電動(dòng)汽車電池系統(tǒng)方面的耐久性，換個(gè)說(shuō)法就是耐久性方面的考慮。原則上，就是需要在考慮使用時(shí)間、使用公里數(shù)、使用條件和使用環(huán)境等條件下，輸入給電池系統(tǒng)一個(gè)等效的負(fù)荷環(huán)境。
2017-06-06 15:24:10
2236 并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢(shì) - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時(shí)間、無(wú)與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無(wú)法復(fù)制的。
2022-11-14 15:34:192378 
計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、電信、汽車、工業(yè)系統(tǒng)以及無(wú)數(shù)電子設(shè)備和系統(tǒng)都依賴于各種形式的固態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行操作。設(shè)計(jì)人員需要了解易失性和非易失性存儲(chǔ)器件的各種選項(xiàng)，以優(yōu)化系統(tǒng)性能。
2023-09-14 16:06:263492 
FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，已有對(duì)傳統(tǒng)非易失性內(nèi)存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。
2020-05-11 10:37:431393 ;，或有些人所說(shuō)的"穩(wěn)固性"。諸如電動(dòng)船舶和鐵路牽引逆變器、商用及重型車輛、可再生能源發(fā)電廠以及脈沖電源系統(tǒng)等應(yīng)用，正在不斷挑戰(zhàn)電力系統(tǒng)的運(yùn)行極限。這些應(yīng)用中對(duì)系統(tǒng)耐久性日益增長(zhǎng)的需求，引發(fā)了一系列新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和性能期望。
2025-12-09 14:03:583299 
0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1/3，而FRAM的待機(jī)/睡眠電流規(guī)格與EEPROM的待機(jī)/睡眠電流規(guī)格差不多。有功電流中的差異對(duì)功耗產(chǎn)生巨大影響，特別是當(dāng)應(yīng)用程（如:智能電子式電表
2020-10-09 14:27:35
FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫入功能，無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率，以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣，因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。這些吸引人的特性是鋯鈦
2020-08-12 17:41:09
傳輸數(shù)據(jù)。我們想知道是否需要對(duì)數(shù)據(jù)包采用前向糾錯(cuò)，因?yàn)槲覀儾淮_定EEPROM的可靠性。該數(shù)據(jù)表引用了1,000,000個(gè)周期的“最大寫入耐久性循環(huán)耐久性”。這個(gè)數(shù)字是否意味著在預(yù)期發(fā)生單個(gè)故障之前
2019-07-26 16:36:20
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
（LPSB）下，其在25C時(shí)的泄漏電流小于55mA，相當(dāng)于每比特的漏電流僅為1.7E-12A。對(duì)于32Mb數(shù)據(jù)，它具有100K個(gè)循環(huán)的耐久性，而對(duì)于1Mb的數(shù)據(jù)可以>1M個(gè)循環(huán)。它在260°C
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說(shuō)明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡(jiǎn)化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
SRAM的非易失性單元基于SONOS技術(shù)。他們利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的優(yōu)勢(shì)通過(guò)將電荷捕獲在夾層氮化物層中來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FN隧道技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來(lái)自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過(guò)這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵?，它的?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無(wú)需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
PSoC? 6 中嵌入式閃存的正確最低耐久性是多少？
PSoC? 6 的數(shù)據(jù)表聲稱閃光燈耐久性至少為 100k 次。
TRM 聲稱續(xù)航時(shí)間為 10k 個(gè)周期。
請(qǐng)參閱第 6.5 節(jié) 62x7 數(shù)據(jù)表
2024-02-26 06:46:06
數(shù)字電位器存儲(chǔ)類型標(biāo)注具有“易失性”，他的意思是不是說(shuō)，假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個(gè)位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個(gè)位置了?！?b class="flag-6" style="color: red">非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個(gè)位置。是這個(gè)意思嗎
2024-11-21 07:15:57
，比較是否一致，一致則計(jì)數(shù)”。然后重復(fù)測(cè)N次得到非易失性的有效讀寫次數(shù)。但是又不能直接拿STM32的引腳來(lái)驅(qū)動(dòng)FRAM芯片的VCC，又不能老是手動(dòng)斷電上電這么來(lái)測(cè)，這下有點(diǎn)找不準(zhǔn)方向了。想知道論壇里面各位大神有沒有什么好的測(cè)試方案木有。。。
2013-09-03 10:52:35
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問(wèn)題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
我應(yīng)該用什么API來(lái)存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊(cè)上說(shuō)它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
本文介紹了汽車PCM耐久性測(cè)試系統(tǒng)的整體設(shè)計(jì)思路和測(cè)試規(guī)范，重點(diǎn)討論了關(guān)鍵子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)原理，并通過(guò)原型樣機(jī)對(duì)幾種PCM模塊長(zhǎng)久性測(cè)試，驗(yàn)證了該系統(tǒng)的可靠性和通用性。
2021-05-17 06:53:06
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含幾款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設(shè)集，面向各種感應(yīng)和測(cè)量應(yīng)用。該架構(gòu)、FRAM和外設(shè)，結(jié)合大量低功耗模式，可以延長(zhǎng)
2021-11-03 07:28:04
和閃存）結(jié)合起來(lái)。鐵電存儲(chǔ)器是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器，是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲(chǔ)器結(jié)晶體。 FRAM的結(jié)構(gòu)FRAM記憶元件使用了鐵電膜（Ferroelectric film
2020-05-07 15:56:37
儲(chǔ)的信息。優(yōu)勢(shì)與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，FRAM具有下列優(yōu)勢(shì)：非易失性即使沒有上電，也可以保存所存儲(chǔ)的信息。與SRAM相比，無(wú)需后備電池（環(huán)保產(chǎn)品）更高速度寫入像SRAM一樣，可覆蓋寫入不要求改寫命令對(duì)于擦/寫操作
2014-06-19 15:49:33
FM25C160 是美國(guó)Ramtron 公司生產(chǎn)的非易失性鐵電介質(zhì)讀寫存儲(chǔ)器。它具有高速讀寫，超低功耗和無(wú)限次寫入等特性。文中介紹了FM25C160 的性能特點(diǎn)﹑管腳定義﹑內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作
2009-11-12 14:11:03
35 燈具耐久性試驗(yàn)設(shè)施設(shè)計(jì)方案
摘要：文章根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)GB7000.1-2007《燈具 第一部分：一般要求與試驗(yàn)》標(biāo)準(zhǔn)12.3 規(guī)定和附錄K 中的要求，介紹了燈具耐久性試驗(yàn)設(shè)施的
2010-04-14 15:59:4139 在我國(guó)現(xiàn)行的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)各類產(chǎn)品的質(zhì)量要求，除對(duì)產(chǎn)品本身的基本性能有規(guī)定外,耐久性（壽命）試驗(yàn)是其主要考核指標(biāo)。許多產(chǎn)品在質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)中都對(duì)工作壽命作出了確規(guī)
2010-07-17 16:04:3010 鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解:
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:505083 
英特矽爾Intersil推出小型非易失性按鈕式數(shù)控電位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按鈕式數(shù)控電位器（DCP）ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:551350 摘要：本文討論如何使用安全數(shù)字(SD)媒體格式擴(kuò)展MAXQ2000的非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應(yīng)用。MAXQ2000在閃存中存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，
2009-04-23 16:25:251387 
AGIGARAM非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲(chǔ)密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者提供了充分的靈活性，可以專為某些特定應(yīng)用需求量身定制非易失性存儲(chǔ)器。AgigA
2010-08-20 09:27:261002 概述
可編程邏輯器件已經(jīng)越來(lái)越多地用于汽車電子應(yīng)用，以替代ASIC和ASSP器件。Actel FPGA基于非易失性技術(shù)(快閃和反熔絲)，不易發(fā)生由中子引發(fā)的固件錯(cuò)誤，
2010-08-26 10:52:38669 DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬
2010-09-28 08:58:301444 
DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個(gè)完備的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問(wèn)。非易失性時(shí)間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個(gè)128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘，都在一個(gè)字節(jié)寬的格式訪問(wèn)靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計(jì)時(shí)功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
這款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技術(shù)，采用獨(dú)特的55納米(nm)非易失性內(nèi)存(NVM)構(gòu)建而成，旨在
2010-11-11 18:05:131307 DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
賽普拉斯半導(dǎo)體子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲(chǔ)密度的DDR3解決方案，成為其無(wú)需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲(chǔ)密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者提供了充
2011-01-26 16:45:37876 DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261584 
非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:5414 和DRAM這些傳統(tǒng)易失性存儲(chǔ)器的級(jí)別。而且，FRAM的讀/寫耐久性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于EEPROM和Flash存儲(chǔ)器。EEPROM和Flash存儲(chǔ)器能寫入大約100萬(wàn)次（106次），FRAM最高可寫入1013次，或者說(shuō)寫入次數(shù)可以達(dá)到前兩種存儲(chǔ)器的1000萬(wàn)倍以上。
2017-03-29 11:46:292173 
大型廠商的產(chǎn)品導(dǎo)入、存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）的新興應(yīng)用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動(dòng)非易失性存儲(chǔ)市場(chǎng)的增長(zhǎng)。 新興非易失性存儲(chǔ)（NON-VOLATILE MEMORY, NVM）有利的市場(chǎng)環(huán)境 相變存儲(chǔ)
2018-07-04 11:55:007915 
影響，相關(guān)的存儲(chǔ)與事務(wù)處理技術(shù)是其中值得關(guān)注的重要環(huán)節(jié)．首先，概述了事務(wù)型數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)隨存儲(chǔ)環(huán)境發(fā)展的歷史與趨勢(shì)；然后，對(duì)影響上層數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)以及面向大數(shù)據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域與硬件環(huán)境優(yōu)化的事務(wù)技術(shù)進(jìn)行綜述
2018-01-02 19:04:400 我國(guó)首例自主研發(fā)的超越5000小時(shí)耐久性的 燃料電池 產(chǎn)品,日前完成壽命測(cè)試和整車應(yīng)用驗(yàn)證。該產(chǎn)品突破了制約我國(guó)燃料電池汽車商業(yè)化應(yīng)用發(fā)展的瓶頸，在耐久性、可靠性和產(chǎn)品一致性上取得重大進(jìn)展。 作為
2018-03-25 09:57:005870 本文首先介紹了耐久性試驗(yàn)的概念，其次介紹了耐久性試驗(yàn)的目的及耐久性試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，最后介紹了電子設(shè)備耐久性試驗(yàn)的基本步驟。
2018-05-14 09:27:5910378 事實(shí)上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上非易失存儲(chǔ)器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場(chǎng)邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 富士通電子在過(guò)去約20年量產(chǎn)各種FRAM非易失性內(nèi)存產(chǎn)品，具備比EEPROM及閃存更高的讀∕寫耐久性、高速寫入速度及超低功耗。近幾年來(lái)，這些產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于可穿戴裝置、工業(yè)機(jī)器人與無(wú)人機(jī)。
2019-11-01 08:38:313176 鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器，它將DRAM的快速讀取和寫入訪問(wèn)，它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型，與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣
2020-08-18 15:22:321189 
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說(shuō)明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡(jiǎn)化框圖。 非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)
2020-08-27 10:21:551487 
ROHM確立了非易失性邏輯IC技術(shù)的可靠性，已經(jīng)開始進(jìn)行批量生產(chǎn)階段。此次采用了非易失性邏輯CMOS同步式的技術(shù)開發(fā)了4 Pin非易失性邏輯計(jì)算IC“BU70013TL”。這個(gè)產(chǎn)品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00917 FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ)，用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:482340 鐵電存儲(chǔ)器是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比
2020-10-19 14:22:591015 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-25 11:12:0026 UV膠粘接耐久性 UV膠粘接力是UV膠水各項(xiàng)性能中相當(dāng)重要的一項(xiàng)，而提高UV膠水粘接的耐久性是粘接技術(shù)面臨的重要任務(wù)，也是結(jié)構(gòu)連接的的可靠保證。AVENTK作為UV膠水生產(chǎn)廠家，在UV膠水領(lǐng)域已有
2020-12-23 15:10:573610 內(nèi)存耐久度指定為存儲(chǔ)單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對(duì)于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序，內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速，非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05794 
CYPRESS串行非易失性存儲(chǔ)器為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)捕獲提供卓越的性能和可靠性。Excelon鐵電存儲(chǔ)器FRAM系列提供高速非易失性數(shù)據(jù)記錄功能，即使在極端溫度下在惡劣的汽車和工業(yè)操作環(huán)境中也可防止數(shù)據(jù)
2021-01-07 15:16:02862 獨(dú)特性能成就技術(shù)“硬核”，FRAM 是存儲(chǔ)界的實(shí)力派。除非易失性以外， FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢(shì)：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲(chǔ)器無(wú)法比擬的。
2021-03-11 09:23:314787 相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）芯片，由262，144字×16位非易失性存儲(chǔ)單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)制造。能夠保留數(shù)據(jù)，而無(wú)需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:021621 
FRAM鐵電存儲(chǔ)器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)
2021-05-04 10:17:002823 
監(jiān)控，記錄和分析處理。因此需要提高存儲(chǔ)器性能和耐久性設(shè)計(jì)。只有非易失性?高速?高讀寫耐久性的車規(guī)級(jí)的存儲(chǔ)器FRAM才可以滿足所要求的可靠性和無(wú)遲延的要求。 FRAM在電池管理系統(tǒng)BMS應(yīng)用 高燒寫耐久性，高速寫入操作： ?系統(tǒng)每0.1或1秒，
2021-05-04 10:18:00749 
ADM1166：帶余量控制和非易失性故障記錄的超級(jí)序列器
2021-04-24 12:29:412 富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM， 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲(chǔ)器，FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:161154 
NVM物理設(shè)備上的寫性能以及對(duì)NVM造成的磨損情況?，F(xiàn)有NVM模擬器準(zhǔn)確度不高，且仿真接口不完備，無(wú)法滿足內(nèi)存文件系統(tǒng)對(duì)NVM的仿真需求。對(duì)此，提出一種面向非易失性內(nèi)存文件系統(tǒng)的NVM模擬與驗(yàn)誣方法。首先，結(jié)合非易失性內(nèi)存文件系統(tǒng)本身的數(shù)據(jù)讀寫特性，提出內(nèi)存文件系
2021-05-07 11:05:2013 低功耗設(shè)計(jì)的植入人體的增強(qiáng)生命的患者監(jiān)護(hù)設(shè)備，小尺寸內(nèi)存，賽普拉斯FRAM 提供即時(shí)非易失性和幾乎無(wú)限的耐用性，而不會(huì)影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25640B。
2021-06-30 15:42:462413 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測(cè)試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281719 以及改進(jìn)整個(gè)系統(tǒng)。
而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢(shì)所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和幾乎無(wú)限的壽命。 這
2021-11-23 15:15:271269 文章介紹一些應(yīng)用在血液透析機(jī)上的非易失性MRAM. 血液透析機(jī)使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因?yàn)镸RAM固有的非易失性、不需要電池或電容器、無(wú)限的非易失性寫入耐久性和非易失性寫入周期和讀取周期的高速。這些獨(dú)特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49793 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，富士通推出了具有并行接口型號(hào)MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲(chǔ)芯片，這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:171147 ? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?MB85R8M2T。保證寫入壽命超過(guò)10萬(wàn)億次
2022-01-12 15:12:201308 VDRF128M16XS54XX2V90是一種128Mbit高密度同時(shí)讀/寫非易失性閃存內(nèi)存模塊組織為8M x 16位。
2022-06-08 11:02:482 VDRF64M16XS54XX1V90是64Mbit高密度同時(shí)讀/寫非易失性閃存內(nèi)存模塊組織為4M×16位。
2022-06-08 10:57:401 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-12 10:20:410 STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問(wèn)的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187 作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲(chǔ)門控信號(hào)（模塊或發(fā)送）。
2023-01-12 11:30:521731 
因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。英尚微提供的非易失性存儲(chǔ)芯片NETSOL MRAM的主要優(yōu)勢(shì)包括:與SRAM不同，無(wú)需電壓控制器、電池及電池插座；與nvSRAM不同，無(wú)需電容器；寫入速度快；近乎無(wú)限的耐用性（100兆次的寫入次數(shù)）；斷電即時(shí)數(shù)據(jù)備份。
2023-03-22 14:41:071090 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39882 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問(wèn)ESP32非易失性存儲(chǔ).zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-15 14:35:410 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:561791 
本文將探討戶外儲(chǔ)能電池的可靠性和耐久性設(shè)計(jì)，以確保其在使用過(guò)程中具備高效、安全和長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)。
2023-08-08 13:50:061472 FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:464890 FRAM的“耐力”定義為疲勞后的記憶狀態(tài)保持能力，或在許多開關(guān)周期后維持鐵電開關(guān)電荷的非易失性部分的能力。
2024-02-19 10:21:171226 
德索工程師說(shuō)道M8_4pin接口的耐久性得益于其高品質(zhì)的材料選擇。接口的主要部件，如導(dǎo)體、絕緣材料和外殼，通常采用優(yōu)質(zhì)的原材料制成。導(dǎo)體材料需要具有優(yōu)良的導(dǎo)電性能和機(jī)械強(qiáng)度，以確保電流傳輸?shù)姆€(wěn)定性和接口的可靠性。絕緣材料則具有卓越的絕緣性能，能夠防止電流泄漏和電氣故障。
2024-04-25 17:59:13729 
精深的耐久性工程專業(yè)知識(shí)現(xiàn)今的消費(fèi)者要求日趨嚴(yán)苛。汽車、交通運(yùn)輸和重工設(shè)備行業(yè)的客戶都期望能獲得廣泛的模型選擇、更高的燃油經(jīng)濟(jì)性、卓越的設(shè)計(jì)、極致的舒適性、更高的里程數(shù)和更長(zhǎng)的產(chǎn)品壽命。秉承這一
2024-05-31 08:35:452062 
在電動(dòng)車輛及新型動(dòng)力系統(tǒng)的耐久性測(cè)試中，精確測(cè)量車輪與路面之間的相互作用力、扭矩及振動(dòng)響應(yīng)至關(guān)重要。Daimler Truck在其位于德國(guó)W?rth的EVZ研發(fā)測(cè)試中心，針對(duì)eActros進(jìn)行了全面的耐久性測(cè)試，以確保電動(dòng)卡車在復(fù)雜路況下的可靠性。
2025-03-04 14:30:07739 
在高海拔地區(qū)使用控制變壓器，您是否擔(dān)心其散熱和絕緣性能會(huì)大打折扣？是否憂慮設(shè)備頻繁故障，影響正常的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)，甚至帶來(lái)安全隱患？今天，就讓我們深入探究控制變壓器廠家BK產(chǎn)品的耐久性測(cè)試與壽命預(yù)測(cè)方法
2025-06-23 10:03:57496 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論