5月23日，在張江舉辦了一場2個小時的研討會，主題是On-chip ESD，演講者由在on-chip ESD 領域耕耘了近20年的Sofics以及兩個合作伙伴Moortec 和 HHGRACE 共同分享最新項目成果和合作的點點滴滴。 On-chip ESD 雖然是小眾方向，但是不能缺少，因為ESD的HBM，MM，CDM不容易仿真，一定要等芯片出來后做了測試才知道結果，所以一旦失敗，整個芯片的研發(fā)周期會拖延，造成比較大的損失。當然，對于高速電路這塊的應用，ESD在寄生電容，電阻，這塊的性能通過仿真可以獲得，對于物聯(lián)網(wǎng)等超低功耗的應用，ESD的漏電性能還是提前可以獲得的，所以對于以上的應用，如果最基礎的性能都沒有達標，就需要尋找好的解決方案，特別在先進節(jié)點16nm,12nm, 7nm, 流片昂貴的時代，ESD 一次成功顯得尤為重要。

Sofics 的演講非常接近應用，主要介紹了在人工智能、汽車電子，消費應用、大數(shù)據(jù)、醫(yī)療應用、移動應用、物聯(lián)網(wǎng)、太空應用、可穿戴等方面的案例。

在高速傳輸這塊的應用，基本都是先進節(jié)點（28，16，7nm)，大數(shù)據(jù)，硅光電等很多IO接口都有非常高的SPEC要求, 比如寄生電容，Sofics 已經(jīng)實現(xiàn)20fF 以下，在PAD中沒有引入ESD電阻等。

在和HHGRACE合作的在0.11um e-flash 平臺中，實現(xiàn)了超低功耗的ESD解決方案，為后續(xù)IOT的應用，提供了非常好的解決方案。其中HBM性能＞８keV, 總體漏電小于20 nA，5nA (5.5V, 125 degree) 也顯示了雙方合作的完美。

在和英國IP 供應商Moortec，和Icsense三方的合作中，Sofics 成功得在28nm, 1.8V 工作電壓的工藝下，實現(xiàn) 3.3V ESD clamp, 讓超壓IO輸出變成了可能，特別對那些設計公司，想在設計電路中，實現(xiàn)工作電壓只有0.85V到1.8V的MOSFET器件做超壓輸出的，給了一個非常好的方向和選擇。

雖然研討會只有2個小時，會后，大家討論得非常熱烈，也非常希望國內(nèi)有一個好的ESD信息共享的平臺，因為只有國內(nèi)外多交流，才能知道差距，互相學習，實現(xiàn)最終超越。 XMOD作為研討會的組織者，也希望把歐洲更多小而美的公司技術資源轉移落地到國內(nèi)，相信，通過一個個小的技術點差距的彌補，能像星星之火一樣，最終幫助到國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。關于研討會的演講資料，如果感興趣的，可以留言或者私信，在經(jīng)過作者允許后，后續(xù)上傳公司網(wǎng)站，分享給大家。

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