8Gb DDR4生產率提高20%以上，下半年量產 據(jù)筆者此前獲悉，在今年3月，三星開始大規(guī)模量產12GB 低功耗雙倍數(shù)率的LPDDR4X后，三星又宣布首次開發(fā)出第三代10nm級1z nm 8Gb雙倍
2019-10-22 10:41:21
5509 基于臺積電5nm制程的芯片高出20%-30%，因此三星的5nm也被不少人認為是“翻車”的一代產品。 ? 當然，如今各家晶圓代工廠對于工藝節(jié)點上的命名更像是玩“數(shù)字游戲”。比如三星當年的8nm工藝就跟臺積電10nm的晶體管密度幾乎相同，而英特爾最近也將他們原本的10nm Enha
2021-10-09 09:17:004872 FinFET制程技術量產階段的臺積電，也傳出將投入大量研發(fā)資金確保10nm制程技術發(fā)展進度，預期將進一步與三星抗衡，至于Intel方面也確定將在 2016年下半年間進入10nm制程技術量產。
2015-05-28 10:23:161272 Samsung 5 日宣佈正式量產全球首款採用 10nm 制程生產的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導體市場邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個量產 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領先。
2016-04-06 09:04:56893 三星本周宣布，將定于今年晚些時候投產第二代10nm芯片生產工藝。目前，三星已經在美國硅谷開始向多個半導體公司推廣自家的14nm工藝。臺積電計劃在2017年上半年試產7nm工藝，目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 10nm新工藝難產，Intel不得不臨時增加了第三代的14nm工藝平臺Kaby Lake，但即便如此進展也不快，Intel甚至將其描述為“2017年平臺”（2017 Platform）。
2016-07-11 09:44:081482 臺積電和三星都將在明年規(guī)模量產10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會蜂擁而上，搶占制高點，據(jù)說第一個將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591311 TSMC在FinFET工藝量產上落后于Intel、三星，不過他們在10nm及之后的工藝上很自信，2020年就會量產5nm工藝，還會用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 10:47:091380 臺積電和三星電子的制程大戰(zhàn)打得如火如荼，據(jù)傳臺積電7nm制程有望提前在明年底量產，遠遠超前對手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經率先進入量產，領先同業(yè)。
2016-10-18 09:48:511079 
據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內存芯片采用16Gb顆粒，10nm級（10nm~20nm之間）工藝制造，可實現(xiàn)與20nm級4
2016-10-20 10:55:482245 今日早報：英特爾收購虛擬現(xiàn)實廠商Voke；三星第三代10nm制程細節(jié)公布；中芯深圳啟動華南首條12英寸集成電路生產線項目；萊迪思半導體接受中資背景Canyon Bridge收購要約；我國可穿戴醫(yī)療
2016-11-04 09:39:033104 今年底明年初TSMC、三星的10nm工藝就會量產了，Intel的真·10nm處理器也會在明年下半年發(fā)布，而GlobalFoundries已經確定跳過10nm節(jié)點，他們下一個高性能工藝直接殺向了7nm，也不再選擇三星授權，是自己研發(fā)的。
2016-11-08 11:57:171360 我們應當知道的是，三星目前還沒有推出很多10nm工藝的產品：只有三星自己的Exynos系列和三星為高通代工的835芯片是使用了三星的10nm工藝。
2017-05-09 08:24:35911 此外，三星還計劃在今年下半年批量生產基于第三代10nm 級(1z)工藝技術的16Gb LPDDR5產品，以配合6400Mb / s 芯片組的開發(fā)。這將有利于三星進一步鞏固其在高端移動設備、高端個人電腦和汽車應用程序等市場的競爭優(yōu)勢。
2020-02-25 18:39:173713 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產線已開始量產業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動產品內置內存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543513 5月10日消息 南韓近期啟動「X-band GaN國家計劃」沖刺第三代半導體，三星積極參與。由于市場高度看好第三代半導體發(fā)展，臺積電、世界等臺廠均已卡位，三星加入南韓官方計劃沖刺第三代半導體布局，也
2021-05-10 16:00:573039 較為激進的技術路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內存邏輯芯片的初步測試生產中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
硅材料的研究也非常透徹?；诠璨牧仙掀骷脑O計和開發(fā)也經過了許多代的結構和工藝優(yōu)化和更新，正在逐漸接近硅材料的極限，基于硅材料的器件性能提高的潛力愈來愈小。以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體具備優(yōu)異
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動通信技術。相對于第一代模擬制式手機（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機（２Ｇ）來說，第三代手機是指將無線通信與國際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
）第三代紅外攝像機技術散熱性能好、發(fā)光點大、亮度高等特點大大提高了紅外燈的使用效率，并且采用獨特的COB封裝技術能有效地將紅外燈5年內的光衰減控制在10%以內，比陣列式的使用壽命延長5年。在使用壽命上
2011-02-19 09:35:33
是激光紅外與傳統(tǒng)紅外的4-5倍，散熱性能良好，質量等級高，將廣泛應用安放民用市場與工程項目市場。IR-III與激光紅外差別距離：帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機產品照射距離30～100米，適合中短
2011-02-19 09:38:46
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
臺積電與三星的10nm工藝。智能手機的普及，大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式，言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來自于人性”依舊適用，人們對于智能手機的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標。就像
2018-06-14 14:25:19
據(jù)業(yè)內權威人士透露，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導體產業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導體產業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動通信答復：第三代移動通信系統(tǒng)IMT2000，是國際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當時稱為陸地移動系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動通信技術的興起，UMTS網(wǎng)絡的建立將帶來一場深刻的革命，這對網(wǎng)絡規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國轟動一時的UMTS執(zhí)照拍賣，引起了公眾對這一新技術的極大興趣。第三代移動通信網(wǎng)絡的建設正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術即紅外夜視第三代技術，根植于上世紀60年代美國貝爾實驗室發(fā)明的紅外夜視技術，屬于一種主動式紅外
2011-02-19 09:34:33
基于第三代移動通信系統(tǒng)標準的ALC控制方案的設計與實現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38
家族中的新成員?！ ∠噍^于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降?！ 』景雽w第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
本文討論了移動通信向
第三代(3G)標準的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機關鍵技術與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機的設計和測得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機IC進行展示和說明?！ ?/div>
2019-06-14 07:23:38
開始生產。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨吃蘋果處理器大單的新記錄，2017年營收持續(xù)增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內存，并將于今年下半年上市。這樣一來，臺積電和三星以及蘋果的性能之爭，就轉移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
第三代LonWorks技術和產品介紹
文章介紹了第三代LonWorks技術的應用方向和結構，以及美國Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks產品以及它們的主要技術特點
2010-03-18 09:55:04
17 Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎。這些處理器具有內置AI加速、先進的安全技術和出色的多插槽處理性能，設計用于任務關鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內存速度和增加內存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進的安全技術以及內置工作負載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?可擴展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴展處理器（第三代）針對云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡、安全和IoT工作負載進行了優(yōu)化，具有8到40個強大的內核和頻率范圍、功能和功率級別
2024-02-27 11:58:54
三星首家量產40nm級工藝4Gb DDR3綠色內存芯片
三星電子宣布，該公司已經在業(yè)內第一家使用40nm級別工藝批量生產低功耗的4Gb DDR3內存芯片。
這種內存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 三星電子今天宣布，已經完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:451660 據(jù)一向不靠譜的臺灣媒體DigiTimes報道，蘋果將于今年夏季發(fā)布新款第三代iPad。新款第三代iPad將配備來自夏普的IGZO顯示屏，這種技術將使iPad變得更薄，電池更耐用。在第三代iPad發(fā)布之
2012-06-30 11:48:16724 本月，三星電子宣布實現(xiàn)10nm級別工藝DDR4 DRAM內存顆粒的量產，再次拉大與“三國殺”剩下兩個玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031381 日前在深圳召開的2016三星移動解決方案論壇上，這家韓國OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內存。和現(xiàn)有芯片和6GB內存芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產工藝，承諾帶來更快更高效的內存。
2016-05-23 15:20:391455 2016年半導體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營，下一個節(jié)點是10nm，三方都會在明年量產，不過
2016-05-30 11:53:531179 導語：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星電子宣布已經開始采用10nm FinFET工藝量產邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時間，韓國《電子時報》報道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 特爾的10nm工藝可是要完全領先臺積電和三星的10nm工藝。
2017-01-09 11:46:041029 %的性能提升。 那么我們不禁要問，Intel的10nm怎么了? 先就本次投資會議，Intel表示，數(shù)據(jù)中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在CES上，CEO柯再奇曾證實，搭載10nm芯片筆記本產品會在今年底出貨。 這其實不難理解。由于8代酷睿還是下半年上市，局面很可能是
2017-02-11 02:23:11431 三星Galaxy S8和蘋果的iPhone 8都將進入10nm時代，兩者將分別搭載基于10nm工藝的驍龍835和A11芯片，不過現(xiàn)據(jù)臺媒《電子時報》報道，業(yè)內10nm工藝陷入良品率不理想的困境，預計Galaxy S8和iPhone 8將出現(xiàn)供不應求的情況，而由于三星S8發(fā)布更早，遭受的影響也更大。
2017-03-03 22:39:21679 三星今天宣布，繼去年10月率先量產10nm工藝移動芯片后，日前已經完成了第二代10nm的質量驗證工作，即將量產。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，繼去年10月率先量產10nm工藝移動芯片后，日前已經完成了第二代10nm的質量驗證工作，即將量產。下面就隨網(wǎng)絡通信小編一起來了解一下相關內容吧。下面就隨半導體小編一起來了解一下相關內容吧。
2017-04-23 10:19:411823 據(jù)韓媒報道，高通已經與三星攜手，合作開發(fā)下一代手機處理器。繼去年10月份三星率先量產第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 臺積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582 據(jù)報道，三星第二代10nm級別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經正式投產了，8Gb DDR4顆粒采取了先進的專用電路設計技術，比初代10nm級別（1x-nm）的高30%，并且高頻內存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強。據(jù)報道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤高達98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 目前在售的紫光DDR4內存并沒有使用國產顆粒，而是SK Hynix顆粒，是韓國公司的顆粒，也就是說現(xiàn)在的國內DDR4內存依然是掛羊頭賣狗肉，跟市場上其他內存條沒有什么區(qū)別，國產的只是PCB之類的。不過店家也很坦誠，說紫光顆粒的DDR4內存下半年問世。
2018-03-05 09:36:013569 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經能量產10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內存、GDDR5顯存和DDR4內存等。據(jù)報道，三星悄悄啟動了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 繼5G、新基建后，第三代半導體概念近日在市場上的熱度高居不下。除了與5G密切相關外，更重要是有證券研報指出，第三代半導體有望納入重要規(guī)劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒，有個人投資者
2020-09-21 11:57:554538 根據(jù)報道，三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內存已經量產，相比第一代，雖然性能沒有提升，但是功耗再降10％，可使手機平板等移動設備更省電。
2018-07-26 16:56:231229 12月20日，三星宣布已開始量產第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴大整體10nm級DRAM的生產，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內存模組，用于高性能筆記本產品。新的內存模組容量達到32GB單條，頻率2666MHz，結構上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 如之前預告的那樣，在三星開始量產基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 內存芯片現(xiàn)在也已經拍馬趕到了。早些時候官方公布了開始大規(guī)模量產這款零件
2018-08-13 11:16:004093 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進入量產，并表示基于EUV光刻技術的7LPP工藝對比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449 三星電子今天宣布，開始量產業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動態(tài)隨機存取存儲器）。自開始批量生產第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320 華虹半導體有限公司（“華虹半導體”）宣布其第三代90納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺已成功實現(xiàn)量產。
2019-06-27 16:22:384416 柏燕民表示，中興的5G芯片已經發(fā)展到了第三代產品，基于7納米工藝，相關產品將在下半發(fā)布
2019-06-28 10:27:403883 除了臺積電，三星如今在工藝方面也是十分激進：7nm 7LPP去年十月投產之后，按照官方最新給出的時間表，6nm 6LPP將在今年下半年如期投入量產，5nm 5LPE今年內完成流片、明年上半年量產，4nm 4LPE也會在年內設計完畢。
2019-08-02 15:45:433408 日前美光公司宣布量產了1Znm工藝的16Gb DDR4內存，這是第三代10nm級內存工藝，這次量產也讓美光成為業(yè)界第一個量產1Znm工藝的公司，這一次進度比以往的標桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:004364 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器）。
2019-09-27 17:23:291500 10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:363786 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:114064 高通昨晚發(fā)布了第三代5G基帶芯片——驍龍X50，使用的是5nm工藝。高通對5nm工藝的代工廠來源守口如瓶，不過外媒報道稱驍龍X60首發(fā)了三星的5nm工藝。
2020-02-19 15:09:363574 根據(jù)外媒WCCFTECH的報道，爆料消息稱英偉達的下一代GPU架構將基于三星10nm制程，而不是之前報道的臺積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結合，用于量產旗下首批16Gb容量的LPDDR5內存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內存芯片是基于第三代10nm級（1z）工藝打造，請注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對應的其實是
2020-09-01 14:00:293544 昨晚，Redmi Note 9 Pro正式發(fā)布，全球首發(fā)第三代一億像素相機傳感器三星HM2，號稱將一億像素相機高端影像技術大眾化。
2020-11-27 09:43:095275 今晚，Redmi Note 9 Pro正式發(fā)布，全球首發(fā)第三代一億像素相機傳感器三星HM2，號稱將一億像素相機高端影像技術大眾化。
2020-11-27 10:08:5310835 Intel首次采用10nm工藝的第三代可擴展至強“Ice Lake-SP”已經推遲到2021年第一季度，將會和AMD 7nm工藝、Zen3架構的的第三代霄龍正面對決，無論規(guī)格還是性能都討不到什么便宜。
2020-11-30 09:56:203100 在跳票多次之后，明年第一季度，Intel將推出代號Ice Lake-SP的單/雙路第三代至強可擴展處理器，首次用上10nm工藝，并有全新的Sunny Cove CPU架構。
2020-12-08 09:40:063130 
今日，七彩虹宣布 iGame 內存全面升級，正式發(fā)布了 iGame VULCAN DDR4 內存。 iGame VULCAN DDR4 延續(xù)了 VULCAN 顯卡紋理設計。值得一提的是，經過網(wǎng)友命名
2020-12-25 10:31:313302 隨著Tiger Lake處理器的量產，Intel的10nm工藝已經解決了產能、性能等問題，現(xiàn)在使用的是10nm SuperFin（以下簡稱10nm SF）工藝，下半年則會有更新的增強版10nm SF工藝，12代酷睿會首發(fā)。
2021-01-14 09:48:283786 
隨著Tiger Lake處理器的量產，Intel的10nm工藝已經解決了產能、性能等問題，現(xiàn)在使用的是10nm SuperFin（以下簡稱10nm SF）工藝，下半年則會有更新的增強版10nm SF工藝，12代酷睿會首發(fā)。
2021-01-14 10:26:572757 。 中興通訊呂錢浩指出，2020年9月上市的中興A20不僅是全球首款商用屏下攝像手機，采用的是到現(xiàn)在依然全球獨步的第三代屏下攝像技術！ 包含第三代CUD（Camera Under Display）屏下攝像、屏幕發(fā)聲、屏下光感、屏下指紋等業(yè)界領先或首創(chuàng)技術。今年下半年后甚至
2021-02-22 09:03:172527 AMD將在這個月正式發(fā)布代號“Milan”（米蘭）的第三代霄龍7003系列數(shù)據(jù)中心處理器，基于7nm工藝、Zen3架構，最多還是64核心128線程，支持八通道DDR4-3200內存、128條PCIe 4.0通道。
2021-03-01 11:15:542947 數(shù)據(jù)處理和計算力日益提升的需求。 第三代津逮CPU是面向中國市場設計的本土服務器處理器，適用于x86通用服務器平臺，其功能、性能及可靠性與第三代英特爾至強可擴展處理器（Ice Lake）一致。相較上一代產品，第三代津逮CPU采用先進的10nm制程工藝，支
2021-04-12 14:26:293795 要比基于臺積電5nm制程的芯片高出20%-30%，因此三星的5nm也被不少人認為是“翻車”的一代產品。 當然，如今各家晶圓代工廠對于工藝節(jié)點上的命名更像是玩“數(shù)字游戲”。比如三星當年的8nm工藝就跟臺積電10nm的晶體管密度幾乎相同，而英特爾最近也將他們原本的10nm Enh
2021-10-12 11:16:232425 的3nm工藝還得等到今年下半年才能量產，并且三星稱之前飽受詬病的良率問題也已得到解決。 美國總統(tǒng)近日參觀了三星的全球唯一能夠進行3nm工藝量產的晶圓代工廠，三星為了在晶圓代工行業(yè)趕超臺積電，投入了大量資金進行高端制程的研
2022-05-22 16:30:312676 隨著英特爾和amd將新的pc/筆記本電腦和服務器平臺更換為ddr4， ddr4的需求開始減少。因此，三星大幅減少ddr4的生產，轉向ddr5，試圖鞏固業(yè)界第一的位置。
2023-09-15 11:40:331381 三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產能，而今年以來這一減產主要針對DDR4。業(yè)界普遍預期，三星的目標是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產舉措可能會導致DDR4市場價格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:081808 新芯片將由三星sf4p（第三代4納米）工藝制作，g3將由第二代sf4工藝制作。另外，xenos 2400處理器也將使用sf4p，預計將用于galaxy s24和galaxy s24 +的部分機器。
2023-10-31 14:25:361349 三星已制定了Mach-1的生產計劃：預計今年下半年實現(xiàn)量產，年底完成芯片交付，明年第一季度推出基于此芯片的推理服務器。此外，三星已獲得Naver高達1萬億韓元（約合52.8億元人民幣）的預訂訂單。
2024-05-10 10:45:071441 近日，三星和SK海力士宣布，將于下半年停止生產并供應DDR3內存，轉向利潤更高的DDR5內存和HBM系列高帶寬內存。此舉標志著內存行業(yè)的一次重要轉型。
2024-05-17 10:12:211563 據(jù)報道，業(yè)內人士透露，全球三大DRAM內存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內正式停產已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內存。 隨著技術的不斷進步和消費級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513468 據(jù)外媒曝料稱三星已量產第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產4nm芯片以來，每年都在改進技術。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點（SF4X）進行大規(guī)模生產。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713208 給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星DDR4內存漲價20%? 存儲器價格跌勢結束，在2025年一季度和第二季度，價格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報道稱，三星公司DDR4內存開始漲價，在本月初三星
2025-05-13 15:20:111206 
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