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關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

弘模半導(dǎo)體 ? 來源:djl ? 2019-09-08 11:25 ? 次閱讀
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2017 在杭州電子科技大學(xué)舉辦的MOS-AK 器件模型國際會議,我們很欣喜得看到了國內(nèi)對基礎(chǔ)研究有很多投入的公司,它就是鴻之微科技(HZWTECH), 在這次會議上帶來了對新材料,新器件和對器件性能表征有挑戰(zhàn)性的設(shè)計和仿真解決方案。

仿真是設(shè)計人員和半導(dǎo)體廠之間的橋梁,演講以當前傳統(tǒng)仿真碰到的問題入手,隨著半導(dǎo)體器件尺寸縮小,越來越多的物理現(xiàn)象需要更多的參數(shù)來解釋。 從工藝仿真,器件搭建到最終的器件仿真,整個工程是龐大而耗時。更嚴重的問題是對于某些物理現(xiàn)象和新材料,傳統(tǒng)仿真無從著手。

關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

在這種背景下,更基于底層的原子TCAD仿真,相比于傳統(tǒng)的工具,讓人感到返樸歸真的感覺--簡單,最基礎(chǔ)的才是好。在量子仿真中,使用了電子傳輸?shù)娜孔用枋?,材料特性的預(yù)測和非平衡格林函數(shù)的可測試性設(shè)計,同時也可以獲得緊湊模型和必要的參數(shù),為新器件設(shè)計提供預(yù)測幫助。

關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

這種基于原子的仿真,應(yīng)用非常廣泛,對于前沿的新材料,新器件開發(fā)有著很好的指導(dǎo)意義。

關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

從上面的應(yīng)用來看,原子仿真的優(yōu)勢是明顯的,對于材料,器件特性有非常深入和準確的描述,特別針對于目前熱門的TFT,MTJ ,FDSOI和先進節(jié)點MOSFET器件研究是很好的切入點。作為一個完整的仿真工具,和傳統(tǒng)TCAD一樣,需要抽出器件參數(shù),用于將來的仿真。

關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

報告對Atomistic-TCAD工具作了總結(jié),對將來的應(yīng)用也是充滿期待。

關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

從大會的反饋來看,很多對新器件,新材料研究的單位是非常有興趣的,同時對于國內(nèi)半導(dǎo)體的前沿預(yù)測有非常好的借鑒,也能使中國半導(dǎo)體能在基礎(chǔ)研究上和歐美等先進國家縮小差距。

上述材料由HZWTECH提供,作為本次的贊助商和演講單位,確實給國內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來了一股清新的味道。希望明年2018能看到國內(nèi)有更多扎根于基礎(chǔ)研究的企業(yè)來到國際模型會議演講。

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