(fā)射極電壓 (V
2025-11-21 15:44:39672 
賦能森林消防和應(yīng)急救援裝備新質(zhì)生產(chǎn)力，展示森林消防和應(yīng)急救援新產(chǎn)品、新技術(shù)、新成果，由中國消防協(xié)會(huì)森林消防分會(huì)、中國林學(xué)會(huì)森林與草原防火專業(yè)委員會(huì)舉辦的“第八屆全國森林消防裝備展暨應(yīng)急救援裝備展會(huì)
2025-11-20 09:12:031097 
在全球追求更高能源效率和更小功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的浪潮中，以碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料正以前所未有的速度重塑電力電子行業(yè)。三安推出的SDS120J010C3是一款1200V級(jí)別的碳化硅
2025-11-17 10:42:32182 2025年11月5日至10日，第八屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)于上海國家會(huì)展中心隆重舉辦。格陸博科技攜手畢馬威在7.2館A1-11展臺(tái)聯(lián)合參展，聚焦“智能底盤技術(shù)新未來”主題，帶來多項(xiàng)創(chuàng)新成果，受到與會(huì)嘉賓的廣泛關(guān)注。
2025-11-11 15:20:05314 
作為“老朋友”，愛立信連續(xù)第八年亮相進(jìn)博會(huì)。今年恰逢中瑞建交75周年。11月5日上午，瑞典鄉(xiāng)村事務(wù)大臣Peter Kullgren與瑞典駐華大使歐思誠一行，在瑞典貿(mào)易投資委員會(huì)的陪同下，蒞臨愛立信展臺(tái)參觀。他們聆聽了關(guān)于愛立信的展臺(tái)介紹，并對(duì)愛立信在中國的發(fā)展表示了贊許。
2025-11-10 15:58:124446 11月5日，為期6天的第八屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)在上海國家會(huì)展中心啟幕，本屆進(jìn)博會(huì)以“新時(shí)代，共享未來”為主題，匯聚全球新品與前沿技術(shù)，旨在打造國際共享的合作平臺(tái)。中興通訊攜“6G空天地一體”主題方案亮相國家展中國館，向公眾展示了空天地融合通信領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破與設(shè)備應(yīng)用。
2025-11-07 17:37:01726 第八屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)于11月5日正式開幕。奧迪連續(xù)第八年參展進(jìn)博會(huì)，并攜重磅車型奧迪 E5 Sportback迎來進(jìn)博會(huì)首秀，彰顯其在電動(dòng)化轉(zhuǎn)型之路上的關(guān)鍵突破，更以德系豪華底蘊(yùn)和中國前瞻智能科技的深度融合，詮釋豪華出行的未來圖景。
2025-11-07 13:50:47491 作為全球領(lǐng)先的技術(shù)和服務(wù)供應(yīng)商，博世攜智能出行、智慧家居和智能制造三大領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案亮相第八屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)（以下簡稱“進(jìn)博會(huì)”）。在位于二號(hào)館汽車展區(qū)的展臺(tái)（展位號(hào)2.1A3-02）上
2025-11-05 17:51:25595 10月29日，第八屆“藍(lán)點(diǎn)獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)盛典在深圳國際會(huì)展中心隆重舉行。致力于MLCC（片式多層陶瓷電容器）研發(fā)與制造的領(lǐng)先企業(yè)——宇陽科技，憑借其卓越的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力與行業(yè)貢獻(xiàn)，成功斬獲 “創(chuàng)新突破獎(jiǎng)”。
2025-11-03 17:11:32617 陸芯科技正式推出1200V15A GEN3 IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為YGW15N120TMA1。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái)，PitchSize 1.6um，TO247封裝。
2025-10-30 17:21:521815 
致力于更安全、更綠色、更互聯(lián)未來的全球科技公司安波福（紐約證券交易所代碼：APTV）今日宣布，正式推出其目前為止最先進(jìn)的第八代雷達(dá)系列。該技術(shù)專為滿足未來高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的發(fā)展需求而設(shè)
2025-10-22 11:49:08503 總線電壓下具有出色的短路能力，因此非常適用于此類應(yīng)用。此外，~VCE(sat)~ 溫度系數(shù)微正，參數(shù)分布非常緊密，有助于實(shí)現(xiàn)更安全的并聯(lián)操作。GWA40MS120DF4AG汽車級(jí)IGBT具有1200V
2025-10-20 14:54:592027 
今天，“第八屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)政要接待用車交車儀式”在上汽大廈舉行。11月5日至10日，第八屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)將正式在上海召開，積極展現(xiàn)我國與世界開放融通的姿態(tài)，彰顯我國與世界攜手共進(jìn)的胸懷
2025-10-17 16:18:03511 近日，《廣東省人民政府關(guān)于表彰第八屆廣東省政府質(zhì)量獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)組織的通報(bào)》發(fā)布，德賽西威榮獲“第八屆廣東省政府質(zhì)量獎(jiǎng)”。
2025-09-29 13:56:22559 近日，畢馬威中國汽車行業(yè)峰會(huì)暨第八屆汽車科技50榜單發(fā)布會(huì)于上海成功舉辦，Nullmax 憑借在智能駕駛領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與量產(chǎn)成果再度登榜，連續(xù)兩年獲評(píng)領(lǐng)先企業(yè)。
2025-09-20 16:42:261506 揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管，產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺(tái)，極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗，產(chǎn)品參數(shù)一致性好，可靠性優(yōu)良，適用于伺服、變頻器等各類中低頻應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-09-18 18:01:392486 
推出全新DualPack 3（DP3）系列電源模塊。該系列模塊采用先進(jìn)IGBT7技術(shù)，提供1200V和1700V兩種電壓等級(jí)的六款產(chǎn)品，額定電流范圍300–900A，旨在滿足市場對(duì)緊湊、經(jīng)濟(jì)高效且簡化的電源轉(zhuǎn)換器解決方案的日益增長需求。
2025-09-17 15:45:45911 基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03976 
2025年8月21日，MPS “第八屆新能源汽車電源與EMI優(yōu)化技術(shù)研討會(huì)”成功舉辦。美國佛羅里達(dá)大學(xué)終身正教授、EMI專家王碩老師以及MPS多位技術(shù)專家?guī)砹宋宕笾黝}演講，深度覆蓋了新能源汽車48V電源系統(tǒng)架構(gòu)創(chuàng)新與電磁干擾（EMI）優(yōu)化等前沿技術(shù)與解決方案。
2025-09-10 14:22:53881 新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ，TO247-4引腳IMZA封裝，確保安裝兼容性并可輕松替換現(xiàn)有
2025-09-08 17:06:34931 1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401034 近日，第八屆（蘇州）電動(dòng)工具控制與充電技術(shù)研討會(huì)在蘇州隆重舉行。本次活動(dòng)匯聚了電動(dòng)工具行業(yè)上下游的眾多知名企業(yè)、行業(yè)專家與技術(shù)精英，共同探討行業(yè)前沿技術(shù)與發(fā)展趨勢。中微愛芯攜多款電機(jī)方案及芯片產(chǎn)品精彩亮相。
2025-08-30 11:44:391086 
2025年8月22日，靈動(dòng)微電子攜MM32 MCU電機(jī)控制領(lǐng)域的全系列創(chuàng)新產(chǎn)品與解決方案亮相第八屆電動(dòng)工具控制與充電技術(shù)探討會(huì)，產(chǎn)品覆蓋超值型、主流型和高性能型的多類應(yīng)用場景，以“多快好省”為核心優(yōu)勢，助力電機(jī)控制行業(yè)向高效化、智能化、集成化方向發(fā)展。
2025-08-28 09:51:445986 近日，山東大學(xué)&華為聯(lián)合報(bào)道了應(yīng)用氟離子注入終端結(jié)構(gòu)的1200V全垂直Si基GaN溝槽MOSFET（FIT-MOS）。氟離子注入終端（FIT）區(qū)域固有的具有負(fù)性電荷成為高阻區(qū)域，天然地隔離
2025-08-26 17:11:42758 
陸芯科技正式推出1200V50A GEN3 IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為YGW50N120TMA1。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái)，PitchSize 1.6um，TO247封裝。
2025-08-21 14:46:181565 
8月22日，由Big-Bit商務(wù)網(wǎng)主辦的第八屆（蘇州）電動(dòng)工具控制與充電技術(shù)研討會(huì)暨2025’清潔電器技術(shù)創(chuàng)新論壇將在蘇州尼盛萬麗酒店舉行。
2025-08-20 15:13:08956 新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展CoolSiC1200VMOSFET（頂部散熱Q-DPAK單管封裝）專為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于電動(dòng)汽車充電、光伏
2025-08-11 17:04:311132 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，三安光電在投資者平臺(tái)上表示，其主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在國內(nèi)頭部電動(dòng)車企客戶處的摸底模塊驗(yàn)證已完
2025-08-10 03:18:008198 CoolSiCMOSFET技術(shù)1200V、17mΩ，配備NTC和PressFIT壓接技術(shù)。另一個(gè)模塊基于TRENCHSTOPIGBT7技術(shù)1200V、100A，配備
2025-07-31 17:04:34835 基本半導(dǎo)體推出的? BMF008MR12E2G3（1200V/160A） ?和? BMF240R12E2G3（1200V/240A） ?兩款 SiC MOSFET 模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器（PCS
2025-07-31 09:26:34587 
近期，華為旗下海思技術(shù)有限公司正式進(jìn)軍碳化硅功率器件領(lǐng)域，推出了兩款1200V工規(guī)SiC單管產(chǎn)品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4，專門面向工業(yè)高溫、高壓場景場景。圖片
2025-07-29 06:21:51677 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近，意法半導(dǎo)體
推出了一款面向大功率家電應(yīng)用的第二
代IH系列1600
V IGBT STGWA30IH160DF2，該器件兼具1600
V的額定擊穿電壓、優(yōu)異的熱性能和軟開關(guān)拓?fù)?/div>
2025-07-28 07:29:003529 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近海思半導(dǎo)體在官網(wǎng)上架了兩款工規(guī)1200V SiC MOSFET單管產(chǎn)品，ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1T4，導(dǎo)通電阻分別為20mΩ和35mΩ。海思
2025-07-27 07:12:002508 
近日，第八屆智能輔助駕駛大會(huì)在上海成功閉幕。本次大會(huì)吸引了智能駕駛領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)代表及行業(yè)從業(yè)者，共同探討智能輔助駕駛技術(shù)的最新進(jìn)展與未來趨勢。
2025-07-26 11:04:46815 近日，北京賽目科技股份有限公司首席技術(shù)官楊強(qiáng)在2025第八屆智能輔助駕駛大會(huì)測試驗(yàn)證專場發(fā)表主題演講，系統(tǒng)闡述了智能網(wǎng)聯(lián)汽車安全驗(yàn)證策略與仿真工具鏈，為行業(yè)破解安全驗(yàn)證難題提供了清晰路徑。
2025-07-24 17:49:011033 
近期，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬顆，為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231043 
近日，知名半導(dǎo)體公司恩智浦(NXP)宣布推出兩款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二極管。這些新產(chǎn)品的推出旨在滿足日益增長的工業(yè)電源應(yīng)用需求，特別是在超低功率損耗整流方面。這一創(chuàng)新不僅將
2025-07-15 09:58:39918 
零代碼平臺(tái)是一種無需編寫傳統(tǒng)代碼，通過可視化拖拽、參數(shù)配置、邏輯連線即可快速搭建業(yè)務(wù)流程與應(yīng)用系統(tǒng)的工具平臺(tái)。它將復(fù)雜的軟件開發(fā)過程轉(zhuǎn)化為 “搭積木” 式的操作，讓非技術(shù)人員（如業(yè)務(wù)人員、運(yùn)營人員
2025-07-12 20:28:23
1200V STGSH50M120D將采用半橋配置的二極管和IGBT集成在一個(gè)ACEPACK SMIT封裝中。該器件將M系列溝槽柵極場截止IGBT的穩(wěn)健性與頂部冷卻ACEPACK SMIT表面貼裝封裝出色的可靠性和散熱性能相結(jié)合。
2025-07-11 17:32:411862 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC20120J
2025-07-11 17:06:07912 的設(shè)計(jì)，成為工業(yè)逆變器、伺服驅(qū)動(dòng)和不間斷電源等應(yīng)用的理想選擇。本文將為您詳細(xì)介紹這款產(chǎn)品的關(guān)鍵特性和應(yīng)用優(yōu)勢。 產(chǎn)品概述 DGW40N120CTLQ是一款1200V/40A的IGBT分立器件，采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝。該產(chǎn)品不僅集成了IGBT芯片，還內(nèi)置了快速軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管（FWD），
2025-06-26 13:53:201103 
極型晶體管（IGBT）和快速恢復(fù)二極管（FWD），適用于多種高功率應(yīng)用場景，展現(xiàn)了揚(yáng)杰電子在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力。 產(chǎn)品概述 MG35P12E1A是一款電壓等級(jí)為1200V、額定電流35A的IGBT模塊，其設(shè)計(jì)兼顧了高效能與可靠性。模塊采用低電感封裝技術(shù)，具有低
2025-06-18 17:52:14645 
在全球制造業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型浪潮中，IMC 2025第八屆智造數(shù)字科技大會(huì)將于2025年6月20日在北京盛大開幕。
2025-06-18 11:45:08960 新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊，增強(qiáng)型1代M1H芯片、集成NTC
2025-06-10 17:06:211297 。 一、電氣應(yīng)力超限 1. 過電壓沖擊 ●?開關(guān)瞬態(tài)過電壓：IGBT在關(guān)斷瞬間，線路寄生電感會(huì)因電流突變產(chǎn)生尖峰電壓（(L cdot di/dt)）。若緩沖電路（如RC吸收電路）設(shè)計(jì)不當(dāng)或失效，電壓可能超過IGBT的額定耐壓值（如1200V器件承受1500V以上），導(dǎo)致絕
2025-06-09 09:32:582364 陸芯科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為AU40N120T3A5。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench Gen3平臺(tái)，PitchSize 1.6um，TO247封裝。
2025-05-27 12:04:171070 
格平科技推出1200W可編程開關(guān)電源
輸出電壓12V83.3A;15V80A;24V50A;30V40A;36V33.3A;48V25A;60V20A;400V3A
2025-05-20 09:51:12
新品儲(chǔ)能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊，采用EasyPACK3B封裝和最新開發(fā)的1200
2025-05-16 17:08:47822 ，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET，為電動(dòng)汽車行業(yè)注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。
2025-05-14 17:55:021060 納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301341 新品EasyDUAL1B和2B，1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B，2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術(shù)，電流等級(jí)涵蓋75A
2025-05-13 17:04:461312 近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲(chǔ)能等
2025-05-09 11:45:401018 
近日，技術(shù)先進(jìn)的CMOS圖像傳感器供應(yīng)商思特威(SmartSens，股票代碼688213)，全新推出1200萬像素 AI眼鏡 應(yīng)用CMOS圖像傳感器—— SC1200IOT 。產(chǎn)品基于思特威先進(jìn)
2025-05-08 18:15:003967 
近日，第八屆數(shù)字中國建設(shè)峰會(huì)在福建省福州市完美落幕。本次峰會(huì)由國家發(fā)展改革委、國家數(shù)據(jù)局、工業(yè)和信息化部、福建省人民政府等聯(lián)合主辦，聚焦前沿技術(shù)與創(chuàng)新應(yīng)用，為觀眾帶來一場科技與創(chuàng)新成果交融的數(shù)字盛宴。
2025-05-08 16:34:43757 （Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品，旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應(yīng)用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比，該系列產(chǎn)品在高負(fù)載條件下能夠保持較低導(dǎo)通損耗的同時(shí)，其開關(guān)品質(zhì)因數(shù)
2025-05-07 10:56:10728 
近日，第八屆數(shù)字中國建設(shè)峰會(huì)在福州開幕。中國電科以“乘數(shù)而上，以智致遠(yuǎn)”為主題，通過“數(shù)字新技術(shù)、數(shù)據(jù)新裝備、數(shù)智新場景”三大板塊亮相峰會(huì)現(xiàn)場體驗(yàn)區(qū)，全方位展示數(shù)字科技領(lǐng)域創(chuàng)新實(shí)力。
2025-05-06 16:44:361017 近日，以“二十五載奮進(jìn)路 數(shù)字中國譜新篇——數(shù)智引領(lǐng)高質(zhì)量發(fā)展”為主題的第八屆數(shù)字中國建設(shè)峰會(huì)在福州開幕。
2025-05-06 16:37:23896 。英飛凌發(fā)布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特別針對(duì)400V和800V電動(dòng)汽車架構(gòu)的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng)，相
2025-05-06 14:08:48714 
在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下，如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋，成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專為高頻應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。依托先進(jìn)工藝平臺(tái)與系統(tǒng)化設(shè)計(jì)能力，為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅(qū)動(dòng)力。
2025-04-29 14:43:471042 近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計(jì)，具備更快的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于
2025-04-25 11:39:28987 
2025年4月16日，在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上，方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，性能達(dá)到國際頭部領(lǐng)先水平。
2025-04-17 17:06:401384 新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFETM1H增強(qiáng)型1代、集成NTC溫度傳感器
2025-04-17 17:05:15804 在高電壓和高效率應(yīng)用領(lǐng)域，SemiQ作為一家領(lǐng)先的設(shè)計(jì)和開發(fā)企業(yè)，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，以滿足
2025-04-17 11:23:54722 
只有600V、25A。很長一段時(shí)間內(nèi)，耐壓水平限于1200V～1700V，經(jīng)過長時(shí)間的探索研究和改進(jìn)，現(xiàn)在IGBT的電壓、電流額定值已分別達(dá)到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓
2025-04-09 15:02:01
近期，中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟正式公布第八屆“IC創(chuàng)新獎(jiǎng)”獲獎(jiǎng)名單。華大半導(dǎo)體旗下北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司自主研發(fā)的CIU98M50安全芯片，榮獲第八屆“IC創(chuàng)新獎(jiǎng)”——技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)。這一獎(jiǎng)項(xiàng)不僅是對(duì)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新的高度認(rèn)可，更是對(duì)其在安全芯片領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化成果的有力肯定。
2025-04-03 17:27:33995 （1.1 eV），高溫下本征載流子濃度呈指數(shù)級(jí)增長。當(dāng)溫度從25°C升至175°C時(shí)，漏電流（如ICES）可從微安級(jí)升至毫安級(jí)（例如某IGBT在1200V下的漏電流從20μA升至50mA）。漏電流增大會(huì)導(dǎo)致靜態(tài)功耗（Pleakage=VCE×ICES）顯著上升，引發(fā)局部溫升，形成熱失控循環(huán)，最終
2025-03-31 12:12:081420 
隨著功率半導(dǎo)體IGBT，SiCMOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化，電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場景越來越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅(qū)動(dòng)芯片電流可達(dá)+/-2.3A
2025-03-24 17:43:4010957 派恩杰半導(dǎo)體上新 ；1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊，內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性！
2025-03-24 10:11:323811 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11963 
安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。
2025-03-19 14:31:281103 近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號(hào)為SPM31。這款以金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)為基礎(chǔ)的模塊，憑借卓越的能效
2025-03-18 11:34:56857 
英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:321135 陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901 
380V，這與掘進(jìn)機(jī)正常運(yùn)轉(zhuǎn)所需的 1140V 或 1200V 電壓相差甚遠(yuǎn)。此時(shí)，一款功率達(dá) 800kva，能夠?qū)?380V 欠壓升至 1140V 或 1200V 且可靈活切換的升壓器，成為解決掘進(jìn)機(jī)電力難題的核心裝備。 一、隧道掘進(jìn)現(xiàn)場電力困境剖析 在偏遠(yuǎn)的隧道施工現(xiàn)場
2025-02-19 09:46:50891 
1200V 工作電壓存在巨大差距。此時(shí)，一款能夠?qū)?380V 低電壓升壓至 1140V 或 1200V，并可輸出 2 組電壓，配備 IP54 機(jī)箱的變壓器，成為解決隧道掘進(jìn)機(jī)電力難題的關(guān)鍵設(shè)備。 一、隧道施工中的電力困境 在偏遠(yuǎn)的隧道施工現(xiàn)場，電力從變電站傳輸至作業(yè)區(qū)域，距
2025-02-19 09:43:12704 
在大型隧道掘進(jìn)工程中，掘進(jìn)機(jī)的高效運(yùn)轉(zhuǎn)是保障工程進(jìn)度與質(zhì)量的關(guān)鍵。然而，遠(yuǎn)距離輸電致使施工現(xiàn)場電壓常降至 380V，與掘進(jìn)機(jī)所需的 1200V、1250V 甚至 1500V 工作電壓相差甚遠(yuǎn)。此時(shí)
2025-02-19 09:39:47892 
近日，碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed推出了其全新的第4代MOSFET技術(shù)平臺(tái)。該平臺(tái)在設(shè)計(jì)之初就充分考慮了耐久性和高效性，旨在為高功率應(yīng)用帶來突破性的性能表現(xiàn)。 作為碳化硅技術(shù)
2025-02-17 10:28:44943 據(jù)韓媒The Elec報(bào)道，三星顯示(Samsung Display)已決定推遲其第八代OLED面板生產(chǎn)線的安裝計(jì)劃。這一決定背后，是OLED iPad銷售表現(xiàn)不佳以及蘋果推遲發(fā)布OLED
2025-02-14 13:55:41977 近日，“中國卓越IR年度評(píng)選”結(jié)果在“2025上市公司投資者關(guān)系創(chuàng)新峰會(huì)暨第八屆中國卓越IR頒獎(jiǎng)盛典”上隆重揭曉。成都華微電子科技股份有限公司（以下簡稱“成都華微”）在該評(píng)選中榮膺“最佳年度新銳公司”。
2025-01-15 14:41:28866 近日，上海概倫電子股份有限公司（688206.SH）在第八屆中國卓越IR評(píng)選中榮膺“最佳資本市場溝通獎(jiǎng)”、“35 UNDER 35”等三大獎(jiǎng)項(xiàng)。該獎(jiǎng)項(xiàng)評(píng)選結(jié)果于2025年1月7日舉行的“路演中國
2025-01-09 19:12:081088 我們也發(fā)現(xiàn)Schweizer在更早前其實(shí)就已經(jīng)推出了名為P2的封裝方案，這個(gè)方案同樣是將功率半導(dǎo)體嵌入PCB中。他們?cè)?023年開始與英飛凌合作開發(fā)，將英飛凌1200V CoolSiC芯片嵌入到PCB中的技術(shù)，并應(yīng)用到電動(dòng)汽車上。 ? P 2封裝的優(yōu)勢和應(yīng)用 ? 根據(jù)
2025-01-07 09:06:134389 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)XD040Q120AM1S3國產(chǎn)IBGT管40A 1200V，原裝現(xiàn)貨 XD040Q120AM1S3 芯達(dá)茂XDM 40A 1200V
2025-01-06 11:46:25
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