16日，三星電子宣布在基于EUV的高級(jí)節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開(kāi)發(fā)。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)
2019-04-18 15:48:47
7184 韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》發(fā)布消息稱，三星電子已成功研發(fā)出5納米(nm)半導(dǎo)體工藝，并于4月中正式量產(chǎn)首個(gè)利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對(duì)于新一代半導(dǎo)體的精密工藝問(wèn)題，三星電子與各企業(yè)間的技術(shù)較量也
2019-05-22 10:25:425349 三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術(shù)，而且又類似GlobalFoundries、聯(lián)電，三星也使用了14+20nm混合工藝，大致來(lái)說(shuō)就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141962 在國(guó)際電子電路研討會(huì)大會(huì)（ISSCC）上，三星展示了采用10納米FinFET工藝技術(shù)制造的300mm晶圓，這表明三星10納米FinFET工藝技術(shù)最終基本定型。
2015-05-28 10:25:272067 TSMC在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星，不過(guò)他們?cè)?0nm及之后的工藝上很自信，2020年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝，還會(huì)用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 10:47:091380 中芯長(zhǎng)電半導(dǎo)體有限公司28日在江陰宣布正式開(kāi)始為美國(guó)高通公司提供14納米硅片凸塊量產(chǎn)加工。這標(biāo)志著中芯長(zhǎng)電成為中國(guó)大陸第一家進(jìn)入14納米先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的半導(dǎo)體公司。
2016-08-02 13:45:431276 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子被指侵犯了與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）制程工藝相關(guān)的專利，面臨訴訟。韓媒稱，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。KAIST稱，他們開(kāi)發(fā)了10納米FinFET工藝，但是三星竊取了這項(xiàng)技術(shù)，并將其用于生產(chǎn)高通驍龍835芯片。
2016-12-05 15:35:27955 三星電子野心勃勃，全力搶攻晶圓代工業(yè)務(wù)，該公司宣布第二、三代10納米制程量產(chǎn)時(shí)間，并表示未來(lái)將增加8 納米和6納米制程，嗆聲臺(tái)積電意味濃厚。
2017-03-17 09:21:081139 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成，未來(lái)爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-27 10:04:491826 制程進(jìn)度，共同執(zhí)行長(zhǎng)趙海軍表示，先進(jìn)制程14納米FinFET將于2019年量產(chǎn)，第二代28納米HKMG制程也會(huì)于2018年底問(wèn)世，外界都睜大眼睛等著檢視成績(jī)單。 中芯國(guó)際15日的線上法說(shuō)中，仍是由趙海軍主持會(huì)議，梁孟松僅簡(jiǎn)短發(fā)言，代表加入新團(tuán)隊(duì)后的首次現(xiàn)“聲”，也滿
2017-11-27 16:29:531679 三星官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產(chǎn)工作。據(jù)悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機(jī)器采購(gòu)自荷蘭ASML(阿斯麥)，型號(hào)為雙工件臺(tái)NXE:3400B(光源功率280W)，日產(chǎn)能1500片。
2018-10-18 09:48:281528 Storage（OCS）”,容量也比原來(lái)格子狀排列時(shí)增大1.57倍。OSC是三星已在此前工藝中導(dǎo)入的技術(shù)。Air Spacer技術(shù)是最近經(jīng)常采用的通過(guò)在電極及布線周圍設(shè)置空隙來(lái)減小寄生電容的技術(shù)。三星表示通過(guò)該技術(shù)，與原來(lái)布線絕緣采用Si3N4時(shí)相比，可使Cb減小34％。
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開(kāi)發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過(guò)手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
芯片，并將于今年12月份實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)TSR的調(diào)查報(bào)告顯示，三星電子的最新圖像增強(qiáng)技術(shù)不僅適用于高分辨率照相手機(jī)，還可以滿足當(dāng)前新興工業(yè)應(yīng)用對(duì)于高性價(jià)比圖像捕捉解決方案的需求。
2021-04-22 07:35:50
`聽(tīng)說(shuō)三星已搞定石墨烯電池，能量密度提升45%，充電快5倍比起OPPO的快充，你怎么看？（其實(shí)不得不服三星的技術(shù)）順便發(fā)個(gè)三星S9大合照！`
2017-11-29 16:33:10
根據(jù)三星技術(shù)部門確認(rèn)并宣布，三星將會(huì)把所有的Windows Phone 7.5機(jī)型的系統(tǒng)版本推送至7.8，原文如下：“We can confirm that our products
2012-12-23 11:03:51
技術(shù)開(kāi)發(fā)成功，同時(shí)透露會(huì)朝第二代的 FinFET 技術(shù)開(kāi)發(fā)。若***一舉朝 7 納米前進(jìn)，將會(huì)成為全球第四家 7 納米技術(shù)供應(yīng)商，與英特爾、臺(tái)積電、三星分庭抗禮。同時(shí)，華為海思的麒麟980也搶先發(fā)布，首款
2018-09-05 14:38:53
內(nèi)建封裝（PoP）技術(shù)。 臺(tái)積電明年靠著16納米FinFET Plus及InFO WLP等兩大武器，不僅可以有效對(duì)抗三星及GlobalFoundries的14納米FinFET制程聯(lián)軍，還可回防全球最大
2014-05-07 15:30:16
日公布，5納米工藝技術(shù)制造8、三星 Exynos 2100：2020年12月12日公布，5納米工藝技術(shù)制造9、蘋果 A13 Bionic：2019年9月10日公布，7納米工藝技術(shù)制造10、高通 驍龍 865 Plus：2020年7月8日公布，7納米工藝技術(shù)制造
2021-12-25 08:00:00
量產(chǎn)中利用意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)。也是在這一年，三星成功生產(chǎn)了8Mb eMRAM，并利用28nmFDS，在2019年成功量產(chǎn)首款商用eMRAM。 據(jù)三星介紹，利用其28nmFDS工藝技術(shù)制作
2023-03-21 15:03:00
的小珠子，使其最后形成一個(gè)10X5比例的長(zhǎng)方形。從這個(gè)實(shí)驗(yàn)不難看出，要達(dá)成這個(gè)目標(biāo)非常不容易，由此可以了解到，各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺(tái)積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET 的量產(chǎn)
2016-06-29 14:49:15
的長(zhǎng)方形。從這個(gè)實(shí)驗(yàn)不難看出，要達(dá)成這個(gè)目標(biāo)非常不容易，由此可以了解到，各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺(tái)積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET 的量產(chǎn)，并以此為資本爭(zhēng)奪下一代iPhone
2016-12-16 18:20:11
和14nm芯片。當(dāng)時(shí)臺(tái)積電和三星各占40%、60%左右的訂單。臺(tái)積電獨(dú)得訂單，恐怕與去年的“芯片門事件”有關(guān)。去年剛上市的iPhone6s采用A9芯片，就是由臺(tái)積電（16nm制程工藝）和三星（14
2016-07-21 17:07:54
中芯國(guó)際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米
上海2009年10月14日電 -- 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（“中芯國(guó)際”，紐約
2009-10-15 08:22:441035 該14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上開(kāi)發(fā)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551642 三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時(shí)開(kāi)始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺(tái)積電也會(huì)在2013年下半年開(kāi)始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。
2012-12-06 13:53:02913 根據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時(shí)開(kāi)始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺(tái)積電也會(huì)在2013年下半年開(kāi)始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。 當(dāng)前主流的智能手機(jī)芯片主要由高
2012-12-07 16:54:321466 GlobalFoundries、Intel都在紛紛宣傳各自的14nm新工藝，三星電子今天也宣布，已經(jīng)在14nm FinFET工藝開(kāi)發(fā)之路上取得又一個(gè)里程碑式的突破，與其設(shè)計(jì)、IP合作伙伴成功流片了多個(gè)開(kāi)發(fā)載具。
2012-12-24 09:28:241508 新思科技公司日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)關(guān)鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實(shí)現(xiàn)了首款測(cè)試芯片的流片
2013-01-09 12:11:311469 東芝公司（Toshiba Corporation）日前宣布，該公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出第二代19納米工藝技術(shù)，該技術(shù)將于本月晚些時(shí)候用于量產(chǎn)每單元2比特的64吉比特NAND存儲(chǔ)芯片。
2013-05-23 10:34:251518 日前，聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)28納米工藝技術(shù)，該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動(dòng)工藝。
2013-07-25 10:10:521458 驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會(huì)由三星代工生產(chǎn)，今天三星官方正式確認(rèn)了這個(gè)消息，并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241377 俄勒岡州威爾遜維爾，2016 年 3 月 11 日—Mentor Graphics公司（納斯達(dá)克代碼：MENT）今日宣布，與三星電子合作，為三星代工廠的10 納米 FinFET 工藝提供各種
2016-03-11 14:39:211627 三星電子的芯片部門風(fēng)光不再，從金雞母淪落至賠錢貨，該部門1日宣稱第三代14納米FinFET制程的研發(fā)工作即將完成，似乎意圖向臺(tái)積電搶單，扭轉(zhuǎn)頹勢(shì)。
2016-05-04 09:53:32916 近日，三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時(shí)間，韓國(guó)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子被指侵犯了與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）制程工藝相關(guān)的專利，面臨訴訟。韓媒稱，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。
2016-12-05 20:08:05788 因此連帶調(diào)整新一代5納米制程領(lǐng)軍舵手；至于三星為高通（Qualcomm）操刀的10納米制程亦因?yàn)榱悸蕟?wèn)題，迫使部分芯片轉(zhuǎn)回14納米制程生產(chǎn)，業(yè)者認(rèn)為10納米制程恐成為歷年來(lái)導(dǎo)入量產(chǎn)最不順利的半導(dǎo)體世代。不過(guò)，相關(guān)消息仍待臺(tái)積電、三星證實(shí)。
2016-12-22 10:17:15947 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成，未來(lái)爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn)，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11746 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11815 2017年6月2日，上?！请娮樱绹?guó) Cadence 公司，NASDAQ： CDNS） 今日宣布其數(shù)字、簽核與定制／模擬工具成功在三星電子公司7LPP和8LPP工藝技術(shù)上實(shí)現(xiàn)。較前代高階工藝
2017-06-02 16:04:341668 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過(guò)了認(rèn)證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:423455 據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道，三星電子今天宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 三星電子準(zhǔn)備調(diào)整鑄造技術(shù)藍(lán)圖，2019年下半年開(kāi)始量產(chǎn)6納米芯片。按照原來(lái)的計(jì)劃，三星本打算在2019年試產(chǎn)6納米芯片。在7納米技術(shù)上，三星落后于臺(tái)積電，現(xiàn)在它想在6納米技術(shù)上加速前進(jìn)。
2018-03-14 16:41:425956 關(guān)鍵詞。 而作為芯片制造的一大頭，三星此前也已經(jīng)宣布了其7nm LPP工藝將會(huì)在2018年下半年投入生產(chǎn)，此外，在昨天的Samsung Foundry Forum論壇上，三星更是直接宣布了5/4/3nm工藝技術(shù)。
2018-05-25 11:09:004079 根據(jù)美國(guó)德克薩斯州聯(lián)邦法院的裁決，三星電子侵犯了一家韓國(guó)大學(xué)關(guān)于雙柵極FinFET半導(dǎo)體工藝的技術(shù)專利，必須賠償4億美元。
2018-06-22 16:28:344459 雖然2018年包括臺(tái)積電、三星、格羅方德都要導(dǎo)入7納米制程技術(shù)。其中，三星為了追趕臺(tái)積電，還在首代的7納米（LPP）制程中導(dǎo)入EUV技術(shù)。不過(guò)，臺(tái)積電也非省油的燈，除了積極布局7納米制程技術(shù)之外
2018-07-06 15:01:004225 
中芯國(guó)際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)，距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)
2018-07-06 15:23:524048 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子（UMC）的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過(guò)認(rèn)證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計(jì)解決方案，支援共同客戶滿足下一代行動(dòng)和高效能運(yùn)算（HPC）應(yīng)用不斷成長(zhǎng)的需求。
2018-07-17 16:46:004095 與上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝在減少30%芯片尺寸基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)性能提升27%或高達(dá)40%功耗降低。讓OEM廠商能夠在即將發(fā)布的產(chǎn)品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計(jì)。
2018-07-22 11:13:495153 電子有限公司延續(xù)雙方十年之久的戰(zhàn)略性晶圓代工合作，將采用三星10納米FinFET制程工藝打造Qualcomm Technologies最新款頂級(jí)處理器——Qualcomm?驍龍?835處理器。
2019-03-15 16:58:481175 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn)，并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對(duì)比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評(píng)論: 0 | 來(lái)自: 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 摘要 : 10納米級(jí)DRAM先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y
2018-11-12 18:04:02533 三星電子今天宣布，開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 為了減低近期存儲(chǔ)器降價(jià)帶來(lái)的沖擊，全球存儲(chǔ)器龍頭三星逐漸強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù)，希望有機(jī)會(huì)進(jìn)一步拉近與臺(tái)積電的差距。在先進(jìn)制程的發(fā)展方面，根據(jù)三星高層表示，將在 2019 下半年量產(chǎn)內(nèi)含 EUV技術(shù)的 7 納米制程，而 2021 年量產(chǎn)更先進(jìn)的 3 納米 GAA 制程。
2019-01-14 14:47:443904 3月21日，三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01588 在當(dāng)前全球晶圓制造的先進(jìn)制程領(lǐng)域中，只剩下臺(tái)積電、三星以及英特爾可以一較高下。三星雖然早在 2018 年 10 月份就已經(jīng)宣布量產(chǎn) 7 納米 EUV 制程，但實(shí)際情況并非如此。因?yàn)榫瓦B三星自己
2019-04-03 17:21:043414 包括7nm批量生產(chǎn)和6nm產(chǎn)品的流片, 三星電子在基于EUV技術(shù)的先進(jìn)制程工藝開(kāi)發(fā)上取得重大進(jìn)展 4月16日,三星電子宣布，其5nm FinFET( 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)工藝技術(shù)已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成，該技術(shù)可
2019-04-18 20:48:54636 4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)，現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233799 在上周的美國(guó)SFF晶圓代工論壇上，三星發(fā)布了新一代的邏輯工藝路線圖，2021年就要量產(chǎn)3nm工藝了，而且首發(fā)使用新一代GAA晶體管工藝，領(lǐng)先對(duì)手臺(tái)積電1年時(shí)間，領(lǐng)先Intel公司至少2-3年時(shí)間。
2019-05-20 16:43:4512335 近年來(lái)，在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境下，三星將其業(yè)務(wù)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了邏輯工藝代工。在近日的SFF（SamsungFoundry Forum）美國(guó)分會(huì)上，三星宣布了四種FinFET工藝，涵蓋了7nm到4nm。同時(shí)
2019-05-30 15:53:464391 新思科技近日宣布，三星(Samsung Electronics)認(rèn)證了新思科技Fusion Design Platform?，用于三星采用EUV光刻技術(shù)的5納米Low-Power Early(早期
2019-06-12 13:48:354326 三星基于新思科技Yield Explorer加速7納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的新品量產(chǎn)
2019-08-13 14:31:373552 今日據(jù)外媒報(bào)道，百度和三星宣布，百度首款A(yù)I芯片昆侖已經(jīng)完成研發(fā)，將由三星代工生產(chǎn)。該芯片使用的是三星14nm工藝技術(shù)，封裝解決方案采用的是I－Cube TM。明年年初，昆侖芯片將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2019-12-18 10:55:202152 這是三星電子和百度的首次半導(dǎo)體代工合作。百度昆侖AI芯片結(jié)合百度自主研發(fā)的神經(jīng)處理器架構(gòu)XPU和三星14納米制造工藝，采用I-Cube封裝解決方案，可廣泛用于云計(jì)算和邊緣計(jì)算。
2019-12-19 14:11:233625 三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕近日參觀正在開(kāi)發(fā)“全球第一個(gè)3納米級(jí)半導(dǎo)體工藝”的韓國(guó)京畿道華城半導(dǎo)體工廠，并聽(tīng)取了關(guān)于3納米工藝技術(shù)的報(bào)告，他還與三星電子半導(dǎo)體部門社長(zhǎng)團(tuán)討論了新一代半導(dǎo)體戰(zhàn)略。
2020-01-06 10:42:585045 三星于去年4月向全球客戶提供7納米產(chǎn)品，自開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)7納米產(chǎn)品以來(lái)，三星僅在八個(gè)月內(nèi)就推出了6納米產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級(jí)周期正在縮短，特別是向6納米EUV工藝的過(guò)渡有望縮小與全球第一大晶圓代工廠臺(tái)積電（TSMC）的差距。
2020-01-06 11:40:033622 三星電子今天宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個(gè)16GB 的 LPDDR5移動(dòng) DRAM 封裝，基于三星第二代10nm級(jí)工藝技術(shù)，可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手機(jī)。繼2019年7
2020-02-25 13:48:202465 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)，三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。
2020-04-07 17:43:512632 日前，三星電子宣布，由三星為業(yè)內(nèi)最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)專門研發(fā)的硅驗(yàn)證3D IC封裝技術(shù)，eXtended－Cube，簡(jiǎn)稱為X－cube，已經(jīng)可以投入使用。
2020-08-14 17:24:393057 2022 年量產(chǎn) 3 納米芯片。該高管透露，三星電子已在與主要合作方開(kāi)發(fā)初步設(shè)計(jì)工具。 三星電子向其下一代芯片業(yè)務(wù)投入 1160 億美元，其中包括為外部客戶制造芯片。 三星電子領(lǐng)導(dǎo)人李在镕此前曾透露，該公司計(jì)劃采用正在開(kāi)發(fā)的最新 3 納米全柵極 （gate-all-around，簡(jiǎn)稱 GAA）工藝技術(shù)來(lái)
2020-11-19 11:39:071911 但三星追趕臺(tái)積電的關(guān)鍵是在下一代的3nm上，因?yàn)檫@一代工藝上三星押注了GAA環(huán)繞柵極晶體管，是全球第一家導(dǎo)入GAA工藝以取代FinFET工藝的，而臺(tái)積電比較保守，3nm還是用FinFET，2nm上才會(huì)使用GAA工藝。
2020-11-19 11:36:301777 據(jù)彭博社報(bào)道，三星全力發(fā)展晶圓代工業(yè)務(wù)，規(guī)劃投入1160億美元（約合人民幣7608億元），目標(biāo)實(shí)現(xiàn)3納米制程2022年量產(chǎn)，與臺(tái)積電同步，是兩強(qiáng)近年先進(jìn)制程競(jìng)逐賽中，最接近的一次。業(yè)界認(rèn)為，若三星
2020-11-26 14:44:262550 據(jù) Digitimes 報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)過(guò)程中都遇到了不同但關(guān)鍵的瓶頸。報(bào)道稱，臺(tái)積電和三星因此將不得不推遲 3nm 制程工藝
2021-01-04 16:20:103024 目前從全球范圍來(lái)說(shuō)，也就只有臺(tái)積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間，據(jù)外媒報(bào)道，三星宣布其基于柵極環(huán)繞型 （Gate-all-around，GAA） 晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)
2021-07-02 11:21:543387 （FinFET）的進(jìn)階，4D（GAA）技術(shù)被認(rèn)為是“下一代”的晶體管技術(shù)。根據(jù)三星的數(shù)據(jù)，相較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%。 另外，每一個(gè)新工藝新制程的成本和良品率，都是影響新工藝新制程是否能夠大范圍普及的重
2022-06-30 20:21:522069 隨著臺(tái)積電曝光2nm制程的進(jìn)展后，三星緊追其后也宣布了關(guān)于2nm制程的最新消息，三星2nm的量產(chǎn)時(shí)間也定在了2025年，跟臺(tái)積電的差不多。這次2nm制程是三星這些年來(lái)首次追上了臺(tái)積電，比以往快了不少。
2022-07-01 09:59:085174 根據(jù)外媒的消息報(bào)道稱，三星電子公司近日正式宣布已開(kāi)始量產(chǎn)3納米芯片，三星電子正押注于將 GAA 技術(shù)應(yīng)用于3 納米工藝，并且計(jì)劃于2025年量產(chǎn)基于GAA的2nm芯片，以追趕臺(tái)積電。
2022-07-04 09:34:041906 三星最新的生產(chǎn)工藝技術(shù)是他們的4nm節(jié)點(diǎn)。該節(jié)點(diǎn)去年年底提高了產(chǎn)量。這是他們最后一個(gè)基于FinFET的前沿工藝技術(shù)，盡管不是他們計(jì)劃中的最后一個(gè)。
2022-09-09 14:27:18954 ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日宣布其支持三星14納米LPP工藝的IP硅智財(cái)已在三星SAFE IP平臺(tái)上架，提供三星晶圓廠客戶采用。
2022-10-14 17:39:021955 和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 -三星電子新款DRAM將于2023年開(kāi)始量產(chǎn)，以優(yōu)異的性能和更高的能效，推動(dòng)下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日，三星電子宣布，已成功開(kāi)發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:291205 款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。 三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM 三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:541342 
CV3-AD685是安霸CV3-AD汽車AI域控制器系列的首個(gè)量產(chǎn)型號(hào)，同時(shí)，多家一級(jí)（Tier-1）汽車供應(yīng)商宣布他們將提供使用CV3-AD系列SoC的解決方案。三星第三代5納米車規(guī)工藝，針對(duì)車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體優(yōu)化，憑借極其嚴(yán)格的工藝管控和先進(jìn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP），擁有卓越的可靠性和可追溯性。
2023-03-01 11:05:471391 三星最新公布的制程工藝技術(shù)路線圖顯示，該公司計(jì)劃在2025年開(kāi)始量產(chǎn)2納米級(jí)SF2工藝，以滿足客戶對(duì)高性能處理器的需求。此前，三星已于今年公布，其3納米工藝已滿足大規(guī)模生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-06-29 16:26:332318 三星在會(huì)上表示，作為新一代汽車技術(shù)，正在首次開(kāi)發(fā)5nm eMRAM。三星計(jì)劃到2024年為止，用14納米工程增加mbram產(chǎn)品有價(jià)證券組合，2年后升級(jí)為8納米制程。
2023-10-23 09:57:221309 2025 年，三星預(yù)計(jì)將推出 SF2（2nm 級(jí)）制造工藝，該工藝不僅依賴 GAA 晶體管，還將采用背面功率傳輸，這在晶體管密度和功率傳輸方面帶來(lái)了巨大的好處，
2023-11-01 12:34:141856 
10月19日，韓國(guó)三星電子在德國(guó)慕尼黑舉辦了名為「三星代工論壇2023」的活動(dòng)。在這個(gè)活動(dòng)上，三星電子以霸氣十足的姿態(tài)公布了其芯片制造的先進(jìn)工藝路線圖和代工戰(zhàn)略，宣稱將在未來(lái)3年內(nèi)量產(chǎn)2納米
2023-11-01 15:07:53988 
三星去年6 月底量產(chǎn)第一代3 納米GAA (SF3E) 制程，為三星首次采用全新GAA 架構(gòu)晶體管技術(shù)，而第二代3 納米制程3GAP(SF3) 將使用第二代MBCFET 架構(gòu)，從第一代3 納米SF3E基礎(chǔ)上再最佳化，預(yù)期2024 年進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2023-12-04 15:55:371251 新思科技（Synopsy）近日宣布，攜手Ansys 、三星半導(dǎo)體晶圓代工（以下簡(jiǎn)稱“三星”）共同開(kāi)發(fā)了面向三星14LPU工藝的全新射頻集成電路（RFIC）設(shè)計(jì)參考流程
2023-12-11 18:25:551456 據(jù)報(bào)道，韓國(guó)三星代工廠已經(jīng)開(kāi)始試制其第二代 3 納米級(jí)別工藝技術(shù)的芯片，稱為 SF3。這一發(fā)展標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)重要里程碑，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">三星與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)下一代先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國(guó)知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:141629 
三星繼續(xù)推進(jìn)工藝技術(shù)的進(jìn)步，近年來(lái)首次量產(chǎn)了基于2022年GAA技術(shù)的3nm MBCFET ? 。GAA技術(shù)不僅能夠大幅減小設(shè)備尺寸，降低供電電壓，增強(qiáng)功率效率，同時(shí)也能增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更高的性能表現(xiàn)。
2024-02-22 09:36:011291 三星與高通的合作正在不斷深化。高通計(jì)劃采納三星代工工廠的尖端全柵極（GAA）工藝技術(shù)，以優(yōu)化和開(kāi)發(fā)下一代ARM Cortex-X CPU。
2024-02-25 15:31:181650 近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890 在全球半導(dǎo)體行業(yè)邁向更高精度和更小尺寸的征途上，三星與新思科技近日宣布了一項(xiàng)重要的合作。這一合作旨在確保三星的2nm制造工藝能夠順利實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并在市場(chǎng)中占據(jù)領(lǐng)先地位。
2024-06-20 09:22:17964 概倫電子(股票代碼：688206.SH)近日宣布其新一代大容量、高性能并行SPICE仿真器NanoSpice通過(guò)三星代工廠3/4nm工藝技術(shù)認(rèn)證，滿足雙方共同客戶對(duì)高精度、大容量和高性能的高端電路仿真需求。
2024-06-26 09:49:141378 據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道，三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實(shí)現(xiàn)了重大突破，首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬（Mo）技術(shù)。這一創(chuàng)新標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一次技術(shù)飛躍。
2024-07-04 09:23:501262 據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái)，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713208
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論