在明年上半年時間,月產(chǎn)能達(dá)到200-300片晶圓,目前已經(jīng)將樣品送往京東方、華為、榮耀進(jìn)行測試。 ? 其實早在去年底便已經(jīng)有消息傳出,華為將進(jìn)入OLED驅(qū)動芯片研發(fā)領(lǐng)域,并且已經(jīng)完成了流片的操作。 ? 并且有傳聞稱,三星、LG等公司斷供華為面板,就
2021-07-19 09:27:08
6271 DDR4內(nèi)存已經(jīng)問世有很長一段時間了,Intel在IDF上表示,明年這一產(chǎn)品將迎來爆發(fā)期。
2015-08-24 08:23:55
1470 就在前幾天,網(wǎng)上曝光出具有紫光國芯標(biāo)識的PC DDR4內(nèi)存條,是完全自主研發(fā)的DRAM顆粒。單條容量為4GB,具體參數(shù)不詳。在今年一月份,紫光集團投資2000億元在南京建設(shè)半導(dǎo)體基地,建成后將成
2017-12-28 16:53:27
2777 在PC和手機行業(yè)里,內(nèi)存顆粒占著非常重要的位置,而相關(guān)技術(shù)供應(yīng)鏈卻掌握在少數(shù)國際大廠三星、美光等的手里,市場壟斷在少數(shù)幾家廠商中,重量級的廠商加起來不會超過10家。說到這里,我們不由的想到國產(chǎn)內(nèi)存
2018-08-01 11:05:02
5836 從2018年開始,世界的局勢越來越緊張,米國尤其在以芯片為代表的高科技行業(yè)對我們?nèi)矫娴膹棄海员WC芯片的自立自主呼聲越來越高。之前我們也測試過一對紫光的DDR3內(nèi)存,不過從國產(chǎn)率和產(chǎn)品的先進(jìn)
2020-07-29 14:59:11
10373 相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡,這樣的設(shè)計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:44
6127 
據(jù)報道,長鑫存儲官方網(wǎng)站已經(jīng)公開列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片,都符合國際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,目前已經(jīng)處于售前咨詢階段(Contact Sales)。 長鑫特別強調(diào)
2020-02-27 09:01:11
10349 和筆記本內(nèi)存、LPDDR4X低功耗內(nèi)存,號稱是第一顆國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片,但需要單獨咨詢采購,沒有公開報價。 現(xiàn)在,紫光集團旗下紫光國芯(UnilC)的內(nèi)存也上市了,而且公開上架京東商城,價格也如你所愿。 紫光內(nèi)存首批上架兩個系列三款型號,
2020-04-24 09:58:24
7106 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,日前,日媒報道由于DRAM內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑,全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示,2025年1月,DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:00
2812 最新消息,三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達(dá)成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數(shù)百分比;DDR5價格上漲個位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%,DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:00
6845 的新芯片-熊湖(Bear Lake),其將支持DDR3規(guī)格,而AMD也預(yù)計同時在K9平臺上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格?! ?b class="flag-6" style="color: red">DDR4 DDR4內(nèi)存峰會 據(jù)介紹美國JEDEC將會在不久之后啟動
2011-02-27 16:47:17
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的RFID(radio frequency identification)讀取芯片,能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務(wù)信息,但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出,RFID
2019-07-04 07:26:16
嗨,我正在嘗試在Kintex UltraScale(KCU105)中實現(xiàn)DDR4內(nèi)存,但是(DDR4 SDRAM(MIG))中的特定部分不可用。部分是:MT401G16HBA-083E:我應(yīng)該為實現(xiàn)這個內(nèi)存做什么。?注意:我正在使用VIVADO 2016.1謝謝Luis。
2020-04-26 13:58:08
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2021-05-28 19:17:34
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2021-09-03 19:23:00
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2021-04-28 18:52:33
2133MT/s,運作電壓在1.2V,這也是史上第一條DDR4內(nèi)存。在此之前,三星電子40nm制程的DRAM芯片的成功流片,成為DDR4發(fā)展的關(guān)鍵。三個月之后,SK海力士宣布2400MT/s速率的2GB
2022-10-26 16:37:40
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2021-07-15 19:36:21
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2021-12-27 19:25:08
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2021-08-20 19:11:25
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2020-12-14 16:00:38
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2021-01-30 17:36:35
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2021-09-08 14:59:58
說,是彌補部分工藝制程落后的不足,同時挑戰(zhàn)三星10 納米8 Gb DDR4 DRAM的最佳時機。拿下美光,清華紫光將得到DRAM、儲存型(NAND)快閃記憶體與編碼型(NOR)快閃記憶體技術(shù),這將是中國半導(dǎo)體發(fā)展史上重要的紀(jì)事。這一切,或在后面的時間里實現(xiàn)!`
2016-07-29 15:42:37
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2021-03-17 17:59:10
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2021-07-06 19:32:41
三星ddr3 :DDR3/64*16/K4B1G1646G-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BYKODDR3/128*16
2021-09-23 19:20:15
三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱,30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費者使用,準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26
1010 三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:42
1106 DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:39
3959 三星電子今天宣布,已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā),并采用30nm級工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:45
1660 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會,全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)制定機構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:46
2350 據(jù)VR報道,英特爾將推出支持DDR4的高端CPU產(chǎn)品,預(yù)計到2015年我們才會在桌面系統(tǒng)看到下一代的DDR4產(chǎn)品。Haswell四核系統(tǒng)目前已經(jīng)可以達(dá)到3000速度等級,而將于2014年推出的DDR4 Haswell-EX四插
2012-04-05 09:29:00
2267 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn):DDR4,它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍,且功耗更低。JEDEC的DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的公布是數(shù)年來世界各地的內(nèi)存
2012-09-30 20:30:56
2016 雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3,新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變:
2017-11-08 15:42:23
32470 DDR3 SDRAM(Double Data Rate Three SDRAM):為雙信道三次同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM(Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:49
28010 三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:33
1582 據(jù)報道,三星第二代10nm級別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了,8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計技術(shù),比初代10nm級別(1x-nm)的高30%,并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:51
3481 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強。據(jù)報道,三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片,這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:01
2033 DRAM內(nèi)存制造技術(shù)一直都是國家最為關(guān)注的重要戰(zhàn)略之一。在內(nèi)存市場中國沒有足夠的話語權(quán),都被三星、SK海力士、美光幾家企業(yè)幾乎壟斷。據(jù)報道,紫光打造的中國第一款自主的PC DDR4內(nèi)存條終于問世,讓我們看到了國產(chǎn)內(nèi)存崛起的希望。
2017-12-22 16:00:26
1933 一年來內(nèi)存漲價已經(jīng)變得不可思議,三星又是最大的受益者,不得不讓人懷疑這是一種行業(yè)壟斷。據(jù)報道,有知情人表示三星價格壟斷是有前科的,還曾在美被罰3億美元。
2017-12-25 16:40:01
2167 回首過去一年的存儲芯片市場,漲價永遠(yuǎn)都是關(guān)鍵詞,一連7個季度的漲價,這是由于閃存、內(nèi)存漲價有市場供需失衡的原因,中國在這個領(lǐng)域毫無發(fā)言權(quán)。紫光生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存讓我們看到了國產(chǎn)DDR4量產(chǎn)的希望。韓企壟斷的局面將被打破。
2017-12-28 16:48:21
1635 如今內(nèi)存供需仍然處于偏緊狀態(tài),下游廠商受影響最大,雖說有關(guān)發(fā)改委約談三星,但是是否構(gòu)成壟斷仍待調(diào)查,三星方面始終三緘其口,預(yù)計內(nèi)存價格上半年漲勢難止。
2018-01-12 09:48:44
6561 據(jù)報道,近日芝奇推出Trident Z RGB DDR4-4700套裝被稱之為是目前頻率最高的DDR4內(nèi)存套裝,采用三星B-die顆粒,開啟XMP功能就可以達(dá)到4700MHz的工作頻率。
2018-02-06 11:47:38
2139 涉及國產(chǎn)DDR4的還是紫光集團的子公司紫光國芯,旗下?lián)碛形靼?b class="flag-6" style="color: red">紫光國芯、深圳國微、紫光同創(chuàng)等公司。根據(jù)官網(wǎng)介紹,“紫光國芯是紫光集團旗下半導(dǎo)體行業(yè)上市公司,專注于集成電路芯片設(shè)計開發(fā)領(lǐng)域,堅持穩(wěn)健經(jīng)營
2018-03-19 18:35:00
2713 目前中國正在大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),但是在內(nèi)存市場卻有一些缺憾,全球內(nèi)存市場幾乎被美國、韓國壟斷,去年的內(nèi)存價格居高不下?,F(xiàn)在目前國內(nèi)正在發(fā)展存儲芯片,國產(chǎn)DDR4內(nèi)存邁出第一步。
2018-03-01 10:12:05
30615 目前在售的紫光DDR4內(nèi)存并沒有使用國產(chǎn)顆粒,而是SK Hynix顆粒,是韓國公司的顆粒,也就是說現(xiàn)在的國內(nèi)DDR4內(nèi)存依然是掛羊頭賣狗肉,跟市場上其他內(nèi)存條沒有什么區(qū)別,國產(chǎn)的只是PCB之類的。不過店家也很坦誠,說紫光顆粒的DDR4內(nèi)存下半年問世。
2018-03-05 09:36:01
3569 三星電子高層金奇南 (Kim Ki-nam)12日表示,預(yù)計今年年底前對DRAM芯片需求不會有變。
2018-09-24 14:48:00
2906 存儲器芯片及相關(guān)內(nèi)存模組產(chǎn)品已形成完整的系列,目前DDR3是主流產(chǎn)品,DDR4有望在今年內(nèi)完成開發(fā),但受制于后端制造產(chǎn)能的限制,出貨量不會很大。
2018-05-16 01:02:00
5701 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè),三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報道,三星悄悄啟動了引入EUV(極紫外光)光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā),基于1ynm。
2018-06-25 09:09:00
1128 國產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國微在深交所互動平臺上表示,目前國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中,紫光國微預(yù)計今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場。
2018-07-30 15:55:47
1707 12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴大整體10nm級DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:25
1102 三星宣布推出基于10nm級(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:01
5722 近日不少有關(guān)國產(chǎn)自主DDR4內(nèi)存的報道,目前已有合肥長鑫、長江存儲、福建晉華三家公司宣布2019年完成LPDDR4芯片。現(xiàn)在最新消息,紫光宣布國產(chǎn)DDR4內(nèi)存2018年年底提前推向市場。
2018-08-07 16:42:50
2844 紫光國微表示,公司的DRAM芯片與三星等國際知名企業(yè)還是有很大差距,我們還處于學(xué)習(xí)和追趕的過程中。一段時間內(nèi),DDR4仍將是市場上的主流產(chǎn)品,短時間不會有太大影響。
2018-09-19 09:43:42
6394 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點,并簡單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對象為DDR4 3200MHz內(nèi)存,因為硬件極客對DDR4性能的不斷深挖,目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:28
27840 Xilinx推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale?器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案,每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb.UltraScale器件采用ASIC級架構(gòu),可
2018-11-30 05:33:00
4449 3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:08
3840 ,動態(tài)隨機存取存儲器)。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級(1y-nm)8Gb DDR4以來僅僅16個月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4,說明三星突破了DRAM的擴展極限。
2019-03-21 17:30:54
2123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:16
4320 關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01
592 2014年,推出了第四代DDR內(nèi)存(DDR4),降低了功耗,提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的芯片密度。 DDR4內(nèi)存還具有改進(jìn)的數(shù)據(jù)完整性,增加了對寫入數(shù)據(jù)的循環(huán)冗余檢查和片上奇偶校驗檢測。
2019-07-26 14:34:01
51736 日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存,這是第三代10nm級內(nèi)存工藝,這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個量產(chǎn)1Znm工藝的公司,這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:00
4364 隨著紫光、合肥長鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè),國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外,紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā),他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存,包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:09
5571 最近一年來,DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價,如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價之勇,只要200多塊就可以搞定。
2019-10-30 15:19:00
6891 9 月份合肥長鑫宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對于國產(chǎn)內(nèi)存,市場預(yù)期不會對三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來太大影響,但是會擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對此南亞科予以否認(rèn),表示短時間內(nèi)沒什么大影響。
2019-11-19 10:44:31
3626 隨著紫光、合肥長鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè),國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外,紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā),他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存,包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:14
5108 隨著現(xiàn)代計算機能力的不斷發(fā)展,推動著存儲器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者,能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日,三星電子宣布成功開發(fā)DDR5芯片,可提供更強大、更可靠的性能,支持現(xiàn)代服務(wù)器不斷增長的需求。
2020-02-22 09:40:47
1128 嚴(yán)格來說,合肥長鑫的內(nèi)存不是第一款國產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片,紫光旗下的紫光國微之前也有DDR內(nèi)存研發(fā),也曾少量用于國產(chǎn)的服務(wù)器等產(chǎn)品中,但是紫光國微沒有生產(chǎn)能力,DDR內(nèi)存無法大量供應(yīng)。
2020-03-01 10:15:11
3548 2 月 28 日訊,國產(chǎn)首枚 DDR4 內(nèi)存現(xiàn)已面世。在長鑫存儲的官方網(wǎng)站上,目前已經(jīng)公開列出了自家的 DDR4 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存條、LPDDR4X 內(nèi)存芯片,全部產(chǎn)品都符合國際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2020-03-02 11:18:28
1708 Xilinx 提供了UltraScaleFPGA器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案,每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb。UltraScale器件采用ASIC級架構(gòu),可支持大量I/O和超大存儲帶寬,并能夠
2020-05-28 15:00:57
5104 銳龍5000系列正式登場的同時,芝奇就發(fā)布了多款專為其進(jìn)行定制優(yōu)化的高速DDR4內(nèi)存套裝,隸屬于知名的Trident Z Neo焰光戟系列。
2020-11-06 09:33:05
2334 今日,七彩虹宣布 iGame 內(nèi)存全面升級,正式發(fā)布了 iGame VULCAN DDR4 內(nèi)存。 iGame VULCAN DDR4 延續(xù)了 VULCAN 顯卡紋理設(shè)計。值得一提的是,經(jīng)過網(wǎng)友命名
2020-12-25 10:31:31
3302 帶來太大的影響。 三星對客戶通知2022年年終之前仍會繼續(xù)接受且在2023年年末之前完成DDR3內(nèi)存的訂單,并將停止1GB、2GB、4GB的DDR3內(nèi)存生產(chǎn)。繼三星之后,SK海力士、華邦電子等制造商也表示將停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn),不對客戶繼續(xù)提供DDR3內(nèi)存,不過三大芯片供應(yīng)商中的美光
2022-04-06 12:22:56
6223 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內(nèi)存顆粒測試設(shè)計,阻抗一致性優(yōu)異,極低延遲,最高速率支持6.4Gbps,可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:48
8531 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:25
35586 DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見的內(nèi)存頻率規(guī)格,它們在性能上會有一定的差別,但差別大小取決于具體的應(yīng)用場景和系統(tǒng)配置。
2023-08-22 14:45:05
62821 隨著英特爾和amd將新的pc/筆記本電腦和服務(wù)器平臺更換為ddr4, ddr4的需求開始減少。因此,三星大幅減少ddr4的生產(chǎn),轉(zhuǎn)向ddr5,試圖鞏固業(yè)界第一的位置。
2023-09-15 11:40:33
1381 三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能,而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期,三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會導(dǎo)致DDR4市場價格上漲,而目前
2023-09-15 17:42:08
1808 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計算機的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:00
13842 DDR4內(nèi)存作為當(dāng)前廣泛應(yīng)用的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),盡管其性能穩(wěn)定且技術(shù)成熟,但在實際使用過程中仍可能遇到一些常見問題。
2024-09-04 12:35:04
6074 DDR4內(nèi)存模塊是計算機內(nèi)存技術(shù)的一項重要進(jìn)步,它是Double Data Rate(雙倍數(shù)據(jù)速率)第四代內(nèi)存技術(shù)的具體實現(xiàn)形式。
2024-09-04 12:35:50
3948 DDR4內(nèi)存頻率的最高值是一個隨著技術(shù)進(jìn)步而不斷演變的指標(biāo)。目前,DDR4內(nèi)存的頻率已經(jīng)取得了顯著的提升,但具體到最高頻率,則需要結(jié)合多個方面來討論。
2024-09-04 12:37:15
12516 DDR4內(nèi)存的傳輸速率是衡量其性能的重要指標(biāo)之一,它直接決定了內(nèi)存模塊在單位時間內(nèi)能夠傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。
2024-09-04 12:44:25
6008 DDR4內(nèi)存的工作頻率是指DDR4內(nèi)存條在運行時所能達(dá)到的速度,它是衡量DDR4內(nèi)存性能的一個重要指標(biāo)。DDR4內(nèi)存作為目前廣泛使用的內(nèi)存類型之一,其工作頻率經(jīng)歷了從最初的低頻率到當(dāng)前的高頻率的不斷發(fā)展。
2024-09-04 12:45:39
6941 DDR4(Double Data Rate 4)時序參數(shù)是描述DDR4內(nèi)存模塊在執(zhí)行讀寫操作時所需時間的一組關(guān)鍵參數(shù),它們直接影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。以下是對DDR4時序參數(shù)的詳細(xì)解釋,涵蓋了主要的時序參數(shù)及其功能。
2024-09-04 14:18:07
11145 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,計算機內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR(Double Data Rate)內(nèi)存條作為計算機的重要組成部分,其性能直接影響到電腦的運行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場上最常
2024-11-20 14:24:22
11362 DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5(Double Data Rate 5)是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)。它是DDR4的后續(xù)產(chǎn)品,提供更高
2024-11-22 15:38:03
7928 DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù),相較于DDR4內(nèi)存,在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)
2024-11-29 14:58:40
5418 DDR4內(nèi)存適合多種類型的主板,主要取決于主板的芯片組和處理器插槽類型。以下是一些常見的支持DDR4內(nèi)存的主板: 一、Intel平臺主板 Z系列主板 : 如Z370、Z390、Z490、Z590等
2024-11-29 15:03:47
15990 據(jù)報道,業(yè)內(nèi)人士透露,全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光,有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:51
3468 給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊: 三星DDR4內(nèi)存漲價20%? 存儲器價格跌勢結(jié)束,在2025年一季度和第二季度,價格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報道稱,三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價,在本月初三星
2025-05-13 15:20:11
1207 在國產(chǎn)存儲芯片加速替代的關(guān)鍵階段,北京貞光科技有限公司,作為紫光國芯的專業(yè)授權(quán)代理商,正將SDR到DDR4的全系列產(chǎn)品推向工業(yè)控制、電力系統(tǒng)和安防監(jiān)控等高可靠性市場。憑借穩(wěn)定的供貨能力、深入
2025-09-03 16:22:46
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三星近期已向全球 OEM 客戶發(fā)出正式函件,明確旗下 DDR4 模組將于 2025 年底進(jìn)入產(chǎn)品壽命結(jié)束(EOL)階段,最后訂購日期定于 6 月上旬,最后出貨日期則為 12 月 10 日。此次停產(chǎn)
2025-10-14 17:11:37
1046 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)前段時間,三星、SK海力士、美光等DRAM大廠已計劃陸續(xù)退出部分DDR4市場,將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、LPDDR5和HBM。由此引發(fā)DDR4供應(yīng)鏈波動,同時在供給不足的擔(dān)憂
2025-06-19 00:54:00
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