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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>納微半導體宣布收購碳化硅行業(yè)先驅GeneSiC

納微半導體宣布收購碳化硅行業(yè)先驅GeneSiC

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2023-08-17 14:27:152151

碳化硅的性能和應用場景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導體材料物理限制,是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導體器件,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:0421116

碳化硅MOS管與MOS管有何差異?碳化硅有什么優(yōu)勢?

碳化硅MOS管是以碳化硅半導體材料為基礎的金屬氧化物半導體場效應管,與傳統(tǒng)的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來給大家詳細介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應用等方面的區(qū)別。
2023-09-27 14:49:054098

GeneSiC的起源和碳化硅的未來

, 半導體收購GeneSiC半導體, 創(chuàng)建了業(yè)界唯一一家專注于SiC和GaN的純下一代功率半導體公司
2023-10-25 16:32:013041

三菱電機與安世宣布將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)功率半導體

2023年11月,日本三菱電機、安世半導體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。
2023-11-25 16:50:531432

基本半導體:功率半導體碳化硅時代

目前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機構預測,未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計,2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元,該數(shù)據(jù)包括多家上市公司,如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:372134

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點和應用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233791

氮化鎵半導體碳化硅半導體的區(qū)別

氮化鎵半導體碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料,在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:184062

碳化硅相對傳統(tǒng)硅半導體有什么有缺點

碳化硅(SiC)和傳統(tǒng)硅半導體(Si)是兩種常見的半導體材料,它們在電子器件制造中具有廣泛的應用。然而,碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導體具有一定的優(yōu)缺點。 優(yōu)點: 更高的熱導率:碳化硅的熱導率是傳統(tǒng)硅半導體
2024-01-10 14:26:523996

半導體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

第三代半導體性能優(yōu)越,應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術發(fā)展的 基礎,經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應用場景提出更高的要求,以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導體材料逐漸進入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較于
2024-01-16 10:48:492367

十載征程,引領功率半導體行業(yè)發(fā)展

在功率半導體行業(yè)半導體以其對氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新,贏得了行業(yè)領導者的地位。值此成立十周年之際,半導體回顧了其一路走來的輝煌歷程,并對未來展望了無限期待。
2024-02-21 10:50:321467

半導體即將亮相亞洲充電展

半導體,作為功率半導體領域的佼佼者,以及氮化鎵和碳化硅功率芯片技術的引領者,近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展。屆時,半導體將設立一個獨特而富有未來感的“芯球”展臺,充分展示其最新氮化鎵和碳化硅技術,引領觀眾領略全電氣化的未來世界。
2024-03-16 09:40:581411

半導體將攜下一代高功率、高可靠性功率半導體亮相PCIM 2024

加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體行業(yè)領導者——半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)誠邀觀眾參加6月11日-13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024并造訪“芯球”展臺,
2024-05-24 15:37:331347

GeneSiC碳化硅器件在電動長途卡車的應用詳解

4月10日,在武漢舉辦的2024年世界碳化硅大會獲得圓滿成功,在大會上,諸多碳化硅產(chǎn)業(yè)的專業(yè)人員分享了這個行業(yè)目前的進展以及相關產(chǎn)業(yè)的研究進度。
2024-05-28 14:35:521036

半導體將亮相PCIM 2024,展示氮化鎵與碳化硅技術

在電力電子領域,半導體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體技術,已成為行業(yè)內的佼佼者。近日,該公司受邀參加6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展,并在“芯球”展臺上展示其最新技術成果。
2024-05-30 14:43:081171

正式發(fā)布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列

氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導體行業(yè)領導者——半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)正式發(fā)布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列,為實現(xiàn)最快的開關速度、最高的效率和功率密度的增進進行優(yōu)化,將應用于AI數(shù)據(jù)中心電源、車載充電器(OBCs)、電動汽車超級充電樁以
2024-06-11 15:46:171561

半導體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs

半導體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體行業(yè)領軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列,包括650V和1200V兩大規(guī)格。
2024-06-11 16:24:441716

CNBC對話CEO,探討下一代氮化鎵和碳化硅發(fā)展

近日,半導體CEO Gene Sheridan做客CNBC,與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對話,分享了在AI數(shù)據(jù)中心所需電源功率呈指數(shù)級增長的需求下,下一代氮化鎵和碳化硅將迎來怎樣的火熱前景。
2024-06-13 10:30:041343

半導體發(fā)布全新CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務器電源方案

加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件行業(yè)領導者——半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日發(fā)布全新CRPS185
2024-07-26 14:15:293248

半導體第三代快速碳化硅獲AEC Q101車規(guī)認證

半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)近日宣布推出符合車規(guī)認證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅MOSFETs。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列經(jīng)過精心優(yōu)化,旨在滿足電動汽車應用的高要求,為行業(yè)帶來革命性的變化。
2024-10-10 17:08:371031

碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

碳化硅(SiC)在半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢,其獨特的物理和化學性質使其成為新一代高性能半導體材料的佼佼者。以下是對碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)中發(fā)展的分析: 一、碳化硅的基本特性 碳化硅是一種無機物
2024-11-29 09:30:051573

安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術業(yè)務

近日,安森美半導體公司宣布了一項重要的收購計劃,以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo的碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)技術業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide。 據(jù)
2024-12-11 10:00:59967

碳化硅半導體中的作用

碳化硅(SiC)在半導體中扮演著至關重要的角色,其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅半導體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352667

半導體氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈

近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領導者——半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081237

半導體將于下月發(fā)布全新功率轉換技術

GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領導者——半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉換技術,將觸發(fā)多個行業(yè)領域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導體與系統(tǒng)級解決方案,預計將顯著提升能效與功率密度,加速氮化鎵和碳化硅技術對傳統(tǒng)硅基器件的替代進程。
2025-02-21 16:41:10867

半導體APEC 2025亮點搶先看

近日,唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術領導者——半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025,展示氮化鎵和碳化硅技術在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車和移動設備領域的應用新突破。
2025-02-25 10:16:381786

半導體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET

半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準,以滿足最嚴苛汽車及工業(yè)應用的系統(tǒng)壽命要求。最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET,搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝,實現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離,可滿足1200V以下應用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301342

國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構

SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)的崛起與技術突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911

半導體公布2025年第三季度財務業(yè)績

加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊:下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導體行業(yè)領導者——半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經(jīng)審計的第三季度財務業(yè)績。
2025-11-07 16:46:052453

半導體與文曄科技進一步強化戰(zhàn)略合作

加利福尼亞州托倫斯 — 2025年11月27日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵(GaN)與GeneSiC碳化硅(SiC)技術行業(yè)領導者——半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)與亞洲分銷巨頭
2025-12-04 15:13:401264

簡單認識博世碳化硅功率半導體產(chǎn)品

博世為智能出行領域提供全面的碳化硅功率半導體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應商以及分銷商,產(chǎn)品
2025-12-12 14:14:06565

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