受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長(zhǎng)，各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:12
9182 
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-16 11:35:241161 近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:232091 我國(guó)首臺(tái)新一代大尺寸集成電路單晶硅生長(zhǎng)設(shè)備在西安實(shí)現(xiàn)一次試產(chǎn)成功。這是由西安理工大學(xué)和西安奕斯偉設(shè)備技術(shù)有限公司共同研制的。本次制成的單晶硅棒長(zhǎng)度為 2.1 米，直徑達(dá) 300mm，也就是 12 英寸，標(biāo)志著我國(guó)芯片制造領(lǐng)域中，12 英寸硅晶圓關(guān)鍵技術(shù)得到突破，解決了 “卡脖子”難題。
2020-12-28 09:14:403385 156單晶硅不同擴(kuò)散方阻下的功率對(duì)比
2012-08-06 11:00:48
3D Experience — 產(chǎn)品協(xié)同研發(fā)平臺(tái)
2021-01-08 07:30:52
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
單晶硅太陽(yáng)能電池詳細(xì)工藝
2012-08-06 11:49:37
各位大俠，小女子在做半導(dǎo)體退火的工藝，不知道哪位做過有n型單晶硅退火？具體參數(shù)是什么？任何經(jīng)驗(yàn)都可以提，請(qǐng)照顧一下新手，謝謝！:handshake
2011-03-01 09:37:32
各位大神，請(qǐng)問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實(shí)驗(yàn)的？可以詳細(xì)地講講如何實(shí)現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時(shí)候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長(zhǎng)時(shí)間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-02 10:53:41
各位大神，請(qǐng)問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實(shí)驗(yàn)的？可以詳細(xì)地講講如何實(shí)現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時(shí)候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長(zhǎng)時(shí)間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-08 10:43:08
各位大蝦，請(qǐng)問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實(shí)驗(yàn)的？可以詳細(xì)地講講如何實(shí)現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時(shí)候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長(zhǎng)時(shí)間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-15 12:25:03
青海堿業(yè)有限公司煅燒車間從2013年開始使用YR-ER101單晶硅差壓變送器，選用該系列變送器是看中昌暉單晶硅變送器的高穩(wěn)定性、低溫度漂移和高精度性能。因現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用環(huán)境惡劣，強(qiáng)腐蝕和強(qiáng)電磁干擾對(duì)任何
2018-02-25 21:56:50
BeSang之前的許多設(shè)計(jì)都是偽3D?！?Simon Sze在1967年曾經(jīng)于貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了用于非易失性存儲(chǔ)器件的浮柵金屬氧化晶體管。Sze現(xiàn)在是***一所大學(xué)的教授?！ 癝oC將邏輯單元
2008-08-18 16:37:37
Molex推出下一代高性能超低功率存儲(chǔ)器技術(shù)
2021-05-21 07:00:24
***求購(gòu)廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍(lán)膜片、頭尾料 大量收購(gòu)單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:01:11
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2010-10-31 14:00:00
的技術(shù)組件： · 單晶硅傳感器 · 高性能ASIC · 兩個(gè)芯片外殼 圖3 產(chǎn)品參數(shù)表 傳感器的核心：單晶硅傳感器 硅傳感器（每個(gè)MEMS的核心）傳統(tǒng)上是批量生產(chǎn)或以表面微加工工藝制造
2020-07-07 09:36:40
人臉。這是由于目前基于RGB等2D空間的主流活體檢測(cè)方案未考慮光照、遮擋等干擾因素對(duì)于檢測(cè)的影響，而且存在計(jì)算量大的缺點(diǎn)。而數(shù)跡智能團(tuán)隊(duì)研發(fā)的3D SmartToF活體檢測(cè)方案則可以有效解決此問題。那么
2021-01-06 07:30:13
廠家求購(gòu)廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍(lán)膜片、頭尾料 大量收購(gòu)單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 13:58:27
影響存儲(chǔ)器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
4Gb到100Gb的密度.談及循環(huán)及數(shù)據(jù)保留間的強(qiáng)相關(guān)性，使用N削D來(lái)獲得高寫入性能的系統(tǒng)經(jīng)常面對(duì)一個(gè)困難即在長(zhǎng)時(shí)間的休止?fàn)顟B(tài)下如何保證足夠的數(shù)據(jù)保留。變相存儲(chǔ)器：新的儲(chǔ)存器創(chuàng)建新的使用模式PCM 尺寸
2018-05-17 09:45:35
如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實(shí)現(xiàn)高速接口？如何讓接收到的時(shí)鐘與數(shù)據(jù)中心對(duì)準(zhǔn)？為了縮短設(shè)計(jì)周期應(yīng)遵循哪些規(guī)則？如何設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器接口才能獲得更高性能？
2021-04-14 06:30:23
我對(duì)工藝不是很懂，在氧化層上直接淀積的話是不是非晶硅？如果要單晶硅的話應(yīng)該怎么做？（有個(gè)思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
如圖 2 所示，DINOR閃速存儲(chǔ)器如圖 3 所示，AND閃速存儲(chǔ)器單元的結(jié)構(gòu)如圖 4 所示。市場(chǎng)上銷售的閃速存儲(chǔ)器基本上就是NOR及NAND兩種，其中只有NAND閃速存儲(chǔ)器的單元是串聯(lián)的，其他所有類型
2018-04-09 09:29:07
的NOR以及硅盤中應(yīng)用的NAND閃速存儲(chǔ)器，在寫入時(shí)為高 V th ；而AND及DINOR閃速存儲(chǔ)器中，在寫人時(shí)為低 V th 。
2018-04-10 10:52:59
根據(jù)單晶硅各向異性腐蝕的特點(diǎn)，以晶格內(nèi)部原子鍵密度為主要因素，溫度、腐蝕液濃度等環(huán)境因素為校正因子，建立了一個(gè)新穎的硅各向異性腐蝕的計(jì)算機(jī)模擬模型。在+,--開發(fā)
2009-07-02 14:12:24
19 單晶硅SO I 高溫壓力傳感器是一種新型高性能高溫壓力傳感器。它與擴(kuò)散硅壓力傳感器相比有較高的工作溫度, 與多晶硅高溫壓力傳感器相比有更高的工作靈敏度。這主要得益于它采
2009-07-03 10:12:1422 QGM600-8XB 單晶硅棒切方滾磨機(jī)床是在硅單晶棒數(shù)控滾磨機(jī)上開發(fā)而成，單晶棒數(shù)控滾磨機(jī)床是我公司獨(dú)立開發(fā)研制的。該產(chǎn)品全部替代了日本滾磨機(jī)床，國(guó)內(nèi)很多企業(yè)需單晶硅棒
2009-12-20 09:25:3742 單晶硅與多晶硅的區(qū)別
單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些
2009-03-04 15:13:584926 什么是單晶硅
可以用于二極管級(jí)、整流器件級(jí)、電路級(jí)以及太陽(yáng)能電池級(jí)單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造，其后續(xù)產(chǎn)品集成電
2009-03-04 15:14:504416 什么是單晶硅
單晶硅英文名稱：Monocrystalline silicon
分
2009-04-08 17:17:4511317 單晶硅電池生產(chǎn)工藝流程詳細(xì)介紹
2009-11-04 09:17:372167 單晶硅電池生產(chǎn)工藝流程（一） （內(nèi)部資料）
2009-11-07 15:05:415965 單晶硅電池生產(chǎn)工藝流程（一） （內(nèi)部資料）
2009-11-07 15:07:481661
單晶硅太陽(yáng)能電池
硅系列太陽(yáng)能電池中，單晶硅大陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率最高，技術(shù)也最為
2009-11-07 16:18:322577 1）區(qū)域熔煉法 以高純多晶硅為原料，制成棒狀，并將多晶硅棒垂直固定，在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的單晶硅
2010-07-18 11:22:117458 1、根據(jù)合同要求，驗(yàn)收單晶硅電池片的功率及等級(jí)，例如125的A級(jí)，就只要A1的，功率為2.57~2.7，再此時(shí)得問清楚電池片的功率是正公差還是負(fù)公差，選用正公差的。
2010-08-30 12:00:021479 單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無(wú)定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成
2011-06-23 10:43:22151 晶體硅中的雜質(zhì)或缺陷會(huì)顯著地影響各種硅基器件的性能。用常規(guī)化學(xué)腐蝕法顯示出單晶硅中的缺陷，觀察典型的位錯(cuò)。通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)缺陷分布的一般規(guī)律：中間尺寸大，密度小，邊緣
2012-06-06 15:33:2010264 
美研究人員日前稱，他們發(fā)現(xiàn)一種通過單晶硅體提高鋰離子電池性能的技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)可以用于電動(dòng)汽車電池研發(fā)，有助于生產(chǎn)能量更強(qiáng)、壽命更長(zhǎng)、充/換電循環(huán)次數(shù)更多的新型電池。
2012-07-24 11:40:361170 單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的
2012-10-19 17:23:4411227 荷蘭馬斯特里赫特大學(xué)和代爾夫特理工大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)就在折紙?jiān)碇械玫届`感并研發(fā)了會(huì)自動(dòng)改變形狀的材料，用這種特殊材料3D打印的對(duì)象在外界環(huán)境的刺激下將自動(dòng)發(fā)生形狀的折疊。這項(xiàng)研究成果在實(shí)際應(yīng)用中的意義
2016-10-25 15:24:491751 基于SOC的高性能存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)_張鵬劍
2017-01-07 18:39:170 單晶硅晶片及單晶硅的制造方法 本發(fā)明的單晶硅晶片及單晶硅的制造方法，是屬于切克勞斯基法（CZ法）生長(zhǎng)單晶硅晶片，其特征為：對(duì)全部晶片進(jìn)行熱氧化處理時(shí)，在環(huán)狀發(fā)生OSF的外側(cè)的N區(qū)域，不存在通過Cu淀
2017-09-28 16:35:3018 吸收效率 ，可提高單晶硅太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率。實(shí)驗(yàn)探索了一種廉價(jià)的硅織構(gòu)化腐蝕技術(shù) ，即單獨(dú)采用 Na2SiO3代替?zhèn)鹘y(tǒng)的氫氧化鈉和異丙醇溶液 ，以減少價(jià)格較高的異丙醇的用量 ，降低成本。不采用異丙醇或其他機(jī)械消泡的條件下 ，用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 5 %的 Na2S
2017-09-30 10:49:528 對(duì)NTD氫區(qū)熔單晶硅進(jìn)行了不同溫度下等時(shí)退火，采用Hall 電學(xué)方法測(cè)量了電阻率、遷移率隨退火溫度的變化規(guī)律。利用紅外吸收技術(shù)測(cè)量了單晶硅氫區(qū)熔退火前后及NTD氫區(qū)熔單晶硅不同退火溫度下與氫、輻照
2017-10-17 15:43:4211 加工流程; 單晶生長(zhǎng)一切斷一外徑滾磨一平邊或V 型槽處理一切片一倒角一研磨一腐蝕一拋光一清洗一包裝 切斷： 目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長(zhǎng)度
2017-10-20 14:38:3423 組件的發(fā)電性能。實(shí)驗(yàn)表明，在晴天直射強(qiáng)光和陰雨天弱散射光環(huán)境下，非晶硅太陽(yáng)能電池板的比功率發(fā)電量均大于單晶硅。
2017-10-21 11:11:0611 千克。 （2）多晶硅太陽(yáng)電池是標(biāo)準(zhǔn)正方形，與準(zhǔn)方形的單晶硅太陽(yáng)電池相比多晶硅太陽(yáng)電池在組件封裝有更高的占空比。 （3）制備多晶硅晶錠比制備單晶硅晶錠耗費(fèi)更少的能量，相同時(shí)間內(nèi)可冷凝更多的多晶硅晶錠，生產(chǎn)效率更高。 （4）多晶硅和
2017-11-13 14:49:0721 本文已多晶硅為中心，主要介紹了多晶硅的技術(shù)特征、單晶硅與多晶硅的區(qū)別、多晶硅應(yīng)用價(jià)值以及多晶硅行業(yè)走勢(shì)概況及預(yù)測(cè)進(jìn)行分析。
2017-12-18 11:28:1362508 單晶硅作為晶體材料的重要組成部分，目前已經(jīng)得到廣泛的運(yùn)用。本文主要介紹了單晶硅的相關(guān)概念以及全球單晶硅生產(chǎn)商排名狀況。
2017-12-18 17:55:3855504 研究人員最近展示了使用單晶硅對(duì)可見光進(jìn)行精確的顏色控制，該研究成果發(fā)表在納米快報(bào)上。
2018-02-09 14:20:556483 據(jù)報(bào)道，華中科技大學(xué)光電學(xué)院副院長(zhǎng)繆向水及其團(tuán)隊(duì)正在研制一款基于相變存儲(chǔ)器的3D XPOINT存儲(chǔ)技術(shù)。他估計(jì)，在這項(xiàng)技術(shù)基礎(chǔ)上研發(fā)的芯片，其讀寫速度會(huì)比現(xiàn)在快1000倍，可靠性也將提高1000倍。
2018-06-20 09:07:002366 近年來(lái)，合肥集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁，短短幾年，就建成了一條較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈。我市一家企業(yè)自主研發(fā)出的 12 英寸單晶硅棒和生產(chǎn)硅棒最核心的設(shè)備——大尺寸單晶硅爐兩項(xiàng)成果，打破了國(guó)際壟斷，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)空白。
2018-04-29 15:14:008236 在3D存儲(chǔ)器選通管和高密度阻變存儲(chǔ)器及其集成技術(shù)的研究上開展合作，全力研發(fā)下一代3D存儲(chǔ)芯片，為早日實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器芯片技術(shù)的國(guó)產(chǎn)化貢獻(xiàn)力量。
2018-06-11 01:15:002853 根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開工動(dòng)員活動(dòng)在成都雙流自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲(chǔ)器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402936 單晶硅具有兩種同晶，結(jié)晶和無(wú)定形。晶體硅進(jìn)一步分為單晶硅和多晶硅，兩者都具有金剛石晶格。該晶體硬且脆，具有金屬光澤，并且是導(dǎo)電的，但導(dǎo)電性不如金屬，并且隨溫度增加，并且具有半導(dǎo)體特性。
2019-04-11 13:53:31181237 單晶硅光伏組件是以高純的單晶硅棒為原料的太陽(yáng)能電池板，目前廣泛的應(yīng)用于光伏市場(chǎng)中。單晶硅光伏組件光電轉(zhuǎn)換率較高，在弱光條件下表現(xiàn)比同類產(chǎn)品更好。多晶硅光伏組件是由多晶太陽(yáng)能電池片按照不同的串、并陣列排列而構(gòu)成的。多晶硅光伏組件性價(jià)比較高，交大光谷的多晶硅光伏組件的發(fā)電效率通常在17%左右。
2019-04-11 13:55:5067272 單晶硅也稱硅單晶，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類。單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池。
2019-06-24 14:46:3122142 
24張PPT解讀半導(dǎo)體單晶硅生長(zhǎng)及硅片制備技術(shù)
2019-07-26 18:03:448751 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:162374 長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808 、光子器件、MEMS、Wide I/O存儲(chǔ)器和布局先進(jìn)邏輯電路的硅中介層，圍繞3D平臺(tái)性能評(píng)估，重點(diǎn)介紹硅3D封裝的主要挑戰(zhàn)和技術(shù)發(fā)展。
2020-01-16 09:53:001550 從最初為圖像傳感器設(shè)計(jì)的硅2.5D集成技術(shù)，到復(fù)雜的高密度的高性能3D系統(tǒng)，硅3D集成是在同一芯片上集成所有功能的系統(tǒng)芯片（SoC）之外的另一種支持各種類型的應(yīng)用的解決方案，可用于創(chuàng)建性價(jià)比更高的系統(tǒng)。
2020-04-10 17:38:493498 
隨著單晶硅片制造向大直徑化發(fā)展，直拉法單晶硅生長(zhǎng)技術(shù)在單晶硅制造中逐漸顯出其主導(dǎo)地位。為使結(jié)晶過程更加穩(wěn)定和實(shí)用有效，則需提高對(duì)工藝參數(shù)的控制精度，基于CCD攝像掃描識(shí)別技術(shù)的單晶硅等徑生長(zhǎng)速度控制技術(shù)得到業(yè)界的重視。
2020-10-04 17:57:002550 
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2020-11-24 18:30:4019 AI技術(shù)的研究正在從2D走向更高難度的3D。12月3日，記者獲悉，阿里技術(shù)團(tuán)隊(duì)研發(fā)了全新3D AI算法，可基于2D圖片精準(zhǔn)搜索出相應(yīng)的3D模型，準(zhǔn)確率大幅提升10%，可降低3D打印、VR看房、場(chǎng)景
2020-12-04 15:49:214285 近日，記者從云南省工業(yè)和信息化廳了解到，近年來(lái)云南著力推動(dòng)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化調(diào)整，產(chǎn)業(yè)集聚態(tài)勢(shì)逐步顯現(xiàn)，目前云南省已形成30萬(wàn)噸單晶硅拉制和41吉瓦切片生產(chǎn)能力，今年前10個(gè)月已生產(chǎn)單晶硅12萬(wàn)噸，云南已經(jīng)成為全球最大的綠色單晶硅光伏材料生產(chǎn)基地，并正在成為全球最大的綠色硅材加工一體化制造基地。
2020-12-23 17:02:352539 硅材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最基礎(chǔ)、最核心的材料，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的復(fù)雜生產(chǎn)流程，也要從基礎(chǔ)硅材料的生產(chǎn)開始。在硅材料的生產(chǎn)中，有兩個(gè)基礎(chǔ)的概念：多晶硅和單晶硅。這二者具體代表什么意思呢？它們的區(qū)別在哪里呢？本篇科普文章就簡(jiǎn)單給大家簡(jiǎn)單作一個(gè)解析
2020-12-24 13:21:1614177 單晶硅具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到99.9999%，甚至達(dá)到99.9999999%以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。
2021-02-24 15:56:2030938 半導(dǎo)體行業(yè)需要具有超成品表面和無(wú)損傷地下的硅晶片。因此，了解單晶硅在表面處理過程中的變形機(jī)制一直是研究重點(diǎn)。
2021-12-22 17:35:401531 
近日，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員朱慧瓏團(tuán)隊(duì)利用研發(fā)的垂直晶體管新工藝，制備出高性能的單晶溝道3D NOR閃存器件。該器件上下疊置的晶體管既具單晶硅溝道的高性能優(yōu)勢(shì)，又具三維一體集成的制造成本低的優(yōu)點(diǎn)。
2022-11-22 15:01:141402 NOR閃存以速度快、可靠性高和使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，在人工智能、汽車電子和工業(yè)領(lǐng)域中發(fā)揮著不可替代的作用。
2022-11-24 17:05:42694 FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:185704 單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽(yáng)能電池板的類型，其主要區(qū)別在于材料。
單晶硅光伏板是由單個(gè)晶體制成的硅片組成。該類型的太陽(yáng)能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性，因此在太陽(yáng)能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是，制造過程成本較高，價(jià)格較貴。
2023-06-08 16:04:419315 什么是單晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別，多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面，主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面，下面具體來(lái)了解下。
2023-06-12 16:44:427750 無(wú)錫拍字節(jié)科技有限公司自成立以來(lái)，一直專注于新型存儲(chǔ)芯片研發(fā)與銷售的高新技術(shù)，尤其是新型3D鐵電存儲(chǔ)器（VFRAM）新材料的研發(fā)，3D架構(gòu)和工藝的創(chuàng)新設(shè)計(jì)以及相關(guān)產(chǎn)品的制造及量產(chǎn)。經(jīng)過不懈的努力，拍
2022-04-29 15:34:082856 
對(duì)太陽(yáng)能板感興趣的朋友們，想必大家都有了一個(gè)比較深層次的了解，但對(duì)于剛加入光伏行業(yè)的人來(lái)說(shuō)，我覺得還是有必要再給大家說(shuō)一下單晶硅電池、多晶硅電池和非晶硅電池之間的區(qū)別。如果有說(shuō)得不妥當(dāng)?shù)牡胤?，也還請(qǐng)
2022-03-23 09:50:4013043 
光伏」擁有的美能3D共聚焦顯微鏡可輕易檢測(cè)太陽(yáng)能電池的光柵絨面，并運(yùn)用其生成的數(shù)據(jù)檢測(cè)單晶硅太陽(yáng)能電池的清洗制絨和絲網(wǎng)印刷工藝。本期「美能光伏」將給您介紹單晶硅太
2023-08-19 08:36:273295 
摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:062633 硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應(yīng)用？又是怎樣制造出來(lái)的呢？
2023-10-26 09:47:012819 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單晶硅太陽(yáng)電池的溫度和光強(qiáng)特性.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-02 11:16:372 單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽(yáng)能光電設(shè)備，常用于太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中。單晶硅光伏板由多個(gè)單晶硅太陽(yáng)能電池片組成，每個(gè)電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上，并使用鋁框架進(jìn)行支撐和保護(hù)。
2023-11-29 09:46:065748 擴(kuò)散硅、單晶硅、電容式壓力差壓變送器的區(qū)別與選擇? 擴(kuò)散硅、單晶硅和電容式壓力差壓變送器是常用于工業(yè)領(lǐng)域中測(cè)量流體壓力的儀器。它們各自具有不同的特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。下面將詳細(xì)介紹這三種壓力變送器的區(qū)別
2024-01-30 15:06:289142 在現(xiàn)代工業(yè)控制領(lǐng)域中，傳感器作為感知的核心元件，其性能的優(yōu)劣直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。而單晶硅和擴(kuò)散硅壓力變送器作為壓力測(cè)量領(lǐng)域的兩大主流。更是受到越來(lái)越多企業(yè)、工程師的青睞。那么今天浙江
2024-03-15 11:53:392043 
本文介紹了硅摻雜其他元素的目的、分凝現(xiàn)象、電阻率與摻雜濃度之間的關(guān)系、共摻雜技術(shù)等知識(shí)，解釋了單晶硅電阻率控制原理。
2024-04-07 09:33:154237 
單晶硅的少子壽命是指非平衡少數(shù)載流子（電子或空穴）在半導(dǎo)體材料中從產(chǎn)生到消失（即通過復(fù)合過程失去）的平均時(shí)間。
2024-04-19 16:11:395812 
在現(xiàn)代工業(yè)和科技應(yīng)用中，單晶硅技術(shù)和無(wú)線壓力變送器技術(shù)的發(fā)展正扮演著至關(guān)重要的角色。單晶硅以其優(yōu)異的物理特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域而備受關(guān)注。而無(wú)線壓力變送器則代表了壓力測(cè)量領(lǐng)域的創(chuàng)新進(jìn)展，為工業(yè)生產(chǎn)和智能化系統(tǒng)的發(fā)展提供了重要支持。
2024-09-09 14:25:581664 ? ? 在石油化工、電力能源等高精度測(cè)量領(lǐng)域，穩(wěn)定與可靠是核心訴求。天水華天傳感器推出的CYB6200系列單晶硅壓力變送器，以±0.075%超高精度、超強(qiáng)抗干擾、高過載性能及智能組態(tài)功能，為工業(yè)測(cè)量
2025-03-08 16:51:081503 本文介紹了N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對(duì)氧含量的影響。
2025-03-18 16:46:211312 
濾、精密過濾等手段。比如在單晶硅切割廢液處理中，先通過過濾將廢砂漿中的固體顆粒分離出來(lái)，便于后續(xù)處理3。沉淀：利用重力作用使廢液中的懸浮顆粒自然沉降，可分為自然沉
2025-06-30 13:45:47495 
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。其核心設(shè)計(jì)是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122961 英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲(chǔ)器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項(xiàng)，為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲(chǔ)支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:0163
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