器件模型是一個大類，有其多樣性的特征，分散在各個地方的器件模型團隊，都有自己的強項，MOS-AK會議提供了讓大家聚集在一起討論針對各種電路，各種應用的器件模型對策的舞臺。 前段時間，朋友問到MRAM 內(nèi)存類器件的模型需求，也有問關于硅光電這塊的模型，可謂層出不窮。這次我們在報告中也有幾篇針對工業(yè)界實際應用，有著非常迫切需求和探索的模型報告和大家分享：

1. Compact models for Giga scale memory system ：

電路仿真是預測大規(guī)模系統(tǒng)行為的重要工具。電路仿真中的關鍵元件的器件模型，允許許多互連元器件快速仿真。當我們正在使用內(nèi)存設備來進行豐富的數(shù)據(jù)計算應用時候，我們發(fā)現(xiàn)存儲類器件的緊湊模型的發(fā)展還比較落后，實際上也沒有可用的標準存儲器件模型。缺少緊湊模型的原因部分是因為電路模擬器主要是為邏輯和模擬電路而不是存儲器件設計的。在此篇報告中，主要介紹開發(fā)緊湊型模型的一般方法和發(fā)展先進存儲器件模型所面臨的挑戰(zhàn)。看到這篇報告，不由想起以前了解到的SONOS就是一個典型的存儲器件，其中各個器件的閾值電壓受外加電壓大小，工作狀態(tài)，可靠性等各方面影響就已經(jīng)比較復雜。當存儲器件和其他器件組成一個小的Macro Module，那么牽涉到的是更多的工作狀態(tài)，對模型又是一種挑戰(zhàn)，更何況許許多多存儲器件鏈接在一起，考慮的情況就更多。如何減少仿真時間而不遺漏各種工作狀態(tài)，確實是不小的挑戰(zhàn)。

2. ASM & Angelov

對于III-V族器件， 模型的問題一直困擾者很多電路設計者，由于模型準確度的局限性，很多時候，需要靠經(jīng)驗去設計電路，造成研發(fā)周期長，重復性差。此次的邀請報告中，一篇是基于物理原理基礎的表面勢（surface potential )模型，對GaN器件在RF，POWER應用中的測試結果和模型仿真作了驗證，作為目前非常熱門的模型，大家也有大的期待。另外一篇是基于傳統(tǒng)的Angelov 模型，對于當前熱門的GaAs HEMT器件， 提出了針對電路設計，非常實用的大信號模型，以及模型抽出的一系列方案。這兩篇報告，相信，也會給國內(nèi)模型的研究人員帶來不同角度的實戰(zhàn)體驗，找出合適自己電路設計的模型方案。

3. A Full Design Flow Solution for OLED Flat Panel Display

新型器件，對于模型的需求一直是第一位的。 OLED顯示技術是近年來平板顯示（FPD）行業(yè)的熱點。作為FPD產(chǎn)業(yè)的基礎，F(xiàn)PD的設計流程不斷發(fā)展，以應對OLED顯示技術的各種挑戰(zhàn)，比如從OLED／TFT SPICE器件建模開始，設計、電路仿真、版圖設計、版圖驗證、全面板布局RC寄生提取，功能驗證，功率和可靠性分析等，整個流程非常繁瑣和具有挑戰(zhàn)性。報告介紹一個完整的OLED FPD流程設計方案，一些OLED特定的部分將被強調(diào)。例如，LTPS或IGZO TFT將被用于OLED FPD，而不是廣泛用于LCD的a-Si TFT。由于OLED是一種電流控制器件，對OLED電路仿真的精度要求遠遠高于LCD電路。此外，IR DROP分析變得必不可少。由于OLED電路的尺寸比LCD電路大得多，對電路仿真的容量要求也越來越高。當然，另一個有趣的話題是通常使用OLED技術的柔性顯示器。作為一個網(wǎng)格，而不是一整片金屬正在被用于柔性顯示，用以模擬手指觸摸效果的觸摸面板RC參數(shù)的提取將是一個更大的挑戰(zhàn)。

通過MOS-AK 會議，讓擁有在某個方面有優(yōu)勢的模型團隊，為國內(nèi)半導體廠，設計公司獲得附加價值的服務，那么良好的IDM虛擬平臺也會應運而生，成為良性循環(huán)。MOS-AK北京器件模型會議將在清華大學6月14-16日舉辦，如果還想報名參加的，可以點擊閱讀原文，抓緊最后的機會。目前安排20篇演講報告，其中防輻射，高可靠性模型這塊的報告有4篇， III-V族高頻微波有7篇， 先進節(jié)點有3篇，器件基礎原理有2 篇，電路產(chǎn)品應用有2篇，模型，測試平臺相關的2篇。

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